看芯片識內存

主要的內存芯片廠商的名稱既芯片代號如下:
現代電子HYUNDAI:HY[注:代號]
三星SAMSUNG:KM或M
NBM:AAA
西門子SIEMENS:HYB
高士達LG-SEMICON:GM
HITSUBISHI:M5M
富 士通FUJITSU:MB
摩托羅拉MOTOROLA:MCM
MATSUSHITA:MN
OKI:MSM
美凱龍MICRON:MT
德州儀器TMS:TI
東芝TOSHIBA:TD或TC
日立HITACHI:HM
STI:TM
日電NEC:uPD
IBM:BM
NPNX:NN
一.日本產系列:
主要廠家有Hitachi[日立],Toshiba[東芝],NEC[日電],Mitsubishi[三菱]等等,日產晶圓的特點是品質不錯,價格稍高。
1.HITACHI[日立]。
日立內存質量不錯,許多PC100的皆可穩(wěn)上133MHz。它的穩(wěn)定性好,做工精細,日立內存芯片的編號有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,區(qū)別是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外頻,
HITACHI的SDRAM芯片上的標識為以下格式:
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的產品,52是SDRAM,如為51則為EDO DRAM。
第1、2個X代表容量。
第3、4個X表示數據位寬,40、80、16分別代表4位、8位、16位。
第5個X表示是第幾個版本的內核,現在至少已經排到"F"了。
第6個X如果是字母"L"就是低功耗。空白則為普通。
TT為TSOII封裝。
最后XX代表速度:
75:7.5ns[133MHz]
80:8ns[125MHz]
A60:10ns[PC-100 CL2或3]
B60:10ns[PC-100 CL3]
例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位輸出,100MHZ時CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的標識通常為以下格式:
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的產品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2個X代表容量。
第3或4個X表示數據位寬,4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當數據位寬為16位和32位時,使用兩位,即占用第4個X。由于NEC的標識的長度固定,這會對下面的數字造成影響。
第4或5個X代表Bank。"3"或"4"代表4個Bank,在16位和32位時代表2個Bank;"2"代表2個Bank。
第5個X,如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的芯片,第5個X已被占用,則第5個X有雙重含義,如"1"代表2個Bank和LVTTL,"3"代表4個Bank和LVTTL。
G5為TSOPII封裝。
-A后的XX是代表速度:
80:8ns[125MHz]
10:10ns[PC100 CL 3]
10B:10ns較10慢,Tac為7,不完全符合PC100規(guī)范。
12:12ns
70:[PC133]
75:[PC133]
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白則為普通。
-XXX:第一人X通常為數字,如64Mbit芯片上常為準,16Mbit芯片上常為7,規(guī)律不詳。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計與封裝外型有關:"NF"對應: 44-pinTSOP-II;"JF"對應54-pin TSOPII;"JH"對應86-pin TSOP-II。
例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4個Bank,在CL=3時可工作在125MHZ下,在100MHZ時CL可設為2。
3.TOSHIBA東芝。
TOSHIBA的芯片上的標識為以下格式:
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是東芝的產品。
59代表是SDRAM系列。其后的S為普通SDRAM,R為Rambus SDRAM,W為DDR SDRAM。
第1、2個X代表容量。64為64Mbit,M7為128Mbit。
第3、4個X表示數據位寬,04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
第5個X估計是用來表示內核的版本。目前常見的為"B"。
FT為TSOPII封裝。
FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白則為普通。
最后的XX是代表速度:
75:7.5ns[133MHz]
80:8ns[125MHz]
10:10ns[100MHz CL="3"]
例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且為低功耗型號。
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