此前經(jīng)常有電腦小白咨詢我“128GB內(nèi)存夠不夠”之類的問題，很明顯這是將內(nèi)存和硬盤搞混了。如果你也分不清內(nèi)存和硬盤，那么很有必要看下去。本文主要介紹目前筆記本中常見的內(nèi)存類型，并且告訴你怎么判斷內(nèi)存的好壞。

筆記本常見內(nèi)存類型介紹：

筆記本內(nèi)存

　　內(nèi)存是PC中的重要一環(huán)，是數(shù)據(jù)存放和交換的空間，所以內(nèi)存容量相對(duì)硬盤小很多。內(nèi)存斷電后存儲(chǔ)的內(nèi)容會(huì)丟失，所以不能存儲(chǔ)文件。大家看到的C盤、D盤是硬盤，硬盤容量大，斷電后仍能存儲(chǔ)內(nèi)容，但讀寫速度沒法和內(nèi)存比。想要看內(nèi)存使用率、容量、單雙通道的話，可以通過Windows 10的任務(wù)管理器查看。

任務(wù)管理器上的內(nèi)存信息

　　下圖從左到右分別為2.5英寸機(jī)械硬盤、M.2 2280固態(tài)硬盤和筆記本內(nèi)存，三者區(qū)別一目了然。

筆記本硬盤與內(nèi)存外形

　　目前常見的筆記本內(nèi)存有兩種，分別為LPDDR3和DDR4，前者集成于主板上，不可更換，常出現(xiàn)在超輕薄筆記本中；后者可更換，常出現(xiàn)在14英寸以上筆記本中，目前游戲本基本都是DDR4內(nèi)存。如果你選購筆記本時(shí)看到內(nèi)存為DDR3，那么最好別買。

　　容量方面，目前8GB為主流，未來一年內(nèi)16GB會(huì)逐漸取代8GB。就目前情況來看，8GB內(nèi)存完全可以滿足辦公、影音娛樂需求，如果玩游戲的話，最好選購16GB版本。

　　頻率方面，目前LPDDR3有1866MHz和2133MHz兩種，區(qū)別并不大；DDR4頻率比較多，常見有2133MHz、2400MHz、2666MHz、3000MHz四個(gè)版本，目前2666MHz是主流。

　　大家看下表會(huì)覺得更加清晰一些，標(biāo)綠的部分為目前最常見的內(nèi)存規(guī)格。

筆記本常見內(nèi)存規(guī)格

　　判斷內(nèi)存性能好壞，我們需要用到測(cè)試軟件AIDA64。AIDA64內(nèi)置了“內(nèi)存與緩存測(cè)試”程序，我們重點(diǎn)看“Memory”一欄。其中“Read”、“Write”和“Copy”三項(xiàng)為讀取、寫入和復(fù)制測(cè)試，數(shù)據(jù)越大代表性能越好；“Latency”為延遲，數(shù)據(jù)越小代表性能越好。

內(nèi)存與緩存測(cè)試程序

　　一般情況下，單通道DDR4的讀取、寫入和復(fù)制的成績(jī)?cè)?6000 MB/s-18000 MB/s之間，雙通道DDR4三項(xiàng)成績(jī)?cè)?0000 MB/s-35000 MB/s之間；雙通道LPDDR3三項(xiàng)成績(jī)?cè)?8000 MB/s-33000 MB/s之間，單通道LPDDR3很少見，一般不建議購買采用該內(nèi)存的筆記本。如果數(shù)據(jù)低于以上三個(gè)區(qū)間，說明內(nèi)存性能較差。

　　一般情況下，DDR4內(nèi)存延遲要低于LPDDR3，DDR4內(nèi)存延遲普遍在80ns-90ns之間，好一點(diǎn)的可以達(dá)到60ns左右；LPDDR3內(nèi)存延遲普遍在100ns-120ns之間。其與單雙通道關(guān)系不大。

　　大家在購買筆記本時(shí)，重點(diǎn)關(guān)注內(nèi)存容量即可，如果購買搭載AMD芯片的產(chǎn)品，再關(guān)注一下單雙通道，雙通道優(yōu)于單通道。其余比如讀寫速度、延遲、頻率等對(duì)于實(shí)際操作影響并不大，不必太過于關(guān)注。

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