關(guān)卡20

流程：

　　·施展引力

　　·挑釁：紅點位置

　　·擊殺兩名敵人

施展引力

　　Pod程式[A140引力]能夠聚集兩名敵人，令高傷害攻擊能夠同時擊中兩名敵人。

　　引力場中心點大致位于場地中央，同時吸引兩名敵人。

　　施展時機：

　　PC版：關(guān)卡19完成后，調(diào)整角色位置后立即施展

　　PS4版：相對于PC版延遲1~2秒

　　XBOX版：數(shù)據(jù)暫缺，歡迎提供數(shù)據(jù)

紅點位置挑釁

　　挑釁時機是敵人影子出現(xiàn)，同樣的判斷條件是角色進入戒備狀態(tài)。

　　此時挑釁能夠挑釁到兩名敵人。

擊殺兩名敵人

　　需要保證達成以下條件，才能獲得較高的成功率：

　　*武器傷害及攻擊速率達標

　　實測達標武器：

　　純白哀泣【輕】

　　天使圣翼【輕】

　　4〇式戰(zhàn)術(shù)刀（充滿電狀態(tài)）【重】

　　古代霸王【重】

　　*11段高傷害重攻擊完整擊中兩名敵人

　　*指虎輕攻擊近戰(zhàn)攻擊擊中至少完整擊中一名敵人

　　*攻擊流程中產(chǎn)生的沖擊波盡可能擊中敵人

　　實測可行的一種發(fā)動攻擊的位置的方案：

　　位置：紅點位置向黑點位置閃避，在黑點位置發(fā)動高傷害攻擊；黑點位置與兩名敵人形成一條直線。

　　距離：離敵人兩倍引力場半徑距離（一級引力場）。

　　此位置發(fā)動攻擊，高傷害重攻擊能同時擊中兩名敵人；重攻擊拉近與敵人距離后，輕攻擊能擊中至少一名敵人；產(chǎn)生的沖擊波亦未完全落空，至少擊中敵人1或2。

　　*全程保持減速

　　*至少裝備一塊[擊破時恢復(fù)HP+2]晶片

　　裝備此晶片后，能延長狂戰(zhàn)士形態(tài)2秒持續(xù)時間，避免HP不足。

　　關(guān)卡19最后一名敵人的殘骸并不會在被擊殺時立即爆炸，而是會延遲2秒左右，2秒后殘骸爆炸，提供20%HP的治療量。

　　·PS4版關(guān)卡20敵人出現(xiàn)比PC版遲0.9~2.3秒。

　　實戰(zhàn)中，我使用PC版并安裝一塊[擊破時恢復(fù)HP+2]晶片，在發(fā)動攻擊時，HP剩余50%左右，其中包含晶片提供的20%；

　　由于狂戰(zhàn)士系統(tǒng)每秒扣減10%最大HP，故預(yù)測PS4版最差情況下HP剩余27%左右。

　　假設(shè)不安裝[擊破時恢復(fù)HP+2]晶片，則PS4版最差情況下，開始攻擊時HP不足10%，即再經(jīng)過不足1秒就會脫離狂戰(zhàn)士形態(tài)，容錯極小。

　　由此得出[擊破時恢復(fù)HP+2]晶片為此方案必備晶片，必須安裝后才能將此方案應(yīng)用于PS4版。

　　注：

　　0.9~2.3秒，數(shù)據(jù)來自于對比本人錄制的Steam版錄像，以及油管5部以上PS4錄像，得出的數(shù)據(jù)。此數(shù)據(jù)浮動較大，暫時未能精確測量。另外XBOX版數(shù)據(jù)，由于未尋找到相關(guān)錄像，無法分析。

　　即使達成以上條件，亦未能完全保證成功。敵人反擊時間有長有短，反擊手段亦不盡相同。在實戰(zhàn)中我使用以上方案，取得了不錯的成功率，并且極大地縮短的本關(guān)卡耗時。

　　成功的定義是：一套高傷害攻擊組合流程內(nèi)，擊殺兩名敵人，不需要另外發(fā)動攻擊，過程中不進行閃避。未能擊殺敵人以及耗時太長均視為失敗。

　　成功樣例：

　　1.擊殺2名敵人，敵人未發(fā)動攻擊，或敵人發(fā)動攻擊后未擊中角色。此樣例為完美樣例

　　2.擊殺2名敵人，過程中被擊中，但治療效果抵消傷害值，未中斷狂戰(zhàn)士形態(tài)。被擊中瞬間會產(chǎn)生1秒停頓時間，即平均比完美樣例慢1秒

　　失敗樣例：

　　1.擊殺2名敵人，過程中未被擊中，但使用過閃避并重新開始攻擊

　　2.擊殺2名敵人，過程中被擊中并被中斷狂戰(zhàn)士形態(tài)

　　3.未能擊殺2名敵人，過程中被擊中，中斷狂戰(zhàn)士形態(tài)

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