曾經(jīng)DDR2成為歷史造就了DDR3的普及，現(xiàn)在計算機硬件發(fā)展也趨向于DDR4的性能。也許內(nèi)存條的發(fā)展速度沒有CPU快速，但各代內(nèi)存條的性能差別也不斷拉大，現(xiàn)今的DDR4內(nèi)存條起跳頻率已經(jīng)達到了2133MHz，而DDR3時代將和DDR2一樣終結(jié)。DDR4內(nèi)存比DDR3快多少？這個問題也許你比較關(guān)心，可以閱讀下文了解內(nèi)存DDR3和DDR4的區(qū)別。

內(nèi)存DDR3和DDR4的區(qū)別：

DDR4與DDR3內(nèi)存差異一：處理器

Haswell-E架構(gòu)圖解

每次內(nèi)存升級換代時，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計，DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當高，并且不會同時支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門檻。

DDR4與DDR3內(nèi)存差異二：外型

DDR4金手指變化較大

大家注意上圖，宇瞻DDR4內(nèi)存金手指變的彎曲了，并沒有沿著直線設(shè)計，這究竟是為什么呢？一直一來，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。

接口位置同時也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

DDR4與DDR3內(nèi)存差異三：參數(shù)

DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps（256MB/s）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

默認頻率DDR4 2133 CL15

DDR4 2133頻率下帶寬測試：48.4GB/s

從宇瞻32GB DDR4-2133內(nèi)存來看，僅默認頻率帶寬就高達48.4GB/s，可見DDR4對系統(tǒng)性能提升重要性。

另外就是其它參數(shù)的改變，比如容量和電壓。

DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。

未來的某一天，DDR4的命運也將如內(nèi)存條輝煌的歷史中埋沒，并成就下一代內(nèi)存條的普及。以上便是內(nèi)存DDR3和DDR4的區(qū)別介紹，當用戶需要置換內(nèi)存條的時候，請確認機箱中的主板是否支持DDR4以上的接口，再考慮購買也不遲。

以上就是DDR4內(nèi)存比DDR3內(nèi)存快多少 DDR4內(nèi)存比DDR3內(nèi)存區(qū)別對比的詳細內(nèi)容，更多關(guān)于DDR4內(nèi)存比DDR3內(nèi)存對比介紹的資料請關(guān)注腳本之家其它相關(guān)文章！

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