特挑顆粒加炫光美學 佰維WOOKONG DX100 DDR5 RGB內(nèi)存條詳細測評
目前DDR5內(nèi)存條頻率不斷破新高,且價格一路下探,對于想要組裝一臺PC或是升級電腦配置的玩家來說,這時候購入DDR5內(nèi)存條確實是個好時機。作為國內(nèi)為數(shù)不多的存儲領域上市公司的佰維,也在今年推出了全新的WOOKONG DX100 DDR5月光寶盒內(nèi)存條,擁有超大3倍發(fā)光面RGB燈效,它以突破性工藝駕馭特挑的海力士顆粒,是專為玩家傾力打造的電競優(yōu)品。至高可選7000MHz+高頻率,帶來低時序、低延遲、低電壓的超強綜合性能表現(xiàn)。
開箱:
佰維WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條的外包裝設計非常精美,采用了彩色硬殼抗震包裝,既簡約又時尚。除此之外,內(nèi)部包裝還有透明塑殼+泡棉,這種包裝方式能夠固定內(nèi)存條,防止其在運輸過程中移動或碰撞,讓玩家們在購買前后都能夠更加放心。并且,佰維官方為其提供終身質(zhì)保服務,免去玩家們的后顧之憂。


設計:
佰維WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條的外觀設計非常吸引人,它使用銀色的壓鑄鋁合金散熱片設計,線條簡練而剛硬,給人一種堅固且時尚的感受。并且散熱馬甲內(nèi)部的3.0W/m.k 高導熱系數(shù)硅膠墊緊貼熱源,大大增強散熱速度,散熱效果更有保障。內(nèi)存條搭配兩側(cè)RGB燈條,帶來了光彩奪目的RGB視覺效果。



對于需要超頻的玩家來說,佰維WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條確實是一個非常不錯的選擇。佰維 WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條采用了目前主流的海力士Adie顆粒,內(nèi)存顆粒都為精挑,具有更高的超頻潛力。筆者這款內(nèi)存的頻率是6800MHz,C34時序,它能夠在高負荷運行時保持穩(wěn)定性和可靠性。

大面積的銀色搭配反光銀的散熱片在外觀上非常吸引眼球,尤其是在頂部設計的大面積RGB導光條,更是增添了獨特的視覺效果。不僅美觀,還能夠提供充足的燈光效果,讓整個PC看起來更加炫酷。燈條內(nèi)的高品質(zhì)燈珠能夠?qū)崿F(xiàn)無極調(diào)色,玩家們可以可以根據(jù)自己的喜好來調(diào)整燈光效果,讓整個PC更加符合自己的個人風格。



佰維內(nèi)存條采用了超頻專用的10層PCB板堆疊設計,具備更強電氣性能,優(yōu)化信號傳輸,能夠承受更大電流。這三種特性在超頻時是非常重要的,因為它可以幫助內(nèi)存條在高頻下運行的更加穩(wěn)定,從而提高超頻的成功率和穩(wěn)定性。并且在PCB上搭載了單面8顆的海力士原廠Adie顆粒,頻率6800MHz,時序為C34。并且支持XMP 3.0技術(shù),能夠提供更高效的數(shù)據(jù)傳輸和處理能力。此外,內(nèi)存條還加入了PMIC電源管理框架(不鎖電壓),這使得其能夠更好地控制內(nèi)存條的電源供應,從而保證內(nèi)存條在運行過程中的穩(wěn)定性和可靠性。

RGB燈效:
RGB燈效已經(jīng)成為PC硬件的一個重要組成部分,它為電腦外觀增添了更多的個性和魅力。佰維內(nèi)存條的超大3倍發(fā)光面RGB幻彩燈效設計非常出色,能夠根據(jù)內(nèi)存的使用情況變換色彩,這使得整個電腦外觀更加個性化,并且給玩家們帶來了全新的視覺體驗。
未開機時內(nèi)存條與整機的搭配相當協(xié)調(diào)

白天RGB燈效與亮度



夜晚RGB燈效與亮度


性能測試:
這次搭配的測試平臺來自英特爾第14代14900K CPU+ Z790二代主板平臺,這套配置可以充分發(fā)揮佰維WOOKONG DX100 RGB 內(nèi)存條的性能潛力,那么讓我們來看看這款內(nèi)存條的實際性能表現(xiàn)吧!


就超頻潛力而言,內(nèi)存條最重要的內(nèi)存顆粒。如果是追求極致性價比,那么我建議選擇海力士Adie顆粒的產(chǎn)品,比如佰維這款WOOKONG DX100 DDR5 RGB內(nèi)存條,就采用了海力士Adie顆粒,其顆粒最新的迭代版本為4.1。

在未開啟XMP的情況下,佰維內(nèi)存條在5600MHz起始頻率下的內(nèi)存測試中,讀取、寫入和復制帶寬分別是87497MB/s、77467MB/s、78685MB/s,內(nèi)存的延遲則為83.0ns。

我們先從最基礎的XMP(自動超頻)開始,稍后再進行手動超頻。此處可用于我們內(nèi)存的XMP配置文件是6800MHz,具有34-45-45-108 DRAM時序和1.4V電壓。AIDA64內(nèi)存帶寬測試,讀取可達100.82GB/s,寫入為89752MB/s,復制為93878MB/s,內(nèi)存延遲為70.2ns。
通常而言,內(nèi)存廠商的XMP配置文件都是經(jīng)過了嚴苛的測試,是個相對來說較為穩(wěn)定的方案。而在對比開啟XMP前后的性能表現(xiàn),大約有15%的性能提升。這對于不想折騰的新手玩家來說,在開啟XMP后,就可輕松體驗到DDR5 6800Mhz頻率下帶來的高性能體驗。

如果想更超一步,那么接下來則需要耐心調(diào)整時序、電壓、小參了,這是一個漫長的過程,需要耐心調(diào)整,就比如電壓給大或給小,都不一定能穩(wěn)定運行,或無法開機。這里我建議將SA電壓設置為1.28V-1.3V,內(nèi)存Gear模式設置為1/2,停止內(nèi)存快速開機。VDDQ CPU電壓設置在1.38V到1.42V之間,VDD2 CPU電壓大概在1.42V-1.46V左右。內(nèi)存電壓VDD A0設置為1.55V-1.6V、VDDQ A0設置為1.55V-1.6V之間和VPP A0設置為1.9V。

在找到預期的最高且相對穩(wěn)定的頻率后再調(diào)整內(nèi)存的小參,那么這里我小超一下,測試8000MHz頻率下是否能穩(wěn)定,時序可設置為34-52-52-58。

經(jīng)過調(diào)整測試后,8000MHz頻率下能順利開機,能通過AIDA64的內(nèi)存測試,并且它的讀寫速度提升非常明顯,分別達到了124.41GB/s、121.50GB/s,延遲也降至57.4ns。但是,在AIDA64內(nèi)存跑分測試后,無法通過TM5內(nèi)存壓力測試。最終在不斷優(yōu)化VDDQ CPU電壓、VDDQ 內(nèi)存電壓后,8000Mhz頻率+CL34時序下TM5順利通過1us測試。

對比超頻前后,內(nèi)存帶寬大幅提升至122GB/s,讀取/寫入/復制性能(對比XMP)提升約有25-30%左右,延遲也大幅降至55ns。

對于大多數(shù)游戲和軟件來說,8000MHz的內(nèi)存頻率確實是非常高的了。然而在大多數(shù)情況下,較低的內(nèi)存頻率也不會對游戲性能產(chǎn)生太大的影響,因為游戲的性能主要取決于CPU、顯卡、固態(tài)硬盤等多個因素的綜合表現(xiàn)。
當然,對于一些特別需要高內(nèi)存頻率的大型游戲或者需要處理大量數(shù)據(jù)的軟件來說,更高的內(nèi)存頻率確實也會有更好的表現(xiàn)。但是,對于絕大多數(shù)玩家來說,8000MHz的內(nèi)存頻率已經(jīng)足夠滿足他們的使用需求了!值得一提的是,8000MHz頻率并不是我這套配置的終點,已經(jīng)購入此內(nèi)存套條的玩家也可以接著嘗試超頻。
總結(jié):
佰維WOOKONG DX100 DDR5月光寶盒 6800MHz RGB內(nèi)存條是一款非常出色的內(nèi)存條,它的外觀設計精美、綺麗多姿的RGB幻彩燈效、散熱性能出色、性能表現(xiàn)優(yōu)異。如果您正在尋找一款高性能的DDR5內(nèi)存條,并且注重外觀和散熱性能,那么佰維WOOKONG DX100確實是一個非常不錯的選擇!
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