主板
　　之所以把這東西放在第一位，是因為作為它太重要。 我們常見的主板是ATX主板。它是采用印刷電路板（PCB）制造而成。是在一種絕緣材料上采用電子印刷工藝制造的。市場上主要有4層板與6層板二種。常見的都是4層板。用6層PCB板設計的主板不易變形，穩(wěn)定性大大提高。如果你有幸買到了6層板，那可絕對超值??！哈！在主板的每層都布滿了電路，所以，如果PCB板燒壞，比較輕的憑借我們工程師高超的技術(shù)，可以通過搭明線維修，比較嚴重的話，這片主板的生命也就到此結(jié)束了！ 主板上面的零件看起來眼花繚亂，可他們都是非常有條有理的排列著。主要包括一個CPU插座；北橋芯片、南橋芯片、BIOS芯片等三大芯片；前端系統(tǒng)總線FSB、內(nèi)存總線、圖形總線AGP、數(shù)據(jù)交換總線HUB、外設總線PCI等五大總線；軟驅(qū)接口FDD、通用串行設備接口USB、集成驅(qū)動電子設備接口IDE等七大接口。 一、主板上的主要芯片 1、 北橋芯片　MCH　在CPU插座的左方是一個內(nèi)存控制芯片，也叫北橋芯片、一般上面有一鋁質(zhì)的散熱片。北橋芯片的主要功能是數(shù)據(jù)傳輸與信號控制。它一方面通過前端總線與CPU交換信號，另一方面又要與內(nèi)存、AGP、南橋交換信號。北橋芯片壞了以后的現(xiàn)象多為不亮，有時亮后也不斷死機。如果工程師判定你的北橋芯片壞了，再如果你的主板又比較老的話，基本上就沒有什么維修的價值了 2、 南橋芯片　ICH4　南橋芯片主要負責外部設備的數(shù)據(jù)處理與傳輸。比ICH4早的有ICH1、ICH2、ICH3，但它不支持USB2.0　。而ICH4支持USB2.0　。區(qū)分它們也很簡單：南橋芯片上有82801AB　82801BB　82801CB　82801DB　分別對應ICH1　ICH2　ICH3　ICH4　。南橋芯片壞后的現(xiàn)象也多為不亮，某些外圍設備不能用，比如IDE口、FDD口等不能用，也可能是南橋壞了。因為南北橋芯片比較貴，焊接又比較特殊，取下它們需要專門的BGA儀，所以一般的維修點無法修復南北橋。 3、 BIOS芯片　FWH　它是把一些直接的硬件信息固化在一個只讀存儲器內(nèi)。是軟件和硬件之間這重要接口。系統(tǒng)啟動時首先從它這里調(diào)用一些硬件信息，它的性能直接影響著系統(tǒng)軟件與硬件的兼容性。例如一些早期的主板不支持大于二十G的硬盤等問題，都可以通過升級BIOS來解決。我們?nèi)粘１阌脮r遇到的一些與新設備不兼容的問題也可以通過升級來解決。如果你的主板突然不亮了，而CPU風扇仍在轉(zhuǎn)動，那么你首先應該考慮BIOS芯片是否損壞。 4、 系統(tǒng)時鐘發(fā)生器　CLK　在主板的中間位置有個晶振元件，它會產(chǎn)生一系列高頻脈沖波，這些原始的脈沖波再輸入到時鐘發(fā)生器芯片內(nèi)，經(jīng)過整形與分頻，然后分配給計算機需要的各種頻率。 5、 超級輸入輸出接口芯片　I/O 它一般位于主板的左下方或左上方，主要芯片有Winbond 與ITE，它負責把鍵盤、鼠標、串口進來的串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為并行數(shù)據(jù)。同時也對并口與軟驅(qū)口的數(shù)據(jù)進行處理。在我們的維修現(xiàn)場，諸如鍵盤與鼠標口壞，打印口壞等一些外設不能用，多為I/O芯片壞，有時甚至造成不亮的現(xiàn)象。 6、 聲卡芯片　因為現(xiàn)在的主板多數(shù)都集成了聲卡，而且集成的多為AC’97聲卡芯片。當然，也有CMI的8738聲卡芯片等。如果你的集成聲卡沒有聲音，這兒壞了的可能性最大。 二、主板上主要的插座
　　　　1、CPU插座　　目前所有的主板都采用了socket系列零拔力插座。早期的P3采用的socket370插座，現(xiàn)在的P4多采用socket478 插座，早期的P4也有采用socket423插座的，intel 的服務器CPU　如：至強（Xeon）則采用了socket603插座。Intel　對CPU封裝格式的不斷變化讓我們這些fan 們給他送了不少錢?。〔贿^近日聽說intel下一代CPU的封裝格式還是采用socket478的格式，這對于不斷追求性能的DIYer們來說可是一個好消息啊。
　　　　2、內(nèi)存總線插座　現(xiàn)在市場上我們能見到的內(nèi)存有SDRAM、DDR　SDRAM、RAMBUS三種。SDRAM內(nèi)存由于DDR內(nèi)存的價格下調(diào)已經(jīng)逐漸淡出市場，它采用168線插座，中間與左邊有兩個防反插斷口；DDR　SDRAM由于非常高的性價比已經(jīng)成為市場的主流。它采用184線插座，在中間只有一個防反插斷口；RAMBUS內(nèi)存雖然性能好，但是價格一直高踞不下，加上intel已經(jīng)放棄了對它的支持，所以它的前途至今還只是一個懸念！它的插座采用184線RIMM插座，是在中間有兩個防反插斷口。 有些客戶多次反映在845主板上有時內(nèi)存認不全的現(xiàn)象，這是因為Iintel 845系列主板只能支持4個Bank (一個Bank可以理解為內(nèi)存條的一面)，在845系列主板上一般設有三個內(nèi)存插槽，而第二個插槽與第三個插槽共享二個Bank。所以，如果你在第二個與第三個插槽插的內(nèi)存條為雙面的256M，那么就只能認到一個256M。 3、AGP圖形總線插座　它位于CPU插座的左邊，呈棕色。它的頻率為64MHZ。從速度上分為AGP2X，現(xiàn)在的多為AGP4X,也有一些主板已經(jīng)支持AGP8X。由于不同的速度所需要的電壓不同，所以一些主板不亮主要是用戶把老的AGP2X顯卡插在的新的AGP2X主板上，從而把AGP插座燒壞！令人欣慰的是一些新的主板已經(jīng)在主板上集成了電壓自動調(diào)節(jié)裝置，它可以自動識別顯卡的電壓。
　　　　4、PCI總線插座　　它呈現(xiàn)為白色，在AGP插座的旁邊，因主板不同，多少不等。它的頻率為32MHZ。多插網(wǎng)卡，聲卡等其它一些外設。 5、IDE設備接口　它一般位于主板的下面。有四十針八十線。兩個IDE口并在一起，有時一個呈綠色，表示它為IDE1。因為系統(tǒng)首先檢測IDE1，所以IDE1應該接系統(tǒng)引導硬盤。現(xiàn)在的主板多已支持ATA100，有得支持ATA133，但更高端的主板已經(jīng)支持串行ATA，它是在并行傳輸速率無法進一步提高的情況下出現(xiàn)的一種新的、具有更高傳輸速度的技術(shù)，也將是下一代的主流技術(shù)。 一口氣說了這么多，我已經(jīng)口干舌燥了，大家再看看自己的主板，是不是感覺它比以前熟悉了多了？哈哈!我們也到說再見的時候了，即然今天說主板，那么我就再說一個關(guān)于主板的消息吧，我們技服中心近日接受了一批維修的板子，我們的工程師維修起來特別困難，后來經(jīng)知情人士指點，才發(fā)現(xiàn)這批主板的PCB板邊緣都有一個針眼大小的缺口。不仔細看根本分辨不出來。大家可不要小看這個小口中，它是聯(lián)想對報廢主板打的專門的印記！我們居然修復了好多片，我都不得不??服我們的技術(shù)水平了！這可不是自夸的喲！所以，大家買二手主板時可一定要小心??！
　　
　CPU
　　　　主要談談頻率。 1.凡是懂得點電腦的朋友，都應該對'頻率'兩個字熟悉透了吧！作為機器的核心CPU的頻率當然是非常重要的，因為它能直接影響機器的性能。那么，您是否對CPU頻率方面的問題了解得很透徹呢？ 所謂主頻，也就是CPU正常工作時的時鐘頻率，從理論上講CPU的主頻越高，它的速度也就越快，因為頻率越高，單位時鐘周期內(nèi)完成的指令就越多，從而速度也就越快了。但是由于各種CPU內(nèi)部結(jié)構(gòu)的差異（如緩存、指令集），并不是時鐘頻率相同速度就相同，比如PIII和賽揚，雷鳥和DURON，賽揚和DURON，PIII與雷鳥，在相同主頻下性能都不同程度的存在著差異。目前主流CPU的主頻都在600MHz以上，而頻率最高（注意，并非最快）的P4已經(jīng)達到1.7GHz，AMD的雷鳥也已經(jīng)達到了1.3GHz，而且還會不斷提升。
　　　　在486出現(xiàn)以后，由于CPU工作頻率不斷提高，而PC機的一些其他設備（如插卡、硬盤等）卻受到工藝的限制，不能承受更高的頻率，因此限制了CPU頻率的進一步提高。因此，出現(xiàn)了倍頻技術(shù)，該技術(shù)能夠使CPU內(nèi)部工作頻率變?yōu)橥獠款l率的倍數(shù)，從而通過提升倍頻而達到提升主頻的目的。因此在486以后我們接觸到兩個新的概念--外頻與倍頻。它們與主頻之間的關(guān)系是外頻X倍頻=主頻。一顆CPU的外頻與今天我們常說的FSB（Front side bus，前端總線）頻率是相同的（注意，是頻率相同），目前市場上的CPU的外頻主要有66MHz（賽揚系列）、100MHz（部分PIII和部分雷鳥以及所有P4和DURON）、133MHz（部分PIII和部分雷鳥）。值得一提的是，目前有些媒體宣傳一些CPU的外頻達到了200MHz（DURON）、266MHz（雷鳥）甚至400MHz（P4），實際上是把外頻與前端總線混為一談了，其實它們的外頻仍然是100MHz和133MHz，但是由于采用了特殊的技術(shù)，使前端總線能夠在一個時鐘周期內(nèi)完成2次甚至4次傳輸，因此相當于將前端總線頻率提升了好幾倍。不過從外頻與倍頻的定義來看，它們的外頻并未因此而發(fā)生改變，希望大家注意這一點。今天外頻并未比當初提升多少，但是倍頻技術(shù)今天已經(jīng)發(fā)展到一個很高的階段。以往的倍頻都只能達到2-3倍，而現(xiàn)在的P4、雷鳥都已經(jīng)達到了10倍以上，真不知道以后還會不會更高。眼下的CPU倍頻一般都已經(jīng)在出廠前被鎖定（除了部分工程樣品），而外頻則未上鎖。部分CPU如AMD的DURON和雷鳥能夠通過特殊手段對其倍頻進行解鎖，而INTEL產(chǎn)CPU則不行。
　　　　由于外頻不斷提高，漸漸地提高到其他設備無法承受了，因此出現(xiàn)了分頻技術(shù)（其實這是主板北橋芯片的功能）。分頻技術(shù)就是通過主板的北橋芯片將CPU外頻降低，然后再提供給各插卡、硬盤等設備。早期的66MHz外頻時代是PCI設備2分頻，AGP設備不分頻；后來的100MHz外頻時代則是PCI設備3分頻，AGP設備2/3分頻（有些100MHz的北橋芯片也支持PCI設備4分頻）；目前的北橋芯片一般都支持133MHz外頻，即PCI設備4分頻、AGP設備2分頻?？傊?，在標準外頻（66MHz、100MHz、133MHz）下北橋芯片必須使PCI設備工作在33MHz，AGP設備工作在66MHz，才能說該芯片能正式支持該種外頻。
　　　　最后再來談談CPU的超頻。CPU超頻其實就是通過提高外頻或者倍頻的手段來提高CPU主頻從而提升整個系統(tǒng)的性能。超頻的歷史已經(jīng)很久遠（其實也就幾年），但是真正為大家所喜愛則是從賽揚系列的出產(chǎn)而開始的，其中賽揚300A超450、366超550直到今天還為人們所津津樂道。而它們就是通過將賽揚CPU的66MHz外頻提升到100MHz從而提升了CPU的主頻。而早期的DURON超頻則與賽揚不同，它是通過破解倍頻鎖然后提升倍頻的方式來提高頻率?？偟目磥?，超倍頻比超外頻更穩(wěn)定，因為超倍頻沒有改變外頻，也就不會影響到其他設備的正常運作；但是如果超外頻，就可能遇到非標準外頻如75MHz、83MHz、112MHz等，這些情況下由于分頻技術(shù)的限制，致使其他設備都不能工作在正常的頻率下，從而可能造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)硬盤數(shù)據(jù)丟失、嚴重的可能損壞。因此，筆者在這里告誡大家：超頻雖有好處，但是也十分危險，所以請大家慎重超頻！
　　　　2.關(guān)于超頻 如果是AMD的CPU要超的話就了解一下他的頻率極限吧
　　　　AMD在不久前發(fā)布了它們?nèi)碌腁thlon XP處理器，其頻率分別顯XP1500 ，1600 ，1700 和1800 。為了對抗Intel Pentium4處理器，Athlon XP重新采用了PR值（性能指數(shù)）來標稱處理器，而Ahlon XP1600 意味著擁有與Pentium 4 1600MHz相同的性能。
　　　　Athlon XP采用了全新基于0.18微米制程的Palonmino核心，其核心面積由雷鳥的120mm2增加為128mm2。而封裝方式也變?yōu)轭愃艶C-PGA PentiumIII的OPGA封裝。AMD宣稱在采用新核心后 Athlon XP的發(fā)熱量將較同頻的雷鳥低20%。而更低的散熱量，自然也就意味著更強勁的超頻性能。
　　　　所以，我們決定測試一下Athlon XP的超頻能力。我們選擇了性價比較好的Athlon XP 1600 。它比1800 要便宜許多，但超頻能力似乎可以達到1900Mhz以上。
　　　　Athlon XP同樣有與雷鳥類似的L1橋路，不過已被激光切斷，要想超頻，首先必須將L1橋路重新相連。具體連接橋路的方式可以參見本站相關(guān)文章。由于處理器默認電壓為1.75v，要更好的發(fā)揮處理器的超頻極限，這需要一塊具備電壓調(diào)節(jié)功能的主板。我們采用了磐英8K7A和8KHA 進行了對比，盡管8K7A在調(diào)節(jié)方式上較不便，但超頻性能卻好于新的8KHA 。
　　　　在解頻之后，我們首先將倍頻設置為6，然后將外頻設置為最高，在8K7A下，我們將處理器超至最高200MHz（400MHz DDR）外頻，通過200MHz外頻下的內(nèi)存性能測試，我們可以看出超頻后的內(nèi)存帶寬已經(jīng)超出AMD760芯片40%左右。
　　　　剛才的測試僅僅只是風冷狀態(tài)下的結(jié)果，這不過是個開始，接下來我們將在極限致冷環(huán)境下測試處理器的超頻極限。安裝上水冷器后。我們將電壓調(diào)至2.1v。而VDDR調(diào)至2.9v。
　　　　測試結(jié)果令人驚嘆，我們最終將處理器穩(wěn)定于178MHz外頻下，此時頻率已高達1873.89MHz。
　　　　雖然我們希望能突破1900MHz的障礙，但沒有成功。同時我們也發(fā)現(xiàn)主板對于Athlon XP的超頻也致關(guān)重要，雖然8KHA 采用更新的芯片組并擁有更好的性能，但在超頻能力方面卻不如其前輩8K7A。而新核心的Athlon XP超頻能力，也得到了驗證。
　　內(nèi)存
　　　　1.內(nèi)存的基礎(chǔ)知識 RAM技術(shù)詞匯
　　　　CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器 CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器 DRAM-Dynamic RAM——動態(tài)存儲器 EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態(tài)存儲器 EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器 EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式靜態(tài)存儲器 EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式視頻存儲器 FPM-Fast Page Mode——快速頁模式 FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器 SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態(tài)存儲器 SRAM-Static RAM——靜態(tài)存儲器 SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器 3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器 VRAM-Video RAM——視頻存儲器 WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優(yōu)于VRAM) MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態(tài)存儲器 SGRAM-Signal RAM——單口存儲器
　　　　存儲器有哪些主要技術(shù)指標
　　　　存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、 MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一 個字節(jié)(Byte)，可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。 根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器內(nèi)。各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。因為結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等.存儲器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述。
　　　　存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內(nèi)存)容量在幾十K到幾十M字節(jié)左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。 存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。 存儲器的可*性：存儲器的可*性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可*性越高，即保持正確工作能力越強。 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可*性三項內(nèi)容。性能價格比是一個綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標。
　　　　SDARM能成為下一代內(nèi)存的主流嗎 快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經(jīng)過去。隨著高效內(nèi)存集成電路的出現(xiàn)和為優(yōu)化Pentium 芯片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴 展數(shù)據(jù)輸出(EDO)DRAM。 EDO DRAM采用一種特殊的內(nèi)存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續(xù)地址單元的讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到40MHz。也就是說，與快頁內(nèi)存相比，內(nèi)存性能提高了將近15%～30%，而其制造成本與快頁 內(nèi)存相近。但是EDO內(nèi)存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以后市場上主流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優(yōu)化處理器運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程序以及Windows 95和WindowsNT操作系統(tǒng)對內(nèi)存的要求也越來越高，為緩解 瓶頸，只有采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，以支持高速總線時鐘頻率，而不至于插入指令等待周期。這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘 周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區(qū)別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態(tài)RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內(nèi)存 結(jié)構(gòu)相比，性能\價格比最高，勢必將成為內(nèi)存發(fā)展的主流。 SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～8ns，可將Pentium系統(tǒng)性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。 在去年初許多DRAM生產(chǎn)廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內(nèi)存條，但其成本 較高。現(xiàn)在每一個內(nèi)存生產(chǎn)廠家都在擴建SDRAM生產(chǎn)線。預計到今年底和1998年初，隨著 64M SDRAM內(nèi)存條的大量上市，SDRAM將占據(jù)主導地位。其價格也將大幅下降。 但是SDRAM的發(fā)展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯芯片組的限制。VX 芯片組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內(nèi)存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持SDRAM。 SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內(nèi)存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數(shù)據(jù)帶寬越寬，同時處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信息就越多，顯示質(zhì)量也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙端口視頻內(nèi)存(VRAM)來提高帶寬，但這種內(nèi)存成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。 SDRAM也將應用于共享內(nèi)存結(jié)構(gòu)(UMA)——一種集成主存和顯示內(nèi)存的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)在很 大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內(nèi)存成本極高，而UMA技術(shù)將利用主存作顯示內(nèi)存，不再需要增加專門顯示內(nèi)存，因而降低了成本。
　　　　什么是Flash Memory 存儲器 介紹關(guān)于閃速存儲器有關(guān)知識 近年來，發(fā)展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lash Memory屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4
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#p# MB，同時價格也有所下降。 由于Flash Memory的獨特優(yōu)點，如在一些較新的主板上采用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械磨損，可*性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory芯片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅(qū)動卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態(tài)盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求可*性高，重量輕，但容量不大的便攜式系統(tǒng)中。在586微機中已把BIOS系統(tǒng)駐留在Flash存儲 器中。
　　　　什么是Shadow RAM 內(nèi)存 Shadow RAM也稱為“影子”內(nèi)存。它是為了提高系統(tǒng)效率而采用的一種專門技術(shù)。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片。Shadow RAM 占據(jù)了系統(tǒng)主存的一部分地址空間。其編址范圍為C0000～FFFFF，即為1MB主存中的768KB～1024KB區(qū)域。這個區(qū)域通常也稱為內(nèi)存保留區(qū)，用戶程序不能直接訪問。 Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內(nèi)容?；蛘哒fShadow RAM中的內(nèi)容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow(即Shadow RAM的內(nèi)容是ROM BIOS的“影 子”)。 在機器上電時，將自動地把系統(tǒng)BIOS、顯示BIOS及其它適配器的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區(qū)域中。由于Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM即可，而不必再訪問ROM。 通常訪問ROM的時間在200ns左右，而訪問DRAM的時間小于100ns(最新的DRAM芯片訪問時間為60ns左右或者更小)。在系統(tǒng)運行的過程中，讀取BIOS中的數(shù)據(jù)或調(diào)用BIOS中的程序模塊是相當頻繁的。顯然，采用了Shadow技術(shù)后，將大大提高系統(tǒng)的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB主存地址空間中，640KB以下的區(qū)域是常規(guī)內(nèi)存。640KB～768KB區(qū)域保留為顯示緩沖區(qū)。768KB～1024KB區(qū)域即為Shadow RAM區(qū)。在系統(tǒng)設置中，又把這個區(qū)域按16KB大小的尺寸分為塊，由用戶設定是否允許使 用。 C0000～C7FFF這兩個16KB塊(共32KB ）通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區(qū)。 C8000～EFFFF這10個16KB塊可作為其它適配器的ROM BIOS的Shadow區(qū)。F0000～FFFFF 共64KB規(guī)定由系統(tǒng)ROM BIOS使用。 應該說明的是，只有當系統(tǒng)配置有640KB以上的內(nèi)存時才有可能使用Shadow RAM。在系統(tǒng)內(nèi)存大于640KB時，用戶可在CMOS設置中按照ROM Shadow分塊提示，把超過640KB以上的 內(nèi)存分別設置為“允許”(Enabled)即可。
　　　　什么是EDO RAM 內(nèi)存是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟--CPU幾經(jīng)改朝換代，目前已 發(fā)展到了PentiumⅡ，較之于當初，它在速度上已有兩個數(shù)量級的增長。而內(nèi)存的構(gòu)成器件RAM(隨機存儲器)--一般為DRAM(動態(tài)隨機存儲器)，雖然單個芯片的容量不斷擴大，但存取速度并沒有太大的提高。雖然人們早就采用高速但昂貴的SRAM芯片在CPU和內(nèi)存之間增加一種緩沖設備--Cache，以緩沖兩者之間的速度不匹配問題。但這并不能根本解決問題。于 是人們把注意力集中到DRAM接口(芯片收發(fā)數(shù)據(jù)的途徑上)。 在RAM芯片之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現(xiàn)在，人們已注意到RAM芯片 的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內(nèi)的數(shù)據(jù)流量，即所 謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。 擴展數(shù)據(jù)輸出(Extended data out--EDO，有時也稱為超頁模式--hyper-page-mode)DRAM，和突發(fā)式EDO(Bust EDO-BEDO)DRAM是兩種基于頁模式內(nèi)存的內(nèi)存技術(shù)。EDO大約一年前被 引入主流PC，從那以后成為許多系統(tǒng)廠商的主要內(nèi)存選擇。BEDO相對更新一些，對市場的 吸引還未能達到EDO的水平。 EDO的工作方式頗類似于FPM DRAM：先觸發(fā)內(nèi)存中的一行，然后觸發(fā)所需的那一列。但是當 找到所需的那條信息時，EDO DRAM不是將該列變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)而且關(guān)閉輸出緩沖區(qū)(這是FPM DRAM采取的方式)，而是將輸出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)保持開放，直到下一列存取或下一讀周期開始。由于緩沖區(qū)保持開放，因而EDO消除了等待狀態(tài)，且突發(fā)式傳送更加迅速。 EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發(fā)式讀周期時鐘安排：6-2-2-2。這使得在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數(shù)據(jù)塊時能節(jié)省3個時鐘周期。EDO 易于實現(xiàn)，而且在價格上EDO與FPM沒有什么差別，所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘周期。由于大多數(shù)PC應用程序以四周期突 發(fā)方式訪問內(nèi)存，以便填充高速緩沖內(nèi)存 (系統(tǒng)內(nèi)存將數(shù)據(jù)填充至L2高速緩存，如果沒有 L2高速緩存，則填充至CPU)，所以一旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質(zhì)的改進是在芯片上增加了一個地址計數(shù)器，用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問周期被劃分為兩個部分。對于內(nèi)存讀操作，第一部分負責將數(shù)據(jù)從內(nèi)存陣列中讀至輸出級(第二級鎖存)，第二部分負責從這一鎖存將數(shù)據(jù)總線驅(qū)動至相應的邏輯級別。因為數(shù)據(jù)已經(jīng)在輸出緩沖區(qū)內(nèi)，所以訪問時間得以縮短。BEDO能達到的最大突發(fā)式時鐘安排為5-1-1-1(采用52nsBEDO和66-MHz總線)比優(yōu)化EDO內(nèi)存又節(jié)省 了四個時鐘周期。
　　　　RAM是如何工作的 實際的存儲器結(jié)構(gòu)由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制 等邏輯電路構(gòu)成。當CPU要從存儲器中讀取數(shù)據(jù)時，就會選擇存儲器中某一地址，并將該地 址上存儲單元所存儲的內(nèi)容讀走。 早期的DRAM的存儲速度很慢，但隨著內(nèi)存技術(shù)的飛速發(fā)展，隨后發(fā)展了一種稱為快速頁面 模式(Fast Page Mode)的DRAM技術(shù)，稱為FPDRAM。FPM內(nèi)存的讀周期從DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置的第一列并觸發(fā)，該位置即包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息需要被證實是否有效，然后還需要將數(shù)據(jù)存至系統(tǒng)。一旦發(fā)現(xiàn)第一條正確信息，該列即被變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為在該列為非觸發(fā)狀態(tài)時不會發(fā)生任何事情(CPU必須等待內(nèi)存完成一個周期)。直到下一周期開始或下一條信息被請求時，數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)才被關(guān)閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數(shù)據(jù)所放位置相鄰時，就觸發(fā)數(shù)據(jù)所在行的下一列。下一列的觸發(fā)只有在內(nèi)存中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。 從50納秒FPM內(nèi)存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發(fā)式周期(6個時鐘周期用于讀取第一個數(shù)據(jù)元素，接下來的每3個時鐘周期用于后面3個數(shù)據(jù)元素)。第一個階段包含用于讀取觸發(fā)行列所需要的額外時鐘周期。一旦行列被觸發(fā)后，內(nèi)存 就可以用每條數(shù)據(jù)3個時鐘周期的速度傳送數(shù)據(jù)了。 FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現(xiàn)了EDO RAM和SDRAM等新型高速的內(nèi)存芯片。
　　介紹處理器高速緩存的有關(guān)知識
　　　　所謂高速緩存，通常指的是Level 2高速緩存，或外部高速緩存。L2高速緩存一直都屬于 速度極快而價格也相當昂貴的一類內(nèi)存，稱為SRAM(靜態(tài)RAM)，用來存放那些被CPU頻繁使 用的數(shù)據(jù)，以便使CPU不必依賴于速度較慢的DRAM。 最簡單形式的SRAM采用的是異步設計，即CPU將地址發(fā)送給高速緩存，由緩存查找這個地 址，然后返回數(shù)據(jù)。每次訪問的開始都需要額外消耗一個時鐘周期用于查找特征位。這樣，異步高速緩存在66MHz總線上所能達到的最快響應時間為3-2-2-2，而通常只能達到4-2-2-2。同步高速緩存用來緩存?zhèn)魉蛠淼牡刂?，以便把按地址進行查找的過程分配到兩個或更多個時鐘周期上完成。SRAM在第一個時鐘周期內(nèi)將被要求的地址存放到一個寄存器中。在第二個時鐘周期內(nèi)，SRAM把數(shù)據(jù)傳送給CPU。由于地址已被保存在一個寄存器中，所以接下來同步SRAM就可以在CPU讀取前一次請求的數(shù)據(jù)同時接收下一個數(shù)據(jù)地址。這樣，同步SRAM可以不必另花時間來接收和譯碼來自芯片集的附加地址，就“噴出”連續(xù)的數(shù)據(jù)元素。優(yōu)化 的響應時間在66MHz總線上可以減小為2-1-1-1。 另一種類型的同步SRAM稱為流水線突發(fā)式(pipelined burst)。流水線實際上是增加了一個 用來緩存從內(nèi)存地址讀取的數(shù)據(jù)的輸出級，以便能夠快速地訪問從內(nèi)存中讀取的連續(xù)數(shù)據(jù)，而省去查找內(nèi)存陣列來獲取下一數(shù)據(jù)元素過程中的延遲。流水線對于順序訪問模式，如高速 緩存的行填充(linefill)最為高效。
　　　　什么是ECC內(nèi)存 ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的縮寫，它代表具有自動糾錯功能的內(nèi)存。目前的ECC存儲器一般只能糾正一位二進制數(shù)的錯誤。 Intel公司的82430HX芯片組可支持ECC內(nèi)存，所以采用82430HX芯片的主板一般都可以安裝使用ECC內(nèi)存，由于ECC內(nèi)存成本比較高，所以它主要應用在要求系統(tǒng)運算可*性比較高 的商業(yè)計算機中。由于實際上存儲器出錯的情況不會經(jīng)常發(fā)生，所以一般的家用計算機不必采用ECC內(nèi)存，還有不少控制電路芯片不能支持ECC內(nèi)存，所以有不少主機是不宜安裝ECC內(nèi)存的，用戶應注 意對ECC內(nèi)存不要盲從。
　　　　SDRAM能與EDO RAM混用嗎 SDRAM是新一代的動態(tài)存儲器，又稱為同步動態(tài)存儲器或同步DRAM。它可以與CPU總線使用 同一個時鐘，而EDO和FPM存儲器則與CPU總線是異步的。目前SDRAM存儲器的讀寫周期一般為5-1-1-1。相比之下，EDO內(nèi)存器一般為6-2-2-2。也就是說，SDRAM的讀寫周期比EDO少4個，大約節(jié)省存儲器讀寫時間28%，但實際上由于計算機內(nèi)其它設備的制約，使用 SDRAM的計算機大約可提高性能5～10%。 雖然有不少主機支持SDRAM與EDO內(nèi)存混合安裝方式，但是最好不要混用。原因是多數(shù)SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO內(nèi)存則多數(shù)在5V下工作。雖然主機板上對DIMM和SIMM分別供電，但它們的數(shù)據(jù)線總是要連在一起的，如果SIMM(72線內(nèi)存)與DIMM(168線SDRAM)混用，盡管開始系統(tǒng)可以正常工作，但可能在使用一段時間后，會造成SDRAM的數(shù)據(jù)輸入端 被損壞。 當然，如果你的SDRAM是寬電壓(3V～5V)工作的產(chǎn)品，就不會出現(xiàn)這種損壞情況。目前T1和SUMSUNG的某些SDRAM產(chǎn)品支持寬電壓工作方式，可以與EDO內(nèi)存混用。
　　　　高速緩存--Cache 介紹Cache的分級 隨著CPU的速度的加快，它與動態(tài)存儲器DRAM配合工作時往往需要插入等待狀態(tài)，這樣難以發(fā)揮出CPU的高速度，也難以提高整機的性能。如果采用靜態(tài)存儲器，雖可以解決該問題，但SRAM價格高。在同樣容量下，SARM的價格是DRAM的4倍。而且SRAM體積大，集成 度低。為解決這個問題，在386DX以上的主板中采用了高速緩沖存儲器--Cache技術(shù)。其基本思想是用少量的SRAM作為CPU與DRAM存儲系統(tǒng)之間的緩沖區(qū)，即Cache系統(tǒng)。80486以及更高檔微處理器的一個顯著特點是處理器芯片內(nèi)集成了SRAM作為Cache，由于這些Cache裝在芯片內(nèi)，因此稱為片內(nèi)Cache。486芯片內(nèi)Cache的容量通常為8K。高檔芯片 如Pentium為16KB，PowerPC可達32KB。Pentium微處理器進一步改進片內(nèi)Cache，采用數(shù)據(jù)和雙通道Cache技術(shù)，相對而言，片內(nèi)Cache的容量不大，但是非常靈活、方便，極大地提高了微處理器的性能。片內(nèi)Cache也稱為一級Cache。由于486，586等高檔處理器的時鐘頻率很高，一旦出現(xiàn)一級Cache未命中的情況，性能將 明顯惡化。在這種情況下采用的辦法是在處理器芯片之外再加Cache，稱為二級Cache。二級Cache實際上是CPU和主存之間的真正緩沖。由于系統(tǒng)板上的響應時間遠低于CPU的速度，如果沒有二級Cache就不可能達到486，586等高檔處理器的理想速度。二級Cache的容量通常應比一級Cache大一個數(shù)量級以上。在系統(tǒng)設置中，常要求用戶確定二級Cache是否安裝及尺寸大小等。二級Cache的大小一般為128KB、256KB或512KB。在486以上檔次的微機中，普遍采用256KB或512KB同步Cache。所謂同步是指Cache和CPU采用了相同的時鐘周期，以相同的速度同步工作。相對于異步Cache，性能可提高30% 以上。
　　　　什么是CACHE存儲器 所謂Cache，即高速緩沖存儲器，是位于CPU和主存儲器DRAM(Dynamic RAM)之間的規(guī)模較 小的但速度很高的存儲器，通常由SRAM組成。SRAM(Static RAM)是靜態(tài)存儲器的英文縮寫。由于SRAM采用了與制作CPU相同的半導體工藝，因此與動態(tài)存儲器DRAM比較，SRAM 的存取速度快，但體積較大，價格很高。由于動態(tài)RAM組成的主存儲器的讀寫速度低于CPU 的速度，而CPU每執(zhí)行一條指令都要訪問一次或多次主存，所以CPU總是要處于等待狀態(tài)，嚴重地降低了系統(tǒng)的效率。采用Cache之后，在Cache中保存著主存儲器內(nèi)容的部分副本，CPU在讀寫數(shù)據(jù)時，首先訪問Cache。由于Cache的速度與CPU相當，因此CPU就能在零等待狀態(tài)下迅速地完成數(shù)據(jù)的讀寫。只有Cache中不含有CPU所需的數(shù)據(jù)時，CPU才去訪問主存。CPU在訪問Cache時找到所需的數(shù)據(jù)稱為命中，否則稱為未命中。因此，訪問Cache的命中率則成了提高效率的關(guān)鍵。而提高命中率則取決于Cache存儲器的映象方式和Cache內(nèi) 容替換的算法等一系列因素。
　　對內(nèi)存擴容時應遵循哪些規(guī)則
　　　　對內(nèi)存擴充容量時，應遵循下面的一些規(guī)則： 1.對大多數(shù)PC機來說，不能在同一組Bank內(nèi)(每組包括兩到四個插座)將不同大小的SIMM條混合在一起。很多PC機都可安裝不同容量的SIMM，但裝在PC機同一組中的所有SIMM必須具有相同的容量，例如，對一個四插槽組來說，PC機一般既可接受1MB的SIMM條，也可 接受4MB的SIMM條，可在該組的每個槽內(nèi)安裝1MB SIMM，則這一組共可容納4MB內(nèi)存。也 可在該組每個槽內(nèi)安裝4MB SIMM，則這一組共可容納16MB內(nèi)存。但是，不能為了得到10MB內(nèi)存，在兩個槽內(nèi)插入1MB的SIMM條，而在另兩個槽中插入4MB的SIMM條。
　　　　2.對于很多PC機來說，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使它們的容量相同也會帶來麻煩。例如，計算機中已有運行速度為60納秒(ns)的4MB內(nèi)存，而文檔中說70ns的SIMM也能工作。如果在母板的空閑內(nèi)存槽中再插入速度為70ns的SIMM條，機器會拒絕引導或在啟動后不久就陷于崩潰。對于某些機器來說，若把速度低的SIMM放至第一組，則可解決速度 混合問題。計算機會按最低速度存取，剩余部分不會再有用。
　　　　3.對于大多數(shù)PC機來說，必須將一組的所有插槽都插滿?；蛘邔⒁唤M全部置空(當然第一組 不行)。在一組中不能只裝一部分。
　　　　4.PC機可接受的SIMM大小有一個上限(最大值可從PC機說明書中找到。若沒有說明書，唯 一的方法就是從實踐中找到最大值了)。何謂30線、72線、168線內(nèi)存條 內(nèi)存條；30線；72線；168線 介紹30線、72線、168線內(nèi)存條的有關(guān)知識及相互之間的區(qū)別條形存儲器是把一些存儲器芯片焊在一小條印制電路板上做成的，即稱之為內(nèi)存條，所謂內(nèi)存條線數(shù)即引腳數(shù)，按引腳數(shù)不同可把內(nèi)存條分為30線的內(nèi)存條、72線的內(nèi)存條(SIMM， 即Sigle inline Memory Modale)和168線的內(nèi)存條(DIMM，即Double inline Memory Module)。內(nèi)存條的引腳數(shù)必須與主板上內(nèi)存槽的插腳數(shù)相匹配，內(nèi)存條插槽也有30線、72 線和168線三種。30線內(nèi)存條提供8位有效數(shù)據(jù)位。常見容量有256KB、1MB和4MB。72線的內(nèi)存條體積稍大，提供32位的有效數(shù)據(jù)位。常見容量有4MB、8MB、16MB和32MB。按下按鍵你可以看到72線內(nèi)存條的外觀形狀。 168線的內(nèi)存條體積較大，提供64位有效數(shù)據(jù)位。
　　　　如何識別Cache存儲器芯片標志 目前微機系統(tǒng)中，常用的靜態(tài)RAM的容量有8K×8位(64Kbit)、32K×8(256Kbit)位以及64K×8(512Kbit)位三種芯片，存取時間(周期)為15ns到30ns。以上參數(shù)在靜態(tài)SRAM芯片上常標注為：XX64-25(XX65-25)、XX256-15(XX257-15)、XX512-15等。以XX256-15為例，其中“256”表示容量(單位為Kbit)，“15”表示存取時間(單位為 ns)。在表示SRAM存儲器容量的數(shù)值中，“64”與“65”相同，都表示該芯片的容量為64Kbit，即8KB。同理，“256”與“257”的含義也相同，即該芯片的容量為32KB。例如在華碩PVI686SP3主板上使用的SRAM芯片為W24257AK-15，即該芯片的容量為32K×8位，存取速 度為15ns。
　　　　如何用軟件的方法檢測Cache？ 檢測；高速緩存；Cache 介紹用軟件檢測Cache的方法 ,主板上Cache的大小和有無很難用一般方法判斷，尤其是有的主板連BIOS都被不法經(jīng)銷商修改過以方便作假。486時代常用的拔插法現(xiàn)在也不靈了——奔騰主板上很多標稱256K的Cache芯片都是直接SMT(表面安裝)上去的，無法拔插。測試Cache的軟件確實有一些，如 CCT等，但普通用戶很難得到這些專業(yè)軟件。
　　　　2.分類認識內(nèi)存
　　　　內(nèi)存作為微型計算機的重要部件之一，已從早期的普通內(nèi)存，發(fā)展到目前的同步動態(tài)內(nèi)存，還有越來越廣泛地應用于多媒體領(lǐng)域的RDRAM與后來的SDRAM Ⅱ、DDR RAM。
　　　　內(nèi)存大致的分類情況如下：
　　　　1.FPM(Fast Page Mode)
　　　　FPM(快頁模式)是較早的個人計算機普遍使用的內(nèi)存，它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。現(xiàn)在已很少見到使用這種內(nèi)存的計算機系統(tǒng)了。
　　　　2.EDO(Extended Data Out)
　　　　EDO(擴展數(shù)據(jù)輸出)內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯示卡(參閱本書后面的內(nèi)容)。
　　　　注：EDO內(nèi)存條是普通DRAM內(nèi)存的改進型，它比普通內(nèi)存提高速度約10 %左右。當它在完成某一單元信息的讀寫之前，能提前讀寫下一單元的信息，這樣就提高了內(nèi)存的讀寫速度。但只是在普通內(nèi)存的基礎(chǔ)上改進了它的讀寫方式，但它的讀寫速度卻仍然不夠快，只能達到50ns60ns之間。對于CPU的幾ns的速度來說，仍然存在著很大的差別。
　　　　這種內(nèi)存流行在486以及早期的奔騰計算機系統(tǒng)中，它有72線和168線之分，采用5V電壓，帶寬32 bit，可用于Intel FX/VX芯片組主板上，所以某些使用奔騰100/133的計算機系統(tǒng)目前還在使用它。不過要注意的是，由于它采用5V電壓，跟下面將要介紹的SDRAM不同（SDRAM為3.3v），兩者混合使用時就會很容易會被燒毀，因此在使用前最好了解一下該主板使用的是3.3v還是5V電壓。
　　　　3.S(Synchronous)DRAM
　　　　SDRAM（同步動態(tài)隨機存儲器）是目前奔騰計算機系統(tǒng)普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。
　　　　注：SDRAM采用的是新型的64位數(shù)據(jù)讀寫形式，內(nèi)存條的引腳為168線，采用雙列直插式的DIMM內(nèi)存條，讀寫速度最高達到了10ns，是目前最快的內(nèi)存芯片，同時也是奔騰
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#p# II和奔騰III計算機系統(tǒng)首選的內(nèi)存條。
　　　　隨著SDRAM的問世，快頁模式(FPM)DRAM被很徹底打入了冷宮。由于高效內(nèi)存集成電路的出現(xiàn)和為優(yōu)化的奔騰CPU運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持， EDO DRAM被廣泛采用了，它采用了一種特殊的內(nèi)存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續(xù)地址單元的讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到 40 MHz。也就是說，因此說與快頁內(nèi)存相比性能提高了將近15%～30%，而其制造成本卻與之相近，但是也只是輝煌了一時，面市的時間將極為短暫，這是為什么呢？因此不久之后市場上主流CPU的主頻高達200 MHz以上。為優(yōu)化CPU的運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66 MHz以上，多媒體應用程序以及Windows 95/97/98和Windows NT操作系統(tǒng)對內(nèi)存的要求也越來越高，為緩解速度不夠的瓶頸只有采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，否則就不能支持高速總線時鐘頻率，而不必于插入指令等待周期，在理論上內(nèi)存的速度需要與CPU頻率同步，即與CPU共享一個時鐘周期的同步動態(tài)內(nèi)存(Synchronous DRAMS)，所以SDRAM應運而生，與其它內(nèi)存結(jié)構(gòu)相比，性能/價格比最高，最終取代了它們成為了內(nèi)存發(fā)展一個時期內(nèi)的主流。
　　　　SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM的速度早就超過了100MHz，存儲時間達到5～ 8ns毫不費力，現(xiàn)在128 MB的SDRAM內(nèi)存條也是大量上市，SDRAM占據(jù)市場的主導地位已是不可否認的事實，其價格也在大幅下降。
　　　　SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的內(nèi)存方面也有廣泛應用。對前者來說，數(shù)據(jù)帶寬越寬，同時處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信息就越多，顯示品質(zhì)也就越高。在此之前的計算機系統(tǒng)還用過可同時讀寫的雙端口視頻內(nèi)存(VRAM)來提高帶寬，但這種內(nèi)存成本高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM仍然還在應用著。但隨著64位顯示卡的上市，帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM還應用了共享內(nèi)存結(jié)構(gòu)(UMA)，這在很大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內(nèi)存成本極高所致，而UMA技術(shù)將利用主存作顯示內(nèi)存，不再需要增加專門顯示內(nèi)存，因而降低了成本。
　　　　注：SDRAM與用作Cache的SRAM是兩個不同的概念，SRAM的全稱是Static RAM(靜態(tài)RAM)，速度雖快，但成本高，不適合做主存。
　　　　4. DDR SDRAM（SDRAM II）
　　　　DDR(Double Data Rage雙數(shù)據(jù)率) 也就是 SDRAMSDRAM II，是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬，如64bit內(nèi)存接口200MHz DDR SDRAM比PC100 SDRAM的內(nèi)存帶寬高一倍，266 MHz DDR SDRAM的內(nèi)存帶寬更是達到了2.12 GB/s。DDR SDRAM比800MHz RDRAM的內(nèi)存帶寬還要高，采用2.5v工作電壓，價格也便宜非常多。過去，DDR SDRAM只是應用在顯示卡上，現(xiàn)在由于DDR SDRAM標準已定制好，所以正有許多主板芯片組支持使用它。不過，第一款支持DDR SDRAM的芯片組并不是Intel推出的。而是由Micron推出的，其名稱為Samurai DDR芯片，其性能的優(yōu)秀性無論是在商業(yè)，還是游戲運行方面都趕得上Intel i840芯片組。但后者提供雙RDRAM通道，可高達3.2 GB/s的內(nèi)存帶寬，比Samurai DDR 266 MHz DDR SDRAM提供的2.12G/秒的內(nèi)存帶寬高出33%，整體性能也要好一些，這其是因為RDRAM的潛伏等待時間要比SDRAM長，所以PC133 SDRAM（參閱下面的內(nèi)容）和DDR SDRAM使得RDRAM在低端和高端系統(tǒng)上的優(yōu)勢全無，而DDR SDRAM更是成為了市場的主流。如，現(xiàn)代電子出品的64MB DDR SDRAM在128 MB內(nèi)存總線，4Mx16顆，工作頻率為333MHz，提供了5.3 GB/s的數(shù)據(jù)帶寬，市場前景不用說了，一定會是不錯的。
　　　　5.RDRAM(Rambus DRAM)
　　　　RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設計的新型DRAM，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。
　　　　6.Flash Memory
　　　　Flash Memory(閃速存儲器)是一種新型半導體存儲器，主要特點是在不加電的情況下長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lash Memory屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型，既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。由于這一獨特優(yōu)點，F(xiàn)lash Memory在一些較新的主板上普遍采用著，以便使得BIOS 升級非常方便，但時也會CIH這樣的計算機病毒以可乘之機，讓許多計算機飽受磨難。
　　　　Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器，但目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械磨損，可*性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力也弱，功耗也大。而Flash Memory集成度高，價格也在逐漸降低，專家們對它的應用前景相當樂觀。
　　　　7.Shadow RAM
　　　　Shadow RAM也稱為“影子內(nèi)存”,是為了提高計算機系統(tǒng)效率而采用的一種專門技術(shù)，所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器，參閱本書后面的內(nèi)容)芯片。Shadow RAM 占據(jù)了系統(tǒng)主存的一部分地址空間。其編址范圍為C0000～FFFFF，即為1MB主存中的 768KB～1024KB區(qū)域。這個區(qū)域通常也稱為內(nèi)存保留區(qū)，用戶程序不能直接訪問。 Shadow RAM的功能就是是用來存放各種ROM BIOS的內(nèi)容。也就是復制的ROM BIOS內(nèi)容，因而又它稱為ROM Shadow，這與Shadow RAM的意思一樣，指得是ROM BIOS的“影 子”?，F(xiàn)在的計算機系統(tǒng)，只要一加電開機，BIOS信息就會被裝載到Shadow RAM中的指定區(qū)域里。由于Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM而不必再訪問ROM，這就能大大加快計算機系統(tǒng)的運算時間。通常訪問ROM的時間在200ns左右，訪問DRAM的時間小于100ns、60ns，甚至更短。
　　　　在計算機系統(tǒng)運行期間，讀取BIOS中的數(shù)據(jù)或調(diào)用BIOS中的程序模塊的操作將是相當頻繁的，采用了Shadow RAM技術(shù)后，無疑大大提高了工作效率。
　　　　8.ECC內(nèi)存
　　　　ECC(Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting)是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存，Intel的82430HX芯片組就支持它，使用該芯片的主板都可以安裝使用ECC內(nèi)存，但由于ECC內(nèi)存成本比較高，所以主要應用在要求系統(tǒng)運算可*性比較高的商業(yè)計算機中。由于實際上存儲器出錯的情況不會經(jīng)常發(fā)生，相關(guān)的主板產(chǎn)品還不多，一般的家用與辦公計算機也不必采用ECC內(nèi)存。
　　　　9. CDRAM（Cached DRAM）
　　　　CDRAM（Cached DRAM）帶高速緩存動態(tài)隨機存儲器）是日本三菱電氣公司開發(fā)的專有技術(shù)，它通過在DRAM芯片上集成一定數(shù)量的高速SRAM作為高速緩沖存儲器和同步控制接口來提高存儲器的性能。這種芯片使用單一的＋3.3V電源，低壓TTL輸入輸出電平。
　　　　10.DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
　　　　DRDRAM (接口動態(tài)隨機存儲器)是Rambus在Intel支持下制定的新一代RDRAM標準，與傳統(tǒng)DRAM的區(qū)別在于引腳定義會隨命令而變，同一組引腳線可以被定義成地址，也可以被定義成控制線。其引腳數(shù)僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。這種芯片可以支持400MHz外頻，再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數(shù)據(jù)，可以使數(shù)據(jù)傳輸率達到800MHz。同時通過把單個內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)輸出通道從8位擴展成16位，這樣在100MHz時就可以使最大數(shù)據(jù)輸出率達1.6 GB/s。
　　　　11.SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
　　　　SLDRAM(同步鏈接動態(tài)內(nèi)存)是由IBM、惠普、蘋果、NEC、富士通、東芝、三星和西門子等大公司聯(lián)合制定的，一種原本最有希望成為標準高速DRAM的存儲器。這是一種在原DDR DRAM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的高速動態(tài)讀寫存儲器，具有與DRDRAM相同的高數(shù)據(jù)傳輸率，但其工作頻率要低一些，可用于通信、消費類電子產(chǎn)品、高檔的個人計算機和服務器中。不過，由于各種各樣的原因，這種動態(tài)存儲器難以形成氣候。
　　　　12.VCM（Virtual Channel Memory）
　　　　VCM(虛擬通道存儲器)由NEC公司開發(fā)，是一種新興的緩沖式DRAM，可用于大容量的SDRAM。此技術(shù)集成了“通道緩沖”功能，由高速寄存器進行配置和控制。在實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸，讓帶寬增大的同時還維持著與傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。
　　　　13. FCRAM（Fast Cycle RAM）
　　　　FCRAM（快速循環(huán)動態(tài)存儲器）是由富士通和東芝聯(lián)合開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)，數(shù)據(jù)吞吐速度可超過DRAM/SDRAM的4倍，能應用于需要極高內(nèi)存帶寬的系統(tǒng)中，如服務器、3D圖形及多媒體處理等場合，其主要的特點是：行、列地址同時（并行）訪問，而不像普通DRAM那樣首先訪問行數(shù)據(jù)，再訪問列數(shù)據(jù)。此外，在完成上一次操作之前，便開始下一次操作。不過這并用于主內(nèi)存，而是用于諸如顯示內(nèi)存這樣的其他存儲器上
　　顯卡
　　　　對于每一位追求電腦性能的DIY來說，顯卡無疑是最重要的一樣配件。在這個顯卡技術(shù)高速發(fā)展的階段，雖然可選擇的顯卡芯片廠商減少了，但基于相同廠商的顯卡型號卻分得很細，性能也各不相同。其中繁復處可能即便是專業(yè)人員也難以盡述。用戶選擇顯卡的時候?qū)σ恍I(yè)數(shù)據(jù)接觸也多了，簡單點如芯片內(nèi)核頻率、顯存頻率，復雜點如像素填充率、顯存帶寬等。各顯卡品牌在各自的顯卡描述中也有這方面提及，但對于有些方面可能會有故意忽略某些細節(jié)，只提供那些炫目的優(yōu)勢數(shù)據(jù)，用戶沒有完整的了解，這是缺乏公平性的。這里我主要給大家介紹一下顯卡的性能參數(shù)，如何根據(jù)這些參數(shù)確定顯卡的性能，希望你在下次選購顯卡時能更好的選到自已所需的產(chǎn)品。
　　　　首先我們了解一下對于一塊顯卡來說最重要的指標是什么。這里排除顯卡對整個系統(tǒng)顯示性能起決定性作用的包括了CPU、內(nèi)存、主板和驅(qū)動軟件。這樣一個平臺必須處理大量幾何運算，如大家常聽到的T&L即光源和變形處理技術(shù)就需要強勁的浮點運算并占用主存儲器帶寬。如果顯卡不帶硬件T&L功能，這部分任務就全部落在CPU、內(nèi)存和主板組成的工作組上。在圖形幀幅計算時，頂點和紋理通過總線（即PCI或者AGP 1x、2x、4x）傳送至3D卡。
　　　　這時如果這個平臺越快，所傳輸?shù)膸苍蕉?。這些影響顯卡性能的外因并不是我今天想講的，對于顯卡本身最重要的是其芯片提供的像素填充率和它的顯存帶寬。下面讓我們來了解它們：
　　　　像素填充率的最大值為3D時鐘乘以渲染途徑的數(shù)量。如NVIDIA的GeForce 2 GTS芯片，核心頻率為200 MHz，4條渲染管道，每條渲染管道包含2個紋理單元。那么它的填充率就為4x2像素x2億/秒=16億像素/秒。這里的像素組成了我們在顯示屏上看到的畫面，在800x600分辨率下一共就有800x600=480，000個像素，以此類推1024x768分辨率就有1024x768=786，432個像素。我們在玩游戲和用一些圖形軟件常設置分辨率，當分辨率越高時顯示芯片就會渲染更多的像素，因此填充率的大小對衡量一塊顯卡的性能有重要的意義。剛才我們計算了GTS的填充率為16億像素/秒，下面我們看看MX200。它的標準核心頻率為175，渲染管道只有2條，那么它的填充率為2x2像素x1.75億/秒=7億像素/秒，這是它比GTS的性能相差一半的一個重要原因。大家知道了，填充率的大小取決于顯示芯片，目前只要買正規(guī)廠商的顯卡都不會在芯片上有什么機關(guān)，一分錢一分貨，而我下面重點要講的顯存就沒有這么透明了。
　　　　我們在購買顯卡時?？梢钥吹疥P(guān)于顯存的參數(shù)，主要有顯存的速度，以納秒為單位；顯存的工作頻率，以MHz為單位；顯存的數(shù)據(jù)位寬，以bit為單位。這里顯存的速度決定了其工作頻率，如-7.5ns的顯存標準頻率可上133MHz ，-5ns的顯存標準頻率可上200MHz。但在顯卡上有時顯存工作頻率與其速度不成正比，如Geforce3普遍采用3.8ns的DDR顯存，標準應該是263MHz ，因是DDRAM則標準頻率為526MHz，而我們知道Geforce3的顯存標準頻率為460MHz，給用戶預留了很大的超頻空間。而也有顯存速度標為-7ns的，本應為143MHz但卻默認工作頻率為166MHz ；有的顯存速度標為-4.5ns卻不能上222MHz。所以在購買顯卡時單看顯存芯片上標識的速度值并不可*，一定要詢問清楚顯存的默認工作頻率。
　　　　顯存的數(shù)據(jù)位寬是一項經(jīng)常被用戶忽略的參數(shù)，但是其重要性甚至要超過顯存的工作頻率，因為位寬決定了顯存帶寬，而顯存帶寬已經(jīng)成為現(xiàn)在制約顯卡性能的瓶頸。顯示芯片與顯存之間的數(shù)據(jù)交換速度就是顯存的帶寬，單只芯片有強大的處理能力, 但顯存帶寬不高的話 ，顯存將制約著這塊芯片無法達到其設計處理能力。我們把Geforce3的顯存頻率超到500MHz，這時帶寬高達8GB/s，但是在一些復雜圖形環(huán)境一樣會因顯存帶寬不夠而影響到處理速度。在顯卡工作過程中，Z緩沖器、幀緩沖器和紋理緩沖器都會大幅占用顯存帶寬資源。帶寬是3D芯片與本地存儲器傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量標準，這時候顯存的容量并不重要，也不會影響到帶寬，相同顯存帶寬的顯卡采用64MB和32MB顯存在性能上區(qū)別不大。因為這時候系統(tǒng)的瓶頸在顯存帶寬上，當碰到大量像素渲染工作時，顯存帶寬不足會造成數(shù)據(jù)傳輸堵塞，導致顯示芯片等待而影響到速度。目前顯存主要分為64位和128位，在相同的工作頻率下，64位顯存的帶寬只有128位顯存的一半。顯存帶寬的計算方法是帶寬=工作頻率X數(shù)據(jù)位寬/8。這也就是為什么Geforce2 MX200（64位SDR）的性能遠遠不如Geforce2 MX400（128位SDR）的原因了。許多顯卡廣告中對64位顯存避而不談，采用不告知政策，用戶在采購顯卡時應該問清楚這一問題，在相同的頻率下, 16M 128bit的性能可能比32M 64bit還要好的，因為顯存帶寬對于顯卡性能太重要了。對于未來顯卡性能提升，當務之急是要解決顯存的帶寬問題。
　　　　由于現(xiàn)階段內(nèi)存芯片價格極低，許多廠商開始在顯存容量上做文章。采用64MB顯存的顯卡越來越多。不過好像有一款Geforce2 MX400雖用了64MB顯存，但卻不采用MX400標準128位顯存而改用了64位顯存，這樣在性能上不會有提高。個人覺得這種做法有誘騙用戶的成份，以顯存容量吸引用戶，卻不告知用戶關(guān)于性能上的實情，用戶得花比正規(guī)32MB顯卡要多的錢去買他蓄意降低性能迎合市場的產(chǎn)品。但對于這個廠商在成本上也確實要高一些，最終落得雙方均不劃算，這種市場手段太失敗，主要原因是因為策劃者沒有把用戶放在第一位去替他們著想，只顧玩弄市場手段，最后吃虧的還是自已。
　　集成聲卡
　　　　整合技術(shù)是PC發(fā)展的趨勢，目前市場上的一些主板更是將這一特色發(fā)揮地淋漓盡致，那些集成了顯卡、聲卡的主板正大行其道(其中以集成聲卡為最為普遍)。不過，由于認識的誤區(qū)，很多DIYer對集成聲卡并不感興趣，甚至把“集成聲卡”與“劣質(zhì)聲卡”劃等號，或者干脆稱其為“垃圾”，事實果真如此嗎？
　　　　　　一、何謂AC’97 　　自從威盛(VIA)在其MVP3主板芯片中提出了“AC’97聲卡”這個概念，我們便常常在形形色色的主板說明書上見到它，最后也就有了“AC’97軟聲卡”一說。發(fā)展到后來，“AC’97”干脆成了軟聲卡的代名詞?？墒侨绻闳タ纯茨承└邫n聲卡的技術(shù)資料，你就會驚訝地發(fā)現(xiàn)“該卡采用AC’97標準”，難道高檔聲卡也是軟聲卡？要知道這其中的奧妙，還須先認識AC’97規(guī)范(或標準)。
　　　　　　1.AC’97的提出 　　1996年6月，5家PC領(lǐng)域中頗具知名度和權(quán)威性的軟硬件公司共同提出了一種全新思路的芯片級PC音源結(jié)構(gòu)，也就是我們現(xiàn)在所見的“AC’97”標準(Audio Codec97)。
　　　　　　2.什么是AC’97規(guī)范 　　早期的ISA聲卡由于集成度不高，聲卡上散布了大量元器件，后來隨著技術(shù)和工藝水平的發(fā)展，出現(xiàn)了單芯片的聲卡，只用一塊芯片就可以完成聲卡所有的功能。但是由于聲卡的數(shù)字部分和模擬部分集成在一起，很難降低電磁干擾對模擬部分的影響，使得ISA聲卡信噪比并不理想。
　　　　　　AC’97標準則提出“雙芯片”結(jié)構(gòu)，即將聲卡的數(shù)字與模擬兩部分分開，每個部分單獨使用一塊芯片。AC’97標準結(jié)合了數(shù)字處理和模擬處理兩方面的優(yōu)點，一方面減少了由模擬線路轉(zhuǎn)換至數(shù)字線路時可能會出現(xiàn)的噪聲，營造出了更加純凈的音質(zhì)；另一方面，將音效處理集成到芯片組后，可以進一步降低成本。
　　　　　　3.AC’97的應用 　　1997年后，市場上出現(xiàn)的PCI聲卡大多數(shù)已經(jīng)開始符合AC’97規(guī)范，把模擬部分的電路從聲卡芯片中獨立出來，成為一塊稱之為“Audio Codec”(多媒體數(shù)字信號編解碼器)的小型芯片，而聲卡的主芯片即數(shù)字部分則成為一塊稱之為“Digital Control”(數(shù)字信號控制器)的大芯片。
　　　　　　由此可見，AC’97并不是某種聲卡的代稱，而是一種標準。
　　　　　　二、集成聲卡中的主流──軟聲卡 　　通過上面的介紹，我們知道一塊符合AC’97標準的聲卡是有“Audio Codec”與“Digital Control”兩個芯片的。那么所謂的“AC’97軟聲卡”是什么意思呢？原來，VIA和INTEL相繼在主板芯片組的南橋芯片中加入聲卡的功能，通過軟件模擬聲卡，完成一般聲卡上主芯片的功能，音頻輸出就交給“Audio Codec”芯片完成。所以這類主板上沒有那種較大的“Digital Control”芯片，只有一塊小小的“Audio Codec”芯片。下面我們就以一塊創(chuàng)新Sound Blaster PCI128 Digital和一款i815E主板為例，來看看普通聲卡與AC’97軟聲卡的區(qū)別。
　　　　　　我們很容易在聲卡上找到那塊比較大的主芯片──“Digital Control”及體積很小的“Audio Codec”，Sound Blaster PCI128 Digital的“Digital Control”芯片(圖1中的1標記處)型號是“CT5880”。作為聲卡上的核心處理芯片，“Digital Control”的作用如同計算機中的CPU，需完成大部分的聲卡功能，如WAV回放、MIDI合成、音效處理等，聲卡的主要技術(shù)參數(shù)都取決于它，它是決定聲卡檔次的重要依據(jù)。距離“Digital Control”不遠就是“Audio Codec”芯片，別看它小，它比普通DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換)芯片能完成更多的功能，包括把模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換)，多路模擬信號混合輸入及輸出等多種功能，跟音響中的數(shù)字編碼/解碼器和前置功放的作用差不多。這里的“Audio Codec”是SigmaTel的STAC9708芯片。根據(jù)AC’97標準的規(guī)定，不同“Audio Codec”芯片之間的引腳兼容，原則上可以互相替換。
　　　　　　由于軟聲卡沒有“Digital Control”芯片，而是采用軟件模擬，所以CPU占用率比一般聲卡高。如果CPU速度達不到要求或因為驅(qū)動軟件有問題，就很容易產(chǎn)生爆音，影響音質(zhì)。
　　　　　　三、集成聲卡中的“另類”──硬聲卡 　　由于軟聲卡有著諸多不足，于是一些主板廠商便想到了另外一個集成聲卡的方法──將普通聲卡上的“Digital Control”芯片也“搬”到主板上，即把芯片及輔助電路都集成到主板上(這種“集成聲卡
[4]
#p# ”其實就是傳統(tǒng)意義上的聲卡)，這樣相對于單獨的主板和聲卡來說，成本降低了很多，而且聲音效果在理論上與獨立聲卡差不多。在這種集成硬聲卡主板PCI插槽的附近，你都能找到一塊大大的“Digital Control”芯片。
　　　　　　目前集成硬聲卡的主板越來越多，常見的芯片有以下幾種：
　　　　　　1.CT5880
　　　　　　CT5880是創(chuàng)新公司面向中低端市場的一款主打產(chǎn)品，采用該芯片制成的聲卡就是“Sound Blaster PCI128 Digital”。它支持128復音和多音色，16個MIDI通道，并且支持4聲道；支持Microsoft DirectSound、DirectSound 3D及其衍生標準。就CT5880的表現(xiàn)而言，能滿足絕大部分對聲音要求不是很高的用戶需求。CT5880是目前使用最多的一款被集成到主板上的音效芯片。
　　　　　　2.CMI8738
　　　　　　CMI8738是臺灣驊訊電子(C-Media)的產(chǎn)品。1999年自行開發(fā)出4聲道音效芯片CMI8738/4CH，除了具有3D定位功能，同時也提供數(shù)字光纖接口，以及支持家庭劇院系統(tǒng)。在CMI8738/4CH的基礎(chǔ)上，驊訊又推出了6聲道的CMI8738/6CH音效芯片。除具備CMI8738/4CH的所有功能外，該芯片還增加了的6聲道的輸出功能。它可搭配5.1的6聲道或4.1的4聲道音箱，配合DVD播放軟件構(gòu)成完整的小型個人家庭劇院系統(tǒng)需昂貴的外部硬件。
　　　　　　注意：CMI8738內(nèi)置了“Audio Codec”芯片，雖然降低了成本，減少了電路的復雜程度，但不符合AC’97標準，因此信噪比不高，不適合那些注重音質(zhì)的用戶使用。還有，因為CMI8738有多個版本，所以在挑選集成該芯片的主板時，一定要注意芯片的版本號。
　　　　　　3.YAMAHA 744
　　　　　　YAMAHA公司的音效芯片在用戶中一直有比較好的口碑，從ISA時代的719到PCI時代的724，都獲得了不小的成功。與 YMF724相比，YMF744的功能也得到了較大的改進，其最新版本為YMF744B-V。芯片支持PCI2.2和PC99規(guī)范，為128針LQFP封裝，支持多聲道4揚聲器輸出，可為用戶提供環(huán)繞立體聲效果。744芯片最大的特點是它的三維音效功能，它完全支持EAX環(huán)境音效、Direct Sound和Direct Sound 3D，并可通過軟件運算獲得A3D效果。
　　　　　　四、使用集成聲卡的注意事項 　　不管是集成的軟聲卡，還是硬聲卡，由于目前主板在設計上還沒有大的突破，所以在實際使用中最容易出現(xiàn)干擾大、有爆音等毛病。因此，要讓你的集成聲卡有更好的表現(xiàn)，請注意以下幾點：
　　　　　　1.驅(qū)動程序是關(guān)鍵。驅(qū)動程序?qū)τ诼暱ǖ谋憩F(xiàn)非常重要，特別是軟聲卡，好的驅(qū)動程序往往能使其表現(xiàn)讓你刮目相看。對于硬聲卡，可以到該芯片的生產(chǎn)商網(wǎng)站下載其最新驅(qū)動程序，如CT5880，就可以到創(chuàng)新公司下載“Sound Blaster PCI128 Digital”的驅(qū)動程序。
　　　　　　2.關(guān)閉某些輸入端口。在聲卡的音頻屬性中，將那些用不著的輸入端口置于“靜音”狀態(tài)，如“線路輸入”、“麥克風輸入”等，這樣也能減少噪音的干擾(圖7圖)。
　　　　　　3.盡量不超頻。當將系統(tǒng)的外頻超到一定程度后，集成聲卡就無法正常工作。這是因為機器在非標準外頻下工作時，PCI的工作頻率也隨之提高，而集成聲卡是集成在主板上的，其超頻性能特別差，所以為了聲卡的安全與性能，還是不要超頻或者適度超頻。 200MHz外頻桌面處理器普及
　　　　對于PC系統(tǒng)而言，外頻的重要性不言而喻。然而，或許是我們已經(jīng)習慣了Intel以及AMD的創(chuàng)舉，面對2003年的200MHz外頻大潮，激動之情已經(jīng)略顯衰退。但是從技術(shù)角度而言，其重要性絲毫不打折扣。
　　　　采用Quad Pump前端總線技術(shù)的Pentium4處理器因為采用了200MHz外頻而達到800MHz前端總線，這也是其性能大幅度提高的重要原因之一，令NetBurst架構(gòu)發(fā)揮出最大的威力。同樣，當AMD將Barton處理器提升到200MHz外頻之后，配合其512KB大容量二級緩存，Socket A平臺的性能也變得前所未有的強大。200MHz外頻的意義不僅僅是改善處理器性能，內(nèi)存性能也因此得以提高。DDR400技術(shù)的出現(xiàn)幫助系統(tǒng)同步運行，此時整體系統(tǒng)性能的提升幅度令人相當滿意。
　　　　64位桌面處理器浮出水面
　　　　AMD于2003年9月23日發(fā)布的Athlon64將成為一款具有里程碑意義的產(chǎn)品。這也是繼80386處理器之后又一次對指令執(zhí)行位數(shù)的升級，達到64位。然而與以往不同的是，此次“單干”的AMD選擇了更為穩(wěn)妥的策略，X86-64對于32位程序具有極佳的兼容性，因此理應可以順利完成過渡期。從目前的表現(xiàn)來看，即便是在32位測試軟件中，Athlon64的表現(xiàn)也十分搶眼，完全不輸于高頻率的Pentium4甚至P4EE。更為重要的是，Windows XP-64Bit Editon、Windows 2003 Sever、Solaris 64bit Editon以及Linux64等操作系統(tǒng)都已經(jīng)提供對X86-64的支持，這也標志著今后Athlon64將不會孤立無援，因此前景一片大好。
　　　　毫無疑問，這將是Intel最不希望看到的局面，它可以容忍AMD的處理器在性能上超越自己，但是決不能坐視業(yè)界向自己最不期望的方向發(fā)展。一旦AMD憑借強大的業(yè)界聯(lián)盟使軟件開發(fā)商倒向64位平臺，Intel將會十分被動，甚至迫不得已向X86-64低頭，繼而以授權(quán)的方式將其引入下一代Intel處理器。
　　　　DirectX9顯卡遍地開花ctX9顯卡
　　　　在速度上的過分追求已經(jīng)使玩家對3D游戲失去了興趣，以高成本來締造“像素填充率”顯然是沒有意義的。誠然，各種絢麗奪目的3D特效需要極高的像素填充率以及顯存帶寬作保證，但是在硬件上支持更多的特效才是重中之重。
　　　　令人感到欣喜的是，支持DirectX9 API的顯卡在2003年大量出現(xiàn)，它們以極高的性價比吸引大量用戶。甚至在低端市場，雄心勃勃的Geforce FX5200系列更是將DirectX9 API徹底普及化。正是在這樣的環(huán)境下，游戲開發(fā)人員才得以撇開惱人的兼容性問題，大膽地采用更多新技術(shù)，令3D游戲特效達到前所未有的高度。
　　　　雙通道DDR芯片組統(tǒng)領(lǐng)潮流
　　　　當我們正在為Intel與AMD的頻率大戰(zhàn)而津津樂道之時，猛然間發(fā)現(xiàn)芯片組似乎在一定程度上主宰了這場比拼的勝負。毫無疑問，系統(tǒng)整體性能的發(fā)揮離不開芯片組的支持，而決定芯片組的關(guān)鍵就在于北橋芯片中的內(nèi)存控制器。
　　　　當DDR SDRAM工作頻率高于133MHz時，其信號波形往往會出現(xiàn)失真問題，這些都為設計支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來不小的難度，芯片組的制造成本也會相應地提高。不過當nVIDIA率先攻破技術(shù)壁壘推出nForce芯片組之后，SiS與Intel迅速跟進，VIA也即將加入這一陣營。毫無疑問，雙通道DDR芯片組普及已是板上釘釘，這也是2003年芯片組技術(shù)的一大亮點。
　SerialATA硬盤繼往開來
　　　　為了徹底解決硬盤外部接口的瓶頸，由七家公司聯(lián)合組建的“串行ATA工作集團”制定了第一代SerialATA規(guī)范。令人感到高興的是，2003年出現(xiàn)了大量直接支持SerialATA技術(shù)的南橋芯片，同時Promise、HighPoint以及Silicon的SerialATA磁盤控制芯片也令不少老主板得以使用SerialATA硬盤。
　　　　除了SerialATA控制芯片，本身采用SerialATA接口的硬盤也相繼浮出水面，其中Seagate與Maxtor更是將SerialATA硬盤的成本大幅度下降，直接促成其普及。應當指出的是，目前SerialATA硬盤仍舊沒能充分發(fā)揮出SerialATA接口的優(yōu)勢，一方面是內(nèi)部傳輸率不足，另一方面便是大多數(shù)SerialATA依舊采用轉(zhuǎn)接芯片，其內(nèi)部信號依舊是并行的。
　　　　DVD刻錄機應運而生
　　　　CD-RW的普及一定程度上緩解了存儲設備的容量危機，但是面對GB數(shù)量級的視頻文件以及備份應用，傳統(tǒng)CD-RW不堪重負。在DVD規(guī)格之爭逐漸明朗之后，一場由DVD刻錄而帶來的存儲革命已經(jīng)悄然向我們襲來。
　　　　在2003年之初，主流DVD刻錄標準主要分為三種：DVD-RAM、DVD-R/RW與DVD R/RW，而且互相之間并不兼容，這也是阻礙其發(fā)展重要因素。繼DVDRAM基本宣告退出民用市場之后，DVD-R/RW與DVD R/RW真正在產(chǎn)品技術(shù)上實現(xiàn)融合。原本以為僅僅是一廂情愿的DVD-Dual規(guī)格，因為控制芯片成本的下降以及權(quán)利金的下調(diào)而迅速脫穎而出。至此，DVD刻錄的大局面終于初步形成，無論從市場需求、產(chǎn)品成本以及業(yè)界支持度來看都是如此。更為重要的是，如今DVD刻錄機的技術(shù)也不斷成熟，8X刻錄令4.5GB的數(shù)據(jù)只需要短短10分鐘不到即可完成！
　　　　
　　　LCD品質(zhì)趨于完善
　　　　早在2001年，液晶顯示器就渴望取代老態(tài)龍鐘的CRT。但是，隨著液晶面板的價格暴漲，LCD很快就偃旗息鼓了。時隔兩年之后，LCD東山再起，卷土重來，技術(shù)與市場的成熟卻真正讓LCD與我們*得更近。
　　　　如今的LCD在可視角度、對比度、亮度、響應時間等方面都取得長足的進步。通過多燈管技術(shù)，LCD的對比度與亮度逐漸彌補與CRT顯示器之間的差距，而且整體色彩表現(xiàn)更為均勻。更為使人高興的是，響應時間的縮短令LCD的應用范圍大幅度拓寬。
　　　　數(shù)字顯亮技術(shù)也是本年的一個亮點，飛利浦倡導的這個技術(shù)從提高銳度方面入手提高LCD顯示器清晰度，使LCD向取代CRT的目標邁出了一大步。
　　　　移動存儲突破同質(zhì)化
　　　　長期以來移動存儲產(chǎn)品無法突破同質(zhì)化這個怪圈，大多數(shù)產(chǎn)品在外形功能性能上幾乎一模一樣。2003年度出現(xiàn)了幾款突破同質(zhì)化桎梏的移動存儲產(chǎn)品，它們在功能、設計、性能上均標新立異，給了消費者更多的選擇和驚喜。
　　　　其中比較有代表性的就是朗科公司推出的新概念產(chǎn)品——可視優(yōu)盤，它在傳統(tǒng)閃存盤數(shù)據(jù)存儲與交換功能的基礎(chǔ)上，獨出心裁地增加了液晶顯示功能，用戶無須將閃存盤插在電腦上，就可以從顯示屏上一目了然地識別所有靜態(tài)和動態(tài)信息。靜態(tài)信息如用戶名、容量、電話號碼、問候語等；動態(tài)信息則包括優(yōu)盤在讀寫時顯示的動態(tài)容量、傳輸過程等，從而使移動存儲產(chǎn)品無論在外觀還是功能上都有了質(zhì)的飛躍。
　　　　無線網(wǎng)路觸動心弦
　　　　當100M網(wǎng)卡普及之后，有線網(wǎng)絡的技術(shù)已經(jīng)非常成熟了，但是當你發(fā)現(xiàn)冗長的網(wǎng)線束縛了你的移動設備，無線網(wǎng)絡的必要性就得以突顯。
　　　　與藍牙技術(shù)相比，今年流行的WIFI技術(shù)顯然更具實用性。IEEE802.11b標準的WIFI無線網(wǎng)絡得到11Mbps帶寬，然而更為重要的是，它在傳輸距離方面具有很大的優(yōu)勢，甚至渴望成為局域有線網(wǎng)絡的接替者。
　　　　更為令人歡欣鼓舞的是，IEEE802.11b并非是WIFI技術(shù)的終點。具備54Mbps帶寬的IEEE802.11g已經(jīng)開始悄悄普及，甚至連100Mbps帶寬的IEEE802.11n都浮出水面。毫無疑問，未來無線網(wǎng)路技術(shù)一大熱門技術(shù)，特別是在破解傳輸帶寬、傳輸范圍以及安全性等諸多技術(shù)難題之后。
　　數(shù)碼相機技術(shù)指標全面提升?
　　　　數(shù)碼相機以全新的攝影操作和一些特殊的功能應用改變著人們百年來培養(yǎng)起來的傳統(tǒng)攝影觀念，并開始沖擊傳統(tǒng)相機在人們生活中的地位。應當清醒并欣喜地認識到，伴隨著數(shù)碼相機技術(shù)的成熟化，數(shù)碼影像在2003年取得長足的進步。
　　　　我們驚喜地看到600萬像素成為一道亮麗的風景線，盡管數(shù)碼相機的像素級別絕非是衡量性能的唯一標準，就像CPU無法度量整機的總體表現(xiàn)一樣，但是這并不妨礙我們關(guān)注這項技術(shù)。300萬像素的普及意味著數(shù)碼照片將不僅僅局限于電腦屏幕，此時數(shù)碼沖印的效果已經(jīng)可以媲美于傳統(tǒng)銀鹽彩擴；而更高的像素對于大幅面數(shù)碼沖印也是大有裨益的，更令數(shù)碼變焦也能體現(xiàn)出一定的實用價值。
　　　　此外，高品質(zhì)光學鏡頭的確也令數(shù)碼相機的水準大幅度提高，不僅有效改善了畫質(zhì)，同時高倍光學變焦也得以普及。佳能與卡西歐所采用的佳能原裝鏡頭、索尼所采用的高級蔡司、美能達所采用的GT系列鏡頭、柯達所采用的德國Schneider-Kreuznach Variogon鏡頭，這些都為數(shù)碼相機在本質(zhì)性能上提高打下堅實基礎(chǔ)。
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