• High Bandwidth修改為啟用
• Low Latency修改為啟用

這里放一下測試圖，TM5的1us腳本過測，使用6800MHz+C34的XMP預設(shè)，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

• 讀取速度為100.29GB/s
• 寫入速度為101.24GB/s
• 拷貝速度為100.43GB/s
• 延遲為65.8ns

看過上一篇兩根超頻的朋友應該發(fā)現(xiàn)了問題，按頻率比例來說，這四根內(nèi)存的讀寫速度比兩根要低一些，這是正常的。

這里放一下和內(nèi)存性能直接掛鉤的解壓縮測試做量化對比，使用7-Zip自帶的Benchmark，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

• 10輪測試的最終分數(shù)為220.280GIPS

手動超頻測試

超頻流程就不重復介紹了，四根插滿的超頻上限要比兩根低很多，和大家說一下四擋硬件的基本盤：

• 較差體質(zhì)CPU+不管啥主板，能穩(wěn)定6000MHz+C32就算成功。
• 一般體質(zhì)CPU+二線主板的四槽Z系列主板，6400MHz+C32基本都沒問題。
• 一般體質(zhì)CPU+一線主板的四槽Z系列主板，6800MHz+C34基本都沒問題。
• 大雕體質(zhì)CPU+一線主板的四槽Z系列主板，可以嘗試摸7600MHz+C36甚至更高。

本次演示環(huán)境屬于第三檔，最后手動超頻也是成功超到7200MHz+C34過測，如果你的板U連6800MHz的XMP預設(shè)都過不去，就得手動修改電壓進行微調(diào)。

說完基本盤就是電壓，本次四根7200MHz穩(wěn)定過測的各項電壓參數(shù)和兩根8000MHz差不多，僅需要微微降低VDD2和內(nèi)存電壓，這個結(jié)論沒大量案例支持不一定準，僅供大家參考。

下面分享下我的超頻配置，請大家注意區(qū)分可以抄和不能超的地方，都會有說明的第一步，進入BIOS的“頻率/電壓控制”：

• 停用下圖圈出來的所有選項
• 頻率修改為你的目標

以上直接照抄，初次超頻千萬不要給太高頻率，一點一點加。

第二步，進入上圖的“高級內(nèi)存設(shè)定”配置頁面，修改下圖圈出來的三項：

• 內(nèi)存參考頻率修改為100
• Gear模式修改為Gear2
• SA GV修改為停用

以上直接照抄。

第三步，進入上圖的“內(nèi)存通道時序”配置頁面，修改下圖圈出來的四項：

• tCL修改為34
• tRCD修改為48
• tRP修改為48
• tRAS修改為78

這組時序非常寬松，7200MHz及以內(nèi)的頻率直接照抄。

第四步，回到“頻率/電壓控制”首頁，一定要看說明，修改下圖圈出來的三項：

• CPU代理電壓修改為1.30V，如果TM5報對應錯誤，單次調(diào)整電壓±0.01V。
• VDDQ CPU電壓修改為1.32V，如果TM5報對應錯誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。
• VDD2 CPU電壓修改為1.42V，如果TM5報對應錯誤，單次調(diào)整電壓±0.01V。

VDDQ和VDD2電壓我這里給的很低，部分CPU的甜點電壓比較高，單次加壓一定要少，千萬別一下子直接加很高，很容易錯過甜點電壓。

第五步，上一步頁面進入“內(nèi)存電壓控制”頁面，修改下圖圈出來的三項：

• VDD電壓修改為1.42V，如果TM5報對應錯誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。
• VDDQ電壓修改為1.42V，如果TM5報對應錯誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。
• VPP電壓修改為1.9V，改完就不用動了。

和CPU電壓一樣，單次加壓一定要少，全部配置完成后點“儲存并離開”，保存配置并重啟電腦，按照上面的流程圖循環(huán)加頻率測試，啟動可能比較慢，千萬不要急。

放一下測試圖，TM5的1us腳本過測，使用6800MHz+C34的XMP預設(shè)，開啟大帶寬+低延遲模式，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

• 讀取速度為106.30GB/s，對比XMP預設(shè)提升5.99%。
• 寫入速度為107.08GB/s，對比XMP預設(shè)提升5.77%。
• 拷貝速度為106.47GB/s，對比XMP預設(shè)提升6.01%。
• 延遲為62.0ns，對比XMP預設(shè)優(yōu)化6.13%。

其次是7-Zip自帶的Benchmark，測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

• 10輪測試的最終分數(shù)為224.323GIPS，對比XMP預設(shè)提升1.84%。

雖然看著提升不大，實際上用得到大容量內(nèi)存的場景一般都是多任務，如果多進程并發(fā)運行且每個都能有1%的提升，那么累加起來就不少了。

最后對比四根插滿與僅上兩根的數(shù)據(jù)，兩根7200MHz+C36+大帶寬低延遲模式的測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

• 兩根7200MHz的讀取速度為111.49GB/s，對比四根7200MHz高出4.88%。
• 兩根7200MHz的寫入速度為110.46GB/s，對比四根7200MHz高出3.16%。
• 兩根7200MHz的拷貝速度為105.97GB/s，對比四根7200MHz低了0.47%。
• 兩根7200MHz的延遲為63.8ns，對比四根7200MHz高出2.90%。

通過數(shù)據(jù)對比可以得出結(jié)論，在同頻率前提下，即使兩根組的時序更高，四根的讀寫能力綜合來看也是略差，我個人認為可以接受，畢竟DDR4也這樣。

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