在行業(yè)漲價(jià)的大背景下，我們?cè)谶x擇固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的時(shí)候更是需要提高警惕，多多了解關(guān)于固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的參數(shù)和關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)，多加斟酌和比較不同品牌，避免被不良商家的文字游戲所欺騙，慘遭“烈士墻”。那么，固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域常見(jiàn)的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)到底有哪些？不良商販又都喜歡在固態(tài)硬盤(pán)的描述上玩哪些文字游戲？

關(guān)于產(chǎn)品接口：SATA/M.2/PCIe

目前，市面上銷(xiāo)售的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品中，大都是SATA接口或是M.2接口（包括PCIe）。

先說(shuō)SATA接口，其本質(zhì)就是從傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)時(shí)代繼承下來(lái)的，最為主流的硬盤(pán)接口形態(tài)。由于脫胎于傳統(tǒng)機(jī)械盤(pán)，SATA接口具有極強(qiáng)的兼容性，幾乎所有種類(lèi)的主板都能完美支持，也是目前市面上銷(xiāo)售量和普及量最廣泛的硬盤(pán)接口。

在固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代，SATA接口一直保持著最高出貨量和市占率，也是一般網(wǎng)友朋友裝機(jī)首選的固態(tài)類(lèi)型。與傳統(tǒng)機(jī)械盤(pán)時(shí)代不同的是，裝載固態(tài)硬盤(pán)的SATA接口在性能標(biāo)準(zhǔn)上，一般采用最高級(jí)別SATA Ⅲ，理論最高速度為6Gbps。

根據(jù)目前實(shí)際的應(yīng)用情況而言，減去傳輸損耗，大部分基于SATA接口的固態(tài)硬盤(pán)的最終讀取性能應(yīng)該在500MB/S以上，換句話(huà)說(shuō)就是“在SATA Ⅲ下,固態(tài)硬盤(pán)的讀取速度低于500MB/S的，都是垃圾。”

再說(shuō)M.2接口，所謂M.2接口就是為固態(tài)硬盤(pán)應(yīng)運(yùn)而生的新接口。根據(jù)固態(tài)硬盤(pán)大小，M.2接口的卡槽會(huì)有2280/2256等諸多尺寸，目前主流的M.2接口固態(tài)大小幾乎都是2280尺寸。

M.2接口本質(zhì)上，可以理解為PCIe插槽，根據(jù)固態(tài)硬盤(pán)執(zhí)行的傳輸協(xié)議不同，其傳輸性能也有著巨大的差異。正是有著傳輸協(xié)議的不同，M.2接口內(nèi)部又可以簡(jiǎn)單劃分為走PCIe通道的M.2接口和不走PCIe通道的M.2接口。

也就是說(shuō)，在M.2接口的世界中，根據(jù)傳輸協(xié)議的不同還有著不同接口之分，這點(diǎn)尤其需要我們注意，這也是諸多不良商家最喜歡進(jìn)行文字游戲欺瞞消費(fèi)者的地方，執(zhí)行PCIe通道的M.2接口在性能和造價(jià)上遠(yuǎn)超普通M.2接口，但是二者在外觀(guān)形態(tài)上幾乎沒(méi)有多少區(qū)別。

消費(fèi)者在選購(gòu)M.2接口產(chǎn)品時(shí)，一定要通過(guò)資料查詢(xún)和再三確認(rèn)，是否高價(jià)買(mǎi)了非PCIe通道的M.2接口產(chǎn)品。

關(guān)于傳輸協(xié)議：AHCI/NVMe

上文我們說(shuō)到，根據(jù)傳輸協(xié)議不同，M.2接口產(chǎn)品的性能和造價(jià)有著巨大的差異。其實(shí)，在固態(tài)硬盤(pán)行業(yè)發(fā)展至今，最為主流的傳輸協(xié)議，其實(shí)也就有兩種。一種是AHCI協(xié)議，另一種是NVMe協(xié)議。

所謂AHCI,全稱(chēng)為串行ATA高級(jí)主控接口/高級(jí)主機(jī)控制器接口，是在Intel的指導(dǎo)下，由多家公司聯(lián)合研發(fā)的接口標(biāo)準(zhǔn)，它允許存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)程序啟用高級(jí)串行ATA功能。

對(duì)于AHCI協(xié)議的意義和功能，我們作為普通消費(fèi)者無(wú)需進(jìn)行詳細(xì)了解，唯一需要注意的是，在挑選和使用SATA接口固態(tài)硬盤(pán)的時(shí)候，一定要在主板設(shè)置中開(kāi)啟AHCI模式。

這是因?yàn)?，開(kāi)啟AHCI模式后，能夠大幅縮短硬盤(pán)無(wú)用的尋道次數(shù)和縮短數(shù)據(jù)查找時(shí)間，這樣能讓多任務(wù)下的磁盤(pán)能夠發(fā)揮全部的性能和效應(yīng)。根據(jù)相關(guān)性能測(cè)試，在AHCI模式開(kāi)啟后，大約可增加30%的固態(tài)硬盤(pán)讀寫(xiě)性能。

目前，市面上主流的SATA接口產(chǎn)品全都僅支持AHCI模式，同時(shí)部分M.2接口產(chǎn)品也支持AHCI。另外一個(gè)傳輸協(xié)議便是，近年來(lái)出于風(fēng)口浪尖、代表著未來(lái)性能走向的NVMe協(xié)議。

所謂NVMe協(xié)議，是一種基于非易失性存儲(chǔ)器的傳輸規(guī)范，NVMe規(guī)范由包含90多家公司在內(nèi)的工作小組所定制，Intel是主要領(lǐng)頭人，小組成員包括美光、戴爾、三星、Marvell、NetAPP、EMC、IDT等公司。

此規(guī)范目的在于充分利用PCI-E通道的低延時(shí)以及并行性，還有當(dāng)代處理器、平臺(tái)與應(yīng)用的并行性，在可控制的存儲(chǔ)成本下，極大的提升固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)性能，降低由于AHCI接口帶來(lái)的高延時(shí)，徹底解放SATA時(shí)代固態(tài)硬盤(pán)的極致性能。

換言之，NVMe協(xié)議的誕生就是為了從傳輸協(xié)議出發(fā)，進(jìn)一步提升固態(tài)硬盤(pán)的實(shí)際讀寫(xiě)性能，提高產(chǎn)品傳輸效率。一般來(lái)說(shuō)，基于NVMe協(xié)議的固態(tài)硬盤(pán)在讀寫(xiě)性能上都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了SATA接口極限的6Gbps，接近1000MB/S。

除此之外，目前支持NVMe協(xié)議的固態(tài)硬盤(pán)在接口類(lèi)型上，也幾乎都是M.2接口，走PCIe通道的，也就是說(shuō)所有基于SATA接口的固態(tài)硬盤(pán)都無(wú)法支持NVMe協(xié)議傳輸協(xié)議，無(wú)法享受全新協(xié)議帶來(lái)的極限性能。

在這一點(diǎn)上，我們可以根據(jù)產(chǎn)品的最大讀取速度是否超過(guò)600MB/S作為簡(jiǎn)單依據(jù)，進(jìn)行協(xié)議判斷。

關(guān)于核心元件：閃存/主控

最后我們?cè)倭暮?jiǎn)單聊聊固態(tài)硬盤(pán)的核心元件，閃存顆粒和主控芯片。

閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個(gè)的字節(jié)為單位。

根據(jù)用途和規(guī)格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，今天我們主要討論的是用于固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)設(shè)備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

NAND閃存顆粒，是閃存家族的一員，最早由日立公司于1989年研制并推向市場(chǎng)，由于NAND閃存顆粒有著功耗更低、價(jià)格更低和性能更佳等諸多優(yōu)點(diǎn)，成為了存儲(chǔ)行業(yè)最為重要的存儲(chǔ)原料。

根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲(chǔ)單元）、MLC（雙層存儲(chǔ)單元）以及TLC(三層存儲(chǔ)單元)，此三種存儲(chǔ)單元在壽命以及造價(jià)上有著明顯的區(qū)別。

SLC（單層式存儲(chǔ)），單層電子結(jié)構(gòu)，寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化區(qū)間小，壽命長(zhǎng)，讀寫(xiě)次數(shù)在10萬(wàn)次以上，造價(jià)高，多用于企業(yè)級(jí)高端產(chǎn)品。

MLC（多層式存儲(chǔ)），使用高低電壓的而不同構(gòu)建的雙層電子結(jié)構(gòu)，壽命長(zhǎng)，造價(jià)可接受，多用民用高端產(chǎn)品，讀寫(xiě)次數(shù)在5000左右。

TLC（三層式存儲(chǔ)），是MLC閃存延伸，TLC達(dá)到3bit/cell。存儲(chǔ)密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價(jià)成本最低， 使命壽命低，讀寫(xiě)次數(shù)在1000~2000左右，是當(dāng)下主流廠(chǎng)商首選閃存顆粒。

隨著時(shí)代發(fā)展，NAND閃存顆粒的技術(shù)突飛猛進(jìn)，并且逐漸形成了幾大超大規(guī)模的專(zhuān)業(yè)閃存顆粒制造商，這些能夠直接切割晶圓和分離出NAND閃存顆粒的廠(chǎng)商，一般稱(chēng)之為閃存顆粒原廠(chǎng)。

它們分別是三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商，據(jù)統(tǒng)計(jì)它們六家的閃存產(chǎn)能幾乎占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)近9成的市場(chǎng)比重，幾乎所有的工藝的創(chuàng)造和升級(jí)，都是由這么幾家原廠(chǎng)所主導(dǎo)。

我們?cè)谔暨x固態(tài)硬盤(pán)的時(shí)候，可以從閃存顆粒出發(fā)，盡量選擇以上六大原廠(chǎng)生產(chǎn)的閃存顆粒的固態(tài)硬盤(pán)。至于主控芯片，顧名思義就如同PC中的CPU，相當(dāng)于固態(tài)硬盤(pán)的大腦，承擔(dān)著指揮、運(yùn)算以及協(xié)調(diào)的作用。

其具體作用表現(xiàn)在，一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存芯片上的負(fù)荷，讓所有的閃存顆粒都能夠在一定負(fù)荷下正常工作，協(xié)調(diào)和維護(hù)不同區(qū)塊顆粒的協(xié)作，二則是承擔(dān)了整個(gè)數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部SATA接口，三則是負(fù)責(zé)固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)部各項(xiàng)指令的完成，諸如trim、CG回收、磨損均衡。

鑒于目前各大主控芯片廠(chǎng)商在絕對(duì)性能上的差異并不明顯，主要的幾大主控芯片廠(chǎng)商，慧榮、群聯(lián)、Marvell、以及三星、東芝自家研發(fā)等都是比較優(yōu)質(zhì)的選擇，唯一需要注意的是主控芯片的老舊和穩(wěn)定性問(wèn)題。

我們?cè)谶x擇固態(tài)硬盤(pán)主控時(shí)，可以根據(jù)通過(guò)網(wǎng)絡(luò)查詢(xún)到底有多少?gòu)S商采用此款主控方案，進(jìn)行簡(jiǎn)答判斷，畢竟作為高度壟斷的行業(yè)，固態(tài)硬盤(pán)廠(chǎng)商可供選擇的方案也就寥寥數(shù)家，多數(shù)廠(chǎng)商都在使用的主控方案，雖不能說(shuō)一定是最佳方案，但一定是最為穩(wěn)妥的方案。

從接口到協(xié)議，再到核心控件，希望這些固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的常識(shí)可以在一定程度上幫助大家，在選購(gòu)固態(tài)硬盤(pán)的時(shí)候，提供參考，避免因不了解而上當(dāng)受騙，畢竟固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品正處高位，被騙還是會(huì)肉疼。

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