DDR和DDR2,DDR3的區(qū)別以及如何從外觀上分辨出來(圖文)

DDR2內(nèi)存單面金手指120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為64個(gè)針腳,缺口右邊為56個(gè)針腳;
DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)(雙面240個(gè)),缺口左邊為72個(gè)針腳,缺口右邊為48個(gè)針腳.
2、DDR內(nèi)存的顆粒為長方形
DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒為正方形,而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一
3、使用電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的電壓1.5V









參數(shù)不同之處
電壓 VDD/VDDQ |
2.5V/2.5V |
1.8V/1.8V(±0.1) |
1.5V/1.5V(±0.075) |
I/O接口 |
SSTL_25 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
數(shù)據(jù)傳輸率(Mbps) |
200~400 |
400~800 |
800~2000 |
容量標(biāo)準(zhǔn) |
64M~1G |
256M~4G |
512M~8G |
Memory Latency(ns) |
15~20 |
10~20 |
10~15 |
CL值 |
1.5/2/2.5/3 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
預(yù)取設(shè)計(jì)(Bit) |
2 |
4 |
8 |
邏輯Bank數(shù)量 |
2/4 |
4/8 |
8/16 |
突發(fā)長度 |
2/4/8 |
4/8 |
8 |
封裝 |
TSOP |
FBGA |
FBGA |
引腳標(biāo)準(zhǔn) |
184Pin |
240Pin |
240Pin |
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