DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存有什么區(qū)別

插槽是不一樣,DDR3比DDR2頻率高,速度快,容量大,性能高。
DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存,其實(shí)只是規(guī)格上的提高,并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量?jī)?nèi)存的支持較好,而大容量?jī)?nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量,4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限,當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候,64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。
一、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別:
1、邏輯Bank數(shù)量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
2、封裝(Packages)
由于DDR3新增了一些功能,在引腳方面會(huì)有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封裝,16bit芯片采用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質(zhì)。
3、突發(fā)長(zhǎng)度(BL,Burst Length)
由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定為8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。
4、尋址時(shí)序(Timing)
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間,而DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
二、與DDR2相比DDR3具有的優(yōu)點(diǎn)(桌上型unbuffered DIMM):
1.速度更快:prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit,核心同頻率下數(shù)據(jù)傳輸量將會(huì)是DDR2的兩倍。
2.更省電:DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V,同頻率下比DDR2更省電,搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能,內(nèi)部增加溫度senser,可依溫度動(dòng)態(tài)控制更新率(RASR,Partial Array Self-Refresh功能),達(dá)到省電目的。
3.容量更大:更多的Bank數(shù)量,依照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn),DDR2應(yīng)可出到單位元元4Gb的容量(亦即單條模塊可到8GB),但目前許多DRAM廠商的規(guī)劃,DDR2生產(chǎn)可能會(huì)跳過(guò)這個(gè)4Gb單位元元容量,也就是說(shuō)屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊,容量最大可能只會(huì)到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳,目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒(méi)問(wèn)題(注意:這里指的是零售組裝市場(chǎng)專(zhuān)用的unbuffered DIMM而言,server用的FB與Registered不在此限)。
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