機(jī)械硬盤還沒普及10TB，固態(tài)硬盤已經(jīng)向著更高的層次高速進(jìn)軍了。三星創(chuàng)造了15.3TB的記錄并將其推向市場(chǎng)，希捷就展示了60TB的恐怖容量，而作為固態(tài)存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)軍者，三星自然不甘示弱。

年度閃存峰會(huì)上，三星就集中展示了一系列新的閃存技術(shù)，其中就包括容量達(dá)32TB的新硬盤。

首先是第四代3D V-NAND立體堆疊閃存，從第三代的48層增至64層，單晶粒最大容量512Gb(64GB)，TLC類型，IO接口傳輸速度也提高到了800Mbps。

基于此新技術(shù)，三星可以在單顆芯片封裝內(nèi)，做到1TB容量，甚至是13×11.5毫米的單芯片BGA SSD都能做到1TB。

同樣基于此，16TB PM1633a進(jìn)化為了32TB PM1643，號(hào)稱世上最大容量硬盤，但嚴(yán)格來說是最大的2.5寸，希捷那個(gè)60TB是3.5寸的。

下一代企業(yè)級(jí)的NVMe SSD PM1735，將會(huì)使用PCI-E 4.0 x8總線，帶寬達(dá)12GB/s，不過誰也不知道PCI-E 4.0標(biāo)準(zhǔn)何時(shí)出爐呢。

然后，三星創(chuàng)造了一種114毫米長(zhǎng)、32毫米寬的超大號(hào)M.2 SSD(一般企業(yè)級(jí)110×22毫米、消費(fèi)級(jí)80×22毫米)，容量可達(dá)8TB，能在1U機(jī)架空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)256TB。

標(biāo)準(zhǔn)型的M.2則可以做到4TB。

還有，三星宣布了新的“Z-NAND”閃存技術(shù)、新的主控、新的“Z-SSD”硬盤，介于傳統(tǒng)SSD和內(nèi)存之間，性能高于傳統(tǒng)NVMe、PRAM SSD，延遲則類似后者，能效也更高。

從新聞稿看，Z-NAND并不是Intel、美光搞的那種混合式3D XPoint，因?yàn)槠浠窘Y(jié)構(gòu)和V-NAND是相通的，只不過加入了特殊電路和主控設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)性能最大化。

三星將在今年推出1TB Z-SSD，明年增加2/4TB。

最新評(píng)論