近期隨著黑神話的大火，極大帶動了電腦硬件市場的需求，又恰好趕上Intel 13、14代不穩(wěn)定問題的爆出，導致很多玩家把AMD為首選平臺，趕巧AMD也是在近期推出了新一代ZEN5平臺9000系列CPU，我也是入手了一顆最新的R5 9600X，今天就來測試一下最新的ZEN5平臺內(nèi)存頻率支持，以及淺聊裝機內(nèi)存怎么選。

同頻OR分頻

不同于Intel，AMD在Ryzen處理器上采用了I/O單元和計算單元分開的設計，也就是內(nèi)存控制器和CPU核心是分開的，兩者通過Infinity Fabric總線來進行通信，而Infinity Fabric總線頻率FCLK（Fabric Clock），通常需要和內(nèi)存控制器UCLK（Memory Controller Clock）以1:1的模式進行時鐘調(diào)節(jié)，以便獲得最佳性能，但是由于現(xiàn)有Infinity Fabric總線封裝工藝原因導致FCLK頻率受限，同頻模式極大限制了內(nèi)存頻率。

為了打破這種限制，AMD在Zen 2架構中引入了IF總線與內(nèi)存的分頻機制，也就是FCLK和UCLK可以突破1:1同頻的限制：當內(nèi)存頻率超過FCLK的時候，處理器就會自動切換到內(nèi)存/IF總線頻率2:1模式。這樣就避免了內(nèi)存頻率受Infinity Fabric總線限制，從而獲得更高的內(nèi)存帶寬，但弊端就是分頻模式會導致內(nèi)存延時的增加。

比如在ZEN4平臺，也就是AMD 銳龍7000系列CPU平臺，使用DDR5內(nèi)存的同頻甜點頻率為6000MHz，極少數(shù)體質較好的CPU可以達到6400MHz，超過6400MHz就會運行在分頻模式下。這點在最新的ZEN5平臺，也就新出的AMD銳龍9000系依舊。

不過新一代AMD銳龍9000系在DDR5內(nèi)存支持上也是有所改變。最新的AM5 AGESA微碼引入了DDR5 Nitro模式，原生支持DDR5-5600，相比起上代DDR5-5200有所提升；另外增加了內(nèi)存超頻的支持，支持最高DDR5-6400同頻和DDR5-8000分頻，據(jù)說AMD也是要在ZEN5這一代強推DDR5-8000頻率，即使是以分頻模式運行。

了解了什么是同頻，什么是分頻，下面就來實測一下最新的AMD Ryzen 9600X的內(nèi)存頻率支持。

測試平臺

CPU | AMD Ryzen 5 9600X

作為ZEN5架構的首發(fā)型號，AMD 9600X屬于Ryzen 5系列，相當于Intel平臺的i5。和Intel不斷塞小核不同，AMD 9600X依舊采用的是6核心12線程，不過跟上一代7600X相比，從架構到工藝，再到性能都有全方面的提升。

CPU外包裝延續(xù)了上一代的設計，不過顏色更深，橙色線條更為粗獷有力。

CPU頂蓋也是和上一代一樣的設計，頂蓋開口處的電容都有點膠加固，工藝上還是很厚道的，輕易不會出現(xiàn)掉電容的情況。

CPU背部觸點，AMD 9000系列依舊采用的是跟7000系列相同的AM5接口，可以繼續(xù)使用目前的600系列芯片組主板，后續(xù)也有800系列芯片組新主板可搭配。

Ryzen 5 9600X為6核心12線程設計，基礎頻率3.9GHz，加速頻率5.4GHz，32MB三級緩存，二級緩存6MB，跟上代相比CPU核心（CCD）采用更先進的臺積電4nm制程，熱設計功耗TDP也降為65W，對比7600X除了加速頻率提升了0.1GHz，浮點運算性能也得到了增強，擁有了完整位寬的AVX 512指令集，在支持AVX 512指令集的程序中性能提升明顯。

主板 | 七彩虹 CVN B650M戰(zhàn)列艦

本次測試使用的是七彩虹CVN系列B650M戰(zhàn)列艦主板，目前不到900的售價在同規(guī)格主板中也算比較實在。主板外觀依舊是七彩虹CVN系列熟悉的設計，主板散熱裝甲上的65“舷號”表明了這是一張B650芯片組主板。

主板采用12+2+1相供電設計，供電元件采用三合一高規(guī)格55A Dr.Mos，搭配10K黑金固態(tài)電容，在同價位用料可以說是超規(guī)格了，這個供電完全可以輕松駕馭R9級別CPU。

4個DDR5內(nèi)存插槽，支持AMD EXPO技術，七彩虹給到的頻率支持是最高可以支持7600+OC頻率。

兩條全長PCIe插槽全都采用了合金強化設計，上面直連CPU的插槽第一插槽支持PCIe5.0 X16速率，最高帶寬128GB/s；第二插槽位PCIe 4.0x4速率，由主板芯片組提供。同時主板配置了兩條M.2硬盤位，均支持PCIe5.0。

主板采用一體式后置I/O擋板，接口配置上，DP1.2和HDMI1.4兩個視頻接口，一個10G USB接口，一個10G Type-C接口，四個USB 2.0、兩個5G USB、一個2.5Gbps有線網(wǎng)口、一組兩個Wi-Fi6天線、和一組6個3.5mm音頻接口。

內(nèi)存 | 阿斯加特 吹雪DDR5 6400 16GB×2

這次測試特意挑選了XMP/EXPO頻率為6400的

阿斯加特ROG吹雪聯(lián)名DDR5內(nèi)存。

內(nèi)存外觀采用雙面差異設計，A面是跟華碩吹雪主板一樣的黑白配色，白色散熱馬甲上印有吹雪姬二次元IP形象，左上角黑色飾條上印有ROG STRIX，右下角則是Asgard。

內(nèi)存B面少了黑色的裝飾條，取而代之的是更多的乳白色導光條露出，阿斯加特吹雪內(nèi)存為雙導光設計，8個獨立燈光控制區(qū)域，以確保RGB燈光效果。

上機效果可以看我之前使用這套內(nèi)存裝機的效果。

在內(nèi)存用料上，阿斯加特吹雪內(nèi)存使用的是10層強化PCB，加上30μm金手指，可以為內(nèi)存高速運行提供穩(wěn)定高效的電氣性能。同時搭配嚴選海力士A-die內(nèi)存顆粒，在XMP/EXPO預設頻率之外擁有不俗的手動超頻性能，這也是本次測試選擇這套內(nèi)存的主要原因。

內(nèi)存性能測試

測試第一步，當然是先更新主板BIOS，以獲取對9000系CPU的支持。

在板廠官網(wǎng)可以看到，七彩虹CVN B650M戰(zhàn)列艦主板最新1007版本BIOS已經(jīng)增加了9000系列CPU的支持，并且AGESA微碼已經(jīng)更新到了1.2.0.0版本。

更新完BIOS后開機進入BIOS設置，可以看到已經(jīng)是最新的1007版本BIOS，這套阿斯加特吹雪內(nèi)存原生頻率為4800MHz。

進入系統(tǒng)使用CPU-Z查看SPD信息，可以看到內(nèi)存顆粒制造商為SK Hynix，也就是海力士，內(nèi)存生產(chǎn)日期為24年26周，非常新鮮。時序方面分別有兩組XMP/EXPO預設：一組6400頻率預設，一組為6000頻率預設，時序均為32-38-38-90-128，內(nèi)存工作電壓均為1.35V。

下面就來用這套內(nèi)存測試一下新一代9000系CPU內(nèi)存在不同頻率下的讀取延遲性能。

同頻EXPO6000-CL32-38-38-90測試

首先是EXPO6000預設的性能，進入BIOS選擇EXPO2設置，載入EXPO6000預設。

同頻模式EXPO6000使用AIDA 64內(nèi)存測試跑分結果如下：

• 讀取速度58494MB/s；
• 寫入速度80151MB/s；
• 拷貝速度53836MB/s；
• 延遲68.4ns。

這個能效成績對于AMD平臺來說已經(jīng)非常優(yōu)秀了。

分頻EXPO6400-CL32-38-38-90測試

這里先嘗試了同頻模式下開啟EXPO6400頻率，可以開機，但是運行內(nèi)存Benchmark測試系統(tǒng)崩潰藍屏，也就是無法在同頻模式下穩(wěn)定6400頻率。

EXPO6400分頻模式下AIDA 64內(nèi)存測試跑分結果：

• 讀取速度56611MB/s；
• 寫入速度79671MB/s；
• 拷貝速度53888MB/s；
• 延遲70.6ns。

對比同頻模式下EXPO6000可以看到內(nèi)存除了復制表現(xiàn)，讀寫和延遲表現(xiàn)都有所降低。

分頻手動7600-CL36-46-46-84測試

阿斯加特吹雪內(nèi)存使用的是海力士A-die顆粒，擁有出色的超頻性能，之前我在Intel平臺也做過超頻測試，這次也是第一次在AMD平臺進行手動超頻嘗試，不過現(xiàn)在AMD平臺現(xiàn)在內(nèi)存超頻確實也比較輕松，這里也是超頻到7600CL36頻率。

分頻模式手動超頻到7600頻率CL36時序下AIDA 64內(nèi)存測試跑分結果：

• 讀取速度56111MB/s；
• 寫入速度80810MB/s；
• 拷貝速度54623MB/s；
• 延遲66.2ns。

可以看到手動超頻到7600頻率，除了讀取數(shù)據(jù)對比6000CL32同頻模式有所下降，內(nèi)存寫入、復制和延遲表現(xiàn)都有提升，可見在AMD平臺，分頻模式下沖擊高頻也是有意義的。

同頻手動6000-CL28-35-35-76測試

這里再來測試一下6000甜點頻率下縮小時序的內(nèi)存性能表現(xiàn)，依舊是6000頻率，時序縮小為CL28-35-35-76，海力士A-die顆粒內(nèi)存出色的超頻性能不僅限于超高頻，也可以壓時序。

AIDA 64內(nèi)存測試跑分結果：

• 讀取速度58608MB/s；
• 寫入速度81357MB/s；
• 拷貝速度55876MB/s；
• 延遲64.9ns。

對比7600CL36分頻模式下的內(nèi)存表現(xiàn)，6000CL28同頻模式下，內(nèi)存讀寫、復制、延遲都有提升，對比EXPO6000CL32同頻模式，同樣各項參數(shù)均有提升。

測試小結

最后再來看看測試數(shù)據(jù)匯總對比，可能不同主板和時序小參設置會有差異，本次測試是在同平臺下測得，還是能夠看到，新的AMD 9000系列CPU搭配B650主板，6000MHz依舊是甜點頻率，在6000MHz頻率下可以盡量縮小時序以獲取性能提升。在分頻模式下，超頻到7600頻率以上也能獲得不錯的內(nèi)存性能。

AMD平臺DDR5裝機內(nèi)存選購

從AMD最新一代CPU的支持和實測來看，DDR5內(nèi)存頻率不再是限制，那么在使用AMD 7000系或9000系列CPU進行裝機的時候，內(nèi)存究竟該怎么選？

如果你是跟我一樣，有不錯的動手能力，選擇海力士A-die顆?；蛐翸-die顆粒的DDR5內(nèi)存就可以了，無論是在分頻模式下手動超頻到7600以上頻率，還是同頻模式下以6000CL28甚至更低時序運行都沒什么問題，就像我這里使用的阿斯加特吹雪6400聯(lián)名內(nèi)存。

如果不會手動超頻，現(xiàn)在也有很多專門針對AMD平臺推出的，預設EXPO6000CL28頻率時序的內(nèi)存產(chǎn)品，比如阿斯加特女武神二代6000頻率這款，可以一鍵開啟6000CL28，另外這款內(nèi)存同樣使用的是海力士A-die可以，一樣可以超頻。

如果預算有限，則推薦使用海力士M-die顆粒的6000CL30內(nèi)存產(chǎn)品，一樣是6000MHz的甜點頻率，CL30的時序也還可以，價格上要便宜很多。

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