2016年年底，由于全球存儲顆粒供需緊張，導致存儲價格大幅上漲，不僅僅只有固態(tài)硬盤市場就連此前一直低迷的內(nèi)存市場也跟著價格上漲。2017年初始，在所有的DIY硬件中，內(nèi)存就率開啟了瘋狂的漲價模式，同時，SSD固態(tài)硬盤的價格也跟風上揚，讓存儲市場成為近期DIY領域關注的焦點。和腳本之家小編一起來了解一下吧。

　　什么原因?qū)е麓鎯r格大幅度上漲

　　追尋原因，在存儲設備漲價的背后元兇則是閃存顆粒。那么，很多用戶不禁要問了，隨著閃存技術(shù)的升級，制作工藝的不斷換代，價格應當是不斷下降的？漲價，總是離不開市場的供需需求，這也是這次存儲價格上漲的最主要的原因。

　　閃存顆粒到底是什么

　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個的字節(jié)為單位。根據(jù)用途和規(guī)格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，存儲設備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

　　根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC(單層次存儲單元)、MLC(雙層存儲單元)以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區(qū)別。

　　SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴(約MLC3倍以上的價格)，約10萬次擦寫壽命。

　　MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。

　　TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度相對慢壽命相對短，價格便宜，約500次擦寫壽命，是當下主流廠商首選閃存顆粒。

　　在閃存的市場上，分別以三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商為主，據(jù)統(tǒng)計它們六家的閃存產(chǎn)能幾乎占據(jù)了NAND閃存市場近9成的市場比重，幾乎所有的工藝的創(chuàng)造和升級，都是由這么幾家原廠所主導。

　　更新?lián)Q代 閃存顆粒嚴重缺貨：

　　但是隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態(tài)硬盤上單體的存儲單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了，更加專業(yè)的術(shù)語表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達極限了，要想進一步擴大單die的可用容量，就必須在技術(shù)上進行創(chuàng)新，于是3D NAND技術(shù)也就應運而生了。

　　在面對2D NAND向3D NAND的更新?lián)Q代中，除了三星、美光較成熟之外，其他家的3D NAND良品率并不太高，量產(chǎn)嚴重不足，致整體的NAND顆?？偝鰪S量不足，供應無法滿足市場需求，各大SSD廠商在爭奪本就不夠的閃存顆粒，必然會在競爭中抬高NAND出廠價，因而才引發(fā)了當下固態(tài)硬盤市場價格的瘋漲，成了固態(tài)硬盤等存儲產(chǎn)品價格上漲的第一大原因。

　　上游閃存顆粒價格瘋漲：

　　據(jù)消息稱，進入2017年僅過了一個月的時間，4Gb DDR4內(nèi)存顆粒的協(xié)議價已經(jīng)從2.837美元上升到3.347美元，漲幅達到了18%!而這僅僅是上游廠商的顆粒原料價，可想而知到一條內(nèi)存成品誕生，其零售價的漲幅會非常的大。

　　那么存儲市場價格上漲幅度如此厲害，什么時候才能回歸到正常？

　　對于固態(tài)硬盤市場，2017年各大閃存廠商都在穩(wěn)定和成熟的發(fā)展其3D NAND技術(shù)。2017年將是3D NAND普及的元年，到時候?qū)⒋笠?guī)模供應市場固態(tài)硬盤價格也將回歸正常。

　　內(nèi)存方面，遠遠沒有固態(tài)硬盤市場樂觀， 目前DRAM顆粒的行情呈現(xiàn)繼續(xù)上漲的趨勢，遠沒有NAND閃存樂觀，三星、美光等巨頭都表示，沒有增產(chǎn)DRAM計劃，這將更一步加劇DRAM供不應求的局面。這樣局面將導致內(nèi)存價格繼續(xù)上漲。

　　總而言之，存儲設備漲價的背后元兇則是閃存顆粒，可以預計近期內(nèi)存和固態(tài)硬盤價格難以出現(xiàn)大幅跳水，尤其是內(nèi)存價格。對于固態(tài)硬盤，17年正處于普及其，價格可能會出現(xiàn)回落，所以，對于打算升級和新組裝機器的用戶們，不妨再觀望一陣，再觀望觀望。

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