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如何正確地超頻DDR5內(nèi)存 影馳HOF PRO名人堂DDR5超頻實操

  發(fā)布時間:2024-01-25 16:24:38   作者:佚名   我要評論
內(nèi)存超頻,是讓內(nèi)存外頻運行在比它被設(shè)定運行的更高的速度下,可以使用增加電壓的方法,今天我們就來看看正確地超頻DDR5內(nèi)存的圖文教程

2024新年已至,內(nèi)存超頻在Intel 14代CPU以及各種Z790主板的加持下似乎真的演變到只要有手就行。不過咱在入手這款HOF PRO DDR5-7000MHz 16G*2內(nèi)存之后,還是首先向“懂行”的朋友進行了虛心的求教,然后簡單整理了一份我依舊有些懵圈的D5“基礎(chǔ)”超頻教程。當(dāng)然,以下內(nèi)容僅供參考,歡迎討論,但不鼓勵“毒打”。

按朋友的說法,首先我們要了解并承認,海力士Adie與13/14代CPU的IMC較為友好,在2DIMM的主板下,8000頻率是絕大數(shù)都可以達到的。不過ADie在高頻率下比較吃溫度,所以要做好內(nèi)存的散熱,這是所有使用ADie顆粒內(nèi)存都需要注意的關(guān)鍵點,

然后就可以開始進行超頻操作

朋友教學(xué)使用的是華碩Z790 APEX主板,但是處理器僅僅是一顆13600KF。

在開機進入BIOS之后如果是這個界面可以直接跟著我進行操作,如果不是,可以按一下F7進入高級界面即可。

然后我們選擇XMP1,選擇XMP的頻率7000C32這一檔,然后往下翻有內(nèi)存頻率。可以選擇自己的目標(biāo)頻率,這里我直接選擇8000這一檔,如果你的主板不是2槽內(nèi)存的主板,那要酌情去考慮頻率,一般的4槽主板選擇7400或者7600都是較為簡單的,7800跟8000就需要看自己CPU是否給力了。

選擇完頻率后就是整個OC最為重要的一部分。

CPU與內(nèi)存的電壓調(diào)節(jié)

(這里圖中電壓均為8000過測電壓)

首先是不同主板幾個電壓名稱的關(guān)系(HWINFO中關(guān)鍵電壓標(biāo)紅)

CPU電壓:

MSI SA= ASUS SA

(建議范圍1.2v-1.45V)

MSI vddq= ASUS IVR VDDQ =HWINFO中的IVR TX vddq

(建議范圍1.3v-1.45V)這個電壓在華碩主板上并不需要很高 MSI vdd2 = ASUS MEMORY CONTROLLER VOLTAGE =HWINFO中的IMC VDD

(建議范圍1.35v-1.5V)

內(nèi)存電壓:

MSI dram voltage = ASUS memory vdd voltage

MSI dram vddq voltage = ASUS memory vddq valtage 同步調(diào)整即可(建議范圍1.35V-1.6V)

然后是內(nèi)存的一些參數(shù),這里只取重點參數(shù)進行建議

tCL:

這個參數(shù)一般越低越好,只有雙數(shù)值可以選擇,越低越需要更高的內(nèi)存電壓,也更加吃溫度,在8000頻率如果體質(zhì)好,可以嘗試C34或者C32,一般和頻率聯(lián)動增加或減少即可

tRCD:

吃內(nèi)存硬體質(zhì),增加電壓很難使其優(yōu)化,根據(jù)內(nèi)存體質(zhì)來選擇即可

tRAS:

海力士Adie可以壓到很低,不過對效能提升不大,最低可以嘗試28

第二時序

tRDD_L和tRRD_S:

這兩個參數(shù)同步即可 一般給8或者6,越低越不穩(wěn)定

tWTR_L和tWTR_S:

AUTO,這個參數(shù)由第三時序的tWRRD聯(lián)動,對穩(wěn)定性影響極高

tFAW:

這個參數(shù)對跑分效能影響極大,設(shè)置32即可

tREFI:

內(nèi)存的充放電速率,最高值262143,數(shù)值越高,性能越好,但是溫度也會越高,非常影響穩(wěn)定性的一個參數(shù),推薦值是AUTO,65535或者131071

tCWL:

CL值同步或者-2即可,太低影響穩(wěn)定性

第三時序,

tRDRD_sg與tWRWR_sg同步:

根據(jù)頻率設(shè)置,一般12-18都可以,對穩(wěn)定性有一定影響

tRDRD_dg與tWRWR_dg同步:

7或者8都可。 tRDWR_sg與tRDWR_dg同步:

越低性能越高,穩(wěn)定性越差。

tWRRd_sg與tWRRD_dg:

極度影響穩(wěn)定性與前文提到的tWTR_L和tWTR_S聯(lián)動,建議從AUTO開始同步降低至不穩(wěn)。

MRC快速啟動以及MCH完全檢查,建議在超頻時進行設(shè)置,超頻完成后再調(diào)回默認?!綪S:挺詳細的,就是一看就會,一動就廢】

電壓時序都說完了,當(dāng)然直接實操

對于初玩內(nèi)存OC的朋友們來說,首先要選一個合適的頻率進行嘗試

電壓的優(yōu)先級來說:CPU MCV>CPU IVR>CPU SA,先把這自己CPU的這三個電壓摸清楚即可,不要盲目抄襲他人CPU電壓,可以進行參考。流程上來講先固定一個頻率,將所有參數(shù)放到AUTO,內(nèi)存電壓固定一個值(例如1.4V),CPU的IMC電壓全部AUTO,然后進行測試,如果出錯,則先考慮內(nèi)存電壓的加減,進行優(yōu)化,當(dāng)頻率與內(nèi)存電壓都摸清楚之后,就可以繼續(xù)下一步調(diào)整內(nèi)存小參數(shù)與CPU IMC電壓加減,按照優(yōu)先級進行優(yōu)化效能即可(這一步雖然文字簡短,但操作非常耗費時間,一定要耐心進行)

接下來是展示HOF PRO D5-7000超頻成果的時候

首先是7600C34頻率,參數(shù)縮緊,這里加裝了內(nèi)存風(fēng)扇

延遲51.5ns,讀寫復(fù)制性能也相當(dāng)優(yōu)秀(112.19GB/s、117.85GB/s、112.10GB/s)

內(nèi)存P11跑分也高達4753分

這里額外測試了7600C38。無風(fēng)扇,內(nèi)存最高溫度60°通過了MT400以及TM5測試。延時56.6ns,讀寫復(fù)制性能 111.18GB/s、116.45GB/s、109.45GB/s

內(nèi)存跑分4589分,對比有風(fēng)扇且時序更低的7600MHz來說,還是遜色了不少。

最后再上一檔,8000C 36過測試

延遲52.2ns,讀寫復(fù)制均快摸到了120G大關(guān)(117.11GB/s、123.83GB/s、116.49GB/s),畢竟我這是顆i5,天生弱一些,各位的i9相信會有更好的表現(xiàn)。

內(nèi)存P11跑分4840分。整體來講,表現(xiàn)也相當(dāng)亮眼。

小結(jié):

雖然有點懵圈,但是感覺還是挺高深的,尤其是電壓、時序的知識點,就能輕松將我腦殼撐爆。不過,也不得不承認,“磚家”玩的8000MHz對比我之前一鍵8000MHz,確實綜合表現(xiàn)會更優(yōu)秀。

那么問題來了,磚家能用13600KF配790 apex輕松上8000MHz并穩(wěn)定過測,那么渣渣如我,用天雷滾滾的14700K搭配Z790刀鋒MAX主板,能上到多少頻率并穩(wěn)定過測呢?

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