大家都知道，數(shù)據(jù)時代的來臨，讓存儲底層技術(shù)也實現(xiàn)了堪稱跨越式的創(chuàng)新和發(fā)展，從機械硬盤時代SMR逐步替代PMR，到固態(tài)硬盤時代的3D NAND淘汰2D NAND、以及SLC/MLC/TLC之間的“代際”之爭，存儲底層技術(shù)的迭代和演變，在豐富了數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用廣度和深度的同時，更是憑借著指數(shù)級性能倍增，徹底打破了存儲產(chǎn)品性能長期“墊底”DIY產(chǎn)業(yè)圈的尷尬局面，甚至一躍成為近年來，DIY產(chǎn)業(yè)圈性能提升最為劇烈、技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)不斷的品類王者。

致鈦PC005 Active 1TB

其中長江存儲研發(fā)的Xtacking架構(gòu)，更是憑借著優(yōu)秀的設(shè)計，獨特的工藝，在存儲競爭日趨激烈的新格局下，先行一步，并通過創(chuàng)立的子品牌致鈦，以技術(shù)驅(qū)動、技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)自我造血，反哺生產(chǎn)。

在此之前，ZOL已經(jīng)評測過了致鈦品牌旗下的高端旗艦PC005 Active 512GB版本，并引起了諸多用戶的熱議，同時也收到了眾多網(wǎng)友的反饋。而今天亮相的，同樣是致鈦高端PC005 Active固態(tài)硬盤，不同的是在容量上進行了提升，相較于512GB容量，“超大杯”1TB版本的PC005 Active表現(xiàn)又是如何？我們一起來看。

01 外觀簡析：標準M.2設(shè)計兼容主流市場

在外觀上，和512GB容量一致，采用標準2280尺寸，能夠兼容時下主流主板和筆記本設(shè)計標準。

單面PCB設(shè)計

單面PCB設(shè)計，主控芯片、緩存顆粒以及存儲顆粒全部集成到單面PCB之上，為后續(xù)產(chǎn)品容量提升奠定了基礎(chǔ)。同時通過金手指的缺口判斷，1TB版本的PC005 Active依舊支持NVMe傳輸協(xié)議，這一點上，從產(chǎn)品外包裝上標注的“3500MB/S”最大讀取速度，也得到了印證。

除此之外，根據(jù)官方提供的數(shù)據(jù)，PC005 Active 1TB版本提供了高達640TBW的保修寫入量，通過簡單計算，按照每天寫入100GB，640TBW能夠支持接近18年，當然鑒于固態(tài)閃存的寫入負載的不同，這個數(shù)值是最為理想狀態(tài)，然而即使如此，640TWB的寫入量保修足以滿足大部分用戶的寫入需求。

02 核心主控：經(jīng)典慧榮2262EN

眾所周知，固態(tài)硬盤產(chǎn)品的性能高低取決于產(chǎn)品內(nèi)部的核心構(gòu)件，PC005 Active 1TB版本在內(nèi)部架構(gòu)上，延續(xù)了512GB版本的優(yōu)良傳統(tǒng)，同時在緩存顆粒上進行倍增和擴容，進一步提升了整體的性能體驗。

慧榮2262EN主控

具體來說，PC005 Active 1TB版本采用了慧榮2262EN主控，這是一款較為成熟、深受市場和消費者檢驗過的主控芯片。由慧榮公司于2018年Computex大展上首秀，致鈦進行定制和優(yōu)化升級，參數(shù)上，支持PCIe G3×4通路、NVMe 1.3規(guī)范，同時擁有8個NAND通道，理論最大順序讀取速度高達3.5GB/s，最大順序?qū)懭胨俣冗_3.0GB/s，理論設(shè)計隨機讀寫均為420K IOPS。

在主控固件和功能方面，支持端到端資料路徑保護、SRAM ECC、結(jié)合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend™ ECC技術(shù)，支持全線最新3D TLC和QLC NAND，能夠為用戶提供最完整及最穩(wěn)定的資料保護。

03 閃存顆粒：Xtacking架構(gòu)的創(chuàng)新和應(yīng)用

至于閃存顆粒方面，致鈦全系產(chǎn)品均采用了具有自主知識產(chǎn)權(quán)和核心競爭力的Xtacking架構(gòu)，這款定位旗艦級別的PC005 Active也不例外。

Xtacking架構(gòu)源于致鈦母公司長江存儲，研發(fā)多年的一項存儲底層技術(shù)。它本質(zhì)上一項針對3D NAND存儲結(jié)構(gòu)的再創(chuàng)新，不同于其他3D NAND閃存架構(gòu)的內(nèi)部一體成型設(shè)計，長江存儲通過對架構(gòu)的深度定制和迭代，突破性在閃存內(nèi)部通過鍵合方式連接和串聯(lián)，在保持產(chǎn)品性能和可靠性的同時，更是進一步提升產(chǎn)品容量。

Xtacking架構(gòu)的3D NAND

官方的標準說法，Xtacking架構(gòu)同比于其他3D NAND技術(shù)的突出特點主要是，可在兩片獨立的晶圓上分開加工負責(zé)I/O傳輸及記憶單元的電路，并通過成熟的Xtacking工藝進行晶圓鍵合，合二為一。這樣的加工方式有利于選擇更先進的制造工藝，降低制造工序的復(fù)雜度,從而以讓NAND獲取更高的I/O傳輸速度，更高的密度，及更小的芯片面積。

在這款1TB容量PC005 Active上，搭載了兩顆源于Xtacking架構(gòu)的3D NAND閃存顆粒，單顆容量512GB。

04 性能實測：最大連續(xù)讀取3500MB/S 行業(yè)頂尖水準

Xtacking架構(gòu)和慧榮2246EN的融合，究竟能夠碰撞出什么火花？進入實測階段，下面筆者通過連續(xù)性能、4K隨機、以及寫入穩(wěn)定性等三個維度，進行產(chǎn)品的實測。

在連續(xù)性能測試中，我們引入CrystalDiskMark/ATTO/Txbench等三個軟件，分別進行測試，最終匯總進行交叉比對，最大限度的反映出PC005 Active的真實性能。

CrystalDiskMark測試

ATTO測試

Txbench測試

通過CrystalDiskMark/ATTO/Txbench三個軟件的交叉測試，我們可以看到，PC005 Active 1TB版本的最大連續(xù)讀取速度，基本能夠達到3500MB/S的標稱水準，至于最大連續(xù)寫入速度則能維持在2900MB/S左右；相較于512GB版本，在絕對數(shù)值上，有著一定的提升，這也比較符合存儲產(chǎn)品容量越大，性能相對越強的基本規(guī)律。

在4K隨機性能測試中，我們依舊采用AS SSD benchmark，和連續(xù)性能測試不同，4K隨機測試，主要用于驗證固態(tài)硬盤在面對細碎文件，零散任務(wù)時的并發(fā)性能，這對于普通用戶而言，更具有參考價值和意義。

4K隨機性能測試

通過測試，PC005 Active 1TB版本的最大隨機讀取速度到達319,000+iops，最大隨機寫入速度也到達364,000+iops，這樣的性能，足以應(yīng)付日常生活中碎片文件以及零散任務(wù)的存儲需求。

最后，在寫入穩(wěn)定性測試上，我們使用老牌存儲軟件HD Tune Pro，這是一款能夠綜合衡量存儲產(chǎn)品性能的經(jīng)典軟件。此次的寫入穩(wěn)定性測試，我們將連續(xù)寫入50GB左右數(shù)據(jù)量，模擬日常生活的實際操作，通過軟件記錄寫入性能的變化曲線，以驗證PC005 Active 1TB版本的寫入邏輯和緩存機制，更真實展現(xiàn)PC005 Active 1TB版本的性能表現(xiàn)。

HD Tune Pro

從測試結(jié)果上，我們可以看到，在寫入量達到6GB之前，PC005 Active 1TB版本一直維持在高水準；當超過6GB之后，PC005 Active 1TB版本的速度出現(xiàn)偏移和降速，然后一直維系在穩(wěn)定的數(shù)值，直至測試完成。這里，我們可以得到兩個關(guān)鍵結(jié)果，一是PC005 Active 1TB版本采用了SLC緩存機制，其緩存容量大致為6GB；二是，后半段穩(wěn)定的寫入速度，展示了PC005 Active 1TB版本的強悍穩(wěn)定性，能夠安全穩(wěn)定的完成大容量的寫入任務(wù)，這對于用戶而言，是相當具有參考價值和意義的。

05 總結(jié)：高性能高耐久  PC005 Active 1TB版本未來可期

從外觀到測試，PC005 Active 1TB版本相較于512GB的升級還是肉眼可見的，無論是緩沖容量的倍增，還是640TBW保修設(shè)計，都彰顯了致鈦對于旗艦產(chǎn)品設(shè)計的考究。

至于在性能上，1TB的PC005 Activ的最大讀取性能已然達到3500MB/S，幾乎是PCIe3.0時代的性能天花板，足以應(yīng)付消費級市場各種復(fù)雜的存儲場景。

未來可期

兼具高耐久和高性能的致鈦PC005 Activ 1TB版本，未來可期。

目前，這款產(chǎn)品已經(jīng)全面上架各大電商平臺，對于高性能存儲有需求的朋友，可以考慮入手了。

本文轉(zhuǎn)載自http://diy.zol.com.cn/755/7553586.html

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