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Redmi K40系列值得入手嗎 Redmi K40系列手機(jī)全方位評(píng)測(cè)

快科技   發(fā)布時(shí)間:2021-02-26 08:40:43   作者:島叔   我要評(píng)論
Redmi K40系列怎么樣?有何不同?值得買嗎?下面小編帶來Redmi K40系列手機(jī)全方位評(píng)測(cè)

三、關(guān)于驍龍870與驍龍888:新老搭配!降維接招錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)

Redmi K40所搭載的是驍龍870,Redmi K40 Pro和Redmi K40 Pro+搭載的是驍龍888,這套組合背后實(shí)際是高通旗艦芯的新老搭配。

——驍龍870接招錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)

記得驍龍7系、驍龍6系等次旗艦、高端產(chǎn)品線在2020年前后分別遭遇了來自聯(lián)發(fā)科天璣家族以及三星獵戶座平臺(tái)的錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)沖擊。在對(duì)手制造的壓力下,高通選擇給頗受好評(píng)的旗艦平臺(tái)驍龍865超頻處理包裝成870重新上陣接招。

Redmi K40所搭載的驍龍870就是驍龍865的二次迭代升級(jí)。其整體規(guī)格與驍龍865初次迭代升級(jí)之后的驍龍865 Plus保持基本一致,主要變化是采用了增強(qiáng)的Kryo 585 CPU核心,其中一個(gè)超大核心的主頻高達(dá)3.2GHz,相比驍龍865 Plus又提高了100MHz,對(duì)比驍龍865高出360MHz,可以看作驍龍865的究極超頻版。

其他方面,驍龍870仍然是7nm工藝制造,集成一個(gè)大核心+三個(gè)中核心+四個(gè)小核心CPU、Adreno 650 GPU、FastConnect 6800無線子系統(tǒng)、Spectra 480 ISP、Hexagon 698 DSP,外掛驍龍X55 5G基帶,支持真正面向全球市場(chǎng)的5G Sub-6GHz和毫米波頻段,最大下載速率7.5Gbps,最大上傳速率3Gbps。

值得注意的是,盡管一些觀點(diǎn)將驍龍870視作是“驍龍865++”,這并不準(zhǔn)確。驍龍870更像是對(duì)驍龍865的一次究極優(yōu)化升級(jí),而非在驍龍865+的基礎(chǔ)上加強(qiáng)。最典型的就是驍龍870的無線模塊不是驍龍865+身上那個(gè)FastConnect 6900,而是FastConnect 6800。后者是驍龍865原生搭載的解決方案,兩者最大的區(qū)別就是對(duì)W-Fi 6E的支持與否。

這也讓Redmi K40從硬件層面,失去了對(duì)W-Fi 6E的支持條件。不過Wi-Fi 6E是Wi-Fi 6的增強(qiáng)版,最大改進(jìn)是引入對(duì)6GHz頻段的支持,多了59個(gè)連續(xù)信道,在短距離場(chǎng)景下的峰值速度快了很多。當(dāng)然,Wi-Fi6E仍舊需要終端和路由的配合才能發(fā)揮滿血實(shí)力。

——驍龍888是常規(guī)迭代的旗艦芯

驍龍888的規(guī)格,想必大家已經(jīng)十分熟悉了,它采用全新的三星5nm工藝制造,CPU方面還是八個(gè)核心,但升級(jí)了全新的架構(gòu)布局,尤其是全球首發(fā)了ARM的第一個(gè)超級(jí)大核架構(gòu)Cortex-X1。

驍龍888的X1核心的主頻是傳統(tǒng)的2.84GHz,同時(shí)還有三個(gè)A78架構(gòu)的性能級(jí)核心,主頻均為2.40GHz,以及四個(gè)A55架構(gòu)的能效核心,主頻都是1.80GHz。其還集成了Adreno 660 GPU,高通宣稱圖形渲染性能提升35%,能效提升20%,同時(shí)大幅增強(qiáng)了顯示技術(shù),支持144Hz高刷新率/高幀率、真10-bit HDR等等。

此前圍繞著驍龍888采用的三星5nm工藝曾有過一些爭(zhēng)論,我們對(duì)此有過詳細(xì)解讀:

半導(dǎo)體制程工藝從來都沒有固定的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),如何設(shè)計(jì)、命名完全是各家自己說了算。自從臺(tái)積電16nm、三星14nm開始就完全亂了,兩家很多時(shí)候?yàn)榱嗽谥笜?biāo)上更好看開始各種開腦洞的操作,比如當(dāng)年臺(tái)積電16nm改進(jìn)一下就叫12nm ,顯得比三星14nm更先進(jìn)。

不同晶圓工廠的工藝制程,也確實(shí)難以從微觀層面進(jìn)行高低比較,比如驍龍888采用的三星制程工藝,就與我們所熟知的臺(tái)積電制程工藝存在區(qū)別——這一點(diǎn)在10nm之后特別明顯。比如三星7nm節(jié)點(diǎn)選擇了某幾層的EUV(極紫外光)光刻,而臺(tái)積電的前兩代7nm工藝在用193nm波長(zhǎng)的浸入式光刻。

雖然它們的名字都是“7nm制程”,但是呈現(xiàn)出來的樣子總是千差萬別。而且,三星此后的6nm,以及驍龍888選擇的5nm實(shí)際都是7LPP工藝的同代演進(jìn),而臺(tái)積電則不然,所以兩者的技術(shù)路徑、迭代方式長(zhǎng)期存在較大差異,目前無法從微觀層面判斷三星5nm與臺(tái)積電5nm的孰優(yōu)孰劣、有無高下之分。

簡(jiǎn)而言之,由于不同晶圓廠商的工藝制程存在不同標(biāo)準(zhǔn)、不同迭代節(jié)奏、不同命名規(guī)則的差異,難以將不同晶圓廠商的制程工藝進(jìn)行微觀層面的高低性能比較。

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