DRAMSpeculativeRead:設(shè)置成允許時(shí),讀內(nèi)存的時(shí)間比正常時(shí)間提前一個(gè)時(shí)間周期,可以提高系統(tǒng)性能。 DRAMDataIntegrityMode:選擇內(nèi)存校驗(yàn)方式是Parity或ECC。 RefreshRASAssertion:設(shè)置內(nèi)存的行地址刷新時(shí)間周期,對(duì)質(zhì)量好的內(nèi)存可以延遲刷新,從而提高系統(tǒng)性能。 RASRechargePeriod:內(nèi)存行地址信號(hào)預(yù)先充電所需要的時(shí)間。 FastEDOPath...
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