8月14日訊：根據(jù)臺(tái)灣媒體最新報(bào)道稱，華為海思的下一代處理器已經(jīng)設(shè)計(jì)完成，型號(hào)為Kirin 930，采用big.LIT LTE架構(gòu)設(shè)計(jì)，并采用最新的16nm FinFET工藝技術(shù)！

　　在經(jīng)歷了K3V2的失敗之后，海思隨后的Kirin 910和Kirin 920表現(xiàn)都還基本令人滿意，前者再也不燙了，而后者則兼具了性能、續(xù)航，更是支持LTE Cat.6。

　　目前最新的消息顯示海思已經(jīng)把下一代處理器設(shè)計(jì)好了，其型號(hào)為Kirin 930，依然是big.LITTLE架構(gòu)設(shè)計(jì)，采用16nm FinFET工藝。根據(jù)臺(tái)灣媒體的報(bào)道，臺(tái)積電已在8月初試產(chǎn)第一批16nm晶圓，首批產(chǎn)品就是海思的Kirin 930，這應(yīng)該是世界上首款16nm SOC芯片。

　　另外還有消息稱臺(tái)積電將于第四季度開(kāi)始試產(chǎn)16nm FinFET Plus工藝，相比Kirin 930采用的16nm FinFET更加完善，首款產(chǎn)品為蘋(píng)果的A9處理器。

　　臺(tái)灣媒體推測(cè)，如果進(jìn)度順利的話，Kirin 930采用的16nm FinFET工藝會(huì)在第四季度量產(chǎn)，而A9采用的16nm FinFET Plus工藝則會(huì)在明年第一季度量產(chǎn)。

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