近期隨著黑神話的大火，極大帶動(dòng)了電腦硬件市場的需求，又恰好趕上Intel 13、14代不穩(wěn)定問題的爆出，導(dǎo)致很多玩家把AMD為首選平臺(tái)，趕巧AMD也是在近期推出了新一代ZEN5平臺(tái)9000系列CPU，我也是入手了一顆最新的R5 9600X，今天就來測試一下最新的ZEN5平臺(tái)內(nèi)存頻率支持，以及淺聊裝機(jī)內(nèi)存怎么選。

同頻OR分頻

不同于Intel，AMD在Ryzen處理器上采用了I/O單元和計(jì)算單元分開的設(shè)計(jì)，也就是內(nèi)存控制器和CPU核心是分開的，兩者通過Infinity Fabric總線來進(jìn)行通信，而Infinity Fabric總線頻率FCLK（Fabric Clock），通常需要和內(nèi)存控制器UCLK（Memory Controller Clock）以1:1的模式進(jìn)行時(shí)鐘調(diào)節(jié)，以便獲得最佳性能，但是由于現(xiàn)有Infinity Fabric總線封裝工藝原因?qū)е翭CLK頻率受限，同頻模式極大限制了內(nèi)存頻率。

為了打破這種限制，AMD在Zen 2架構(gòu)中引入了IF總線與內(nèi)存的分頻機(jī)制，也就是FCLK和UCLK可以突破1:1同頻的限制：當(dāng)內(nèi)存頻率超過FCLK的時(shí)候，處理器就會(huì)自動(dòng)切換到內(nèi)存/IF總線頻率2:1模式。這樣就避免了內(nèi)存頻率受Infinity Fabric總線限制，從而獲得更高的內(nèi)存帶寬，但弊端就是分頻模式會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存延時(shí)的增加。

比如在ZEN4平臺(tái)，也就是AMD 銳龍7000系列CPU平臺(tái)，使用DDR5內(nèi)存的同頻甜點(diǎn)頻率為6000MHz，極少數(shù)體質(zhì)較好的CPU可以達(dá)到6400MHz，超過6400MHz就會(huì)運(yùn)行在分頻模式下。這點(diǎn)在最新的ZEN5平臺(tái)，也就新出的AMD銳龍9000系依舊。

不過新一代AMD銳龍9000系在DDR5內(nèi)存支持上也是有所改變。最新的AM5 AGESA微碼引入了DDR5 Nitro模式，原生支持DDR5-5600，相比起上代DDR5-5200有所提升；另外增加了內(nèi)存超頻的支持，支持最高DDR5-6400同頻和DDR5-8000分頻，據(jù)說AMD也是要在ZEN5這一代強(qiáng)推DDR5-8000頻率，即使是以分頻模式運(yùn)行。

了解了什么是同頻，什么是分頻，下面就來實(shí)測一下最新的AMD Ryzen 9600X的內(nèi)存頻率支持。

測試平臺(tái)

CPU | AMD Ryzen 5 9600X

作為ZEN5架構(gòu)的首發(fā)型號(hào)，AMD 9600X屬于Ryzen 5系列，相當(dāng)于Intel平臺(tái)的i5。和Intel不斷塞小核不同，AMD 9600X依舊采用的是6核心12線程，不過跟上一代7600X相比，從架構(gòu)到工藝，再到性能都有全方面的提升。

CPU外包裝延續(xù)了上一代的設(shè)計(jì)，不過顏色更深，橙色線條更為粗獷有力。

CPU頂蓋也是和上一代一樣的設(shè)計(jì)，頂蓋開口處的電容都有點(diǎn)膠加固，工藝上還是很厚道的，輕易不會(huì)出現(xiàn)掉電容的情況。

CPU背部觸點(diǎn)，AMD 9000系列依舊采用的是跟7000系列相同的AM5接口，可以繼續(xù)使用目前的600系列芯片組主板，后續(xù)也有800系列芯片組新主板可搭配。

Ryzen 5 9600X為6核心12線程設(shè)計(jì)，基礎(chǔ)頻率3.9GHz，加速頻率5.4GHz，32MB三級(jí)緩存，二級(jí)緩存6MB，跟上代相比CPU核心（CCD）采用更先進(jìn)的臺(tái)積電4nm制程，熱設(shè)計(jì)功耗TDP也降為65W，對(duì)比7600X除了加速頻率提升了0.1GHz，浮點(diǎn)運(yùn)算性能也得到了增強(qiáng)，擁有了完整位寬的AVX 512指令集，在支持AVX 512指令集的程序中性能提升明顯。

主板 | 七彩虹 CVN B650M戰(zhàn)列艦

本次測試使用的是七彩虹CVN系列B650M戰(zhàn)列艦主板，目前不到900的售價(jià)在同規(guī)格主板中也算比較實(shí)在。主板外觀依舊是七彩虹CVN系列熟悉的設(shè)計(jì)，主板散熱裝甲上的65“舷號(hào)”表明了這是一張B650芯片組主板。

主板采用12+2+1相供電設(shè)計(jì)，供電元件采用三合一高規(guī)格55A Dr.Mos，搭配10K黑金固態(tài)電容，在同價(jià)位用料可以說是超規(guī)格了，這個(gè)供電完全可以輕松駕馭R9級(jí)別CPU。

4個(gè)DDR5內(nèi)存插槽，支持AMD EXPO技術(shù)，七彩虹給到的頻率支持是最高可以支持7600+OC頻率。

兩條全長PCIe插槽全都采用了合金強(qiáng)化設(shè)計(jì)，上面直連CPU的插槽第一插槽支持PCIe5.0 X16速率，最高帶寬128GB/s；第二插槽位PCIe 4.0x4速率，由主板芯片組提供。同時(shí)主板配置了兩條M.2硬盤位，均支持PCIe5.0。

主板采用一體式后置I/O擋板，接口配置上，DP1.2和HDMI1.4兩個(gè)視頻接口，一個(gè)10G USB接口，一個(gè)10G Type-C接口，四個(gè)USB 2.0、兩個(gè)5G USB、一個(gè)2.5Gbps有線網(wǎng)口、一組兩個(gè)Wi-Fi6天線、和一組6個(gè)3.5mm音頻接口。

內(nèi)存 | 阿斯加特 吹雪DDR5 6400 16GB×2

這次測試特意挑選了XMP/EXPO頻率為6400的

阿斯加特ROG吹雪聯(lián)名DDR5內(nèi)存。

內(nèi)存外觀采用雙面差異設(shè)計(jì)，A面是跟華碩吹雪主板一樣的黑白配色，白色散熱馬甲上印有吹雪姬二次元IP形象，左上角黑色飾條上印有ROG STRIX，右下角則是Asgard。

內(nèi)存B面少了黑色的裝飾條，取而代之的是更多的乳白色導(dǎo)光條露出，阿斯加特吹雪內(nèi)存為雙導(dǎo)光設(shè)計(jì)，8個(gè)獨(dú)立燈光控制區(qū)域，以確保RGB燈光效果。

上機(jī)效果可以看我之前使用這套內(nèi)存裝機(jī)的效果。

在內(nèi)存用料上，阿斯加特吹雪內(nèi)存使用的是10層強(qiáng)化PCB，加上30μm金手指，可以為內(nèi)存高速運(yùn)行提供穩(wěn)定高效的電氣性能。同時(shí)搭配嚴(yán)選海力士A-die內(nèi)存顆粒，在XMP/EXPO預(yù)設(shè)頻率之外擁有不俗的手動(dòng)超頻性能，這也是本次測試選擇這套內(nèi)存的主要原因。

內(nèi)存性能測試

測試第一步，當(dāng)然是先更新主板BIOS，以獲取對(duì)9000系CPU的支持。

在板廠官網(wǎng)可以看到，七彩虹CVN B650M戰(zhàn)列艦主板最新1007版本BIOS已經(jīng)增加了9000系列CPU的支持，并且AGESA微碼已經(jīng)更新到了1.2.0.0版本。

更新完BIOS后開機(jī)進(jìn)入BIOS設(shè)置，可以看到已經(jīng)是最新的1007版本BIOS，這套阿斯加特吹雪內(nèi)存原生頻率為4800MHz。

進(jìn)入系統(tǒng)使用CPU-Z查看SPD信息，可以看到內(nèi)存顆粒制造商為SK Hynix，也就是海力士，內(nèi)存生產(chǎn)日期為24年26周，非常新鮮。時(shí)序方面分別有兩組XMP/EXPO預(yù)設(shè)：一組6400頻率預(yù)設(shè)，一組為6000頻率預(yù)設(shè)，時(shí)序均為32-38-38-90-128，內(nèi)存工作電壓均為1.35V。

下面就來用這套內(nèi)存測試一下新一代9000系CPU內(nèi)存在不同頻率下的讀取延遲性能。

同頻EXPO6000-CL32-38-38-90測試

首先是EXPO6000預(yù)設(shè)的性能，進(jìn)入BIOS選擇EXPO2設(shè)置，載入EXPO6000預(yù)設(shè)。

同頻模式EXPO6000使用AIDA 64內(nèi)存測試跑分結(jié)果如下：

• 讀取速度58494MB/s；
• 寫入速度80151MB/s；
• 拷貝速度53836MB/s；
• 延遲68.4ns。

這個(gè)能效成績對(duì)于AMD平臺(tái)來說已經(jīng)非常優(yōu)秀了。

分頻EXPO6400-CL32-38-38-90測試

這里先嘗試了同頻模式下開啟EXPO6400頻率，可以開機(jī)，但是運(yùn)行內(nèi)存Benchmark測試系統(tǒng)崩潰藍(lán)屏，也就是無法在同頻模式下穩(wěn)定6400頻率。

EXPO6400分頻模式下AIDA 64內(nèi)存測試跑分結(jié)果：

• 讀取速度56611MB/s；
• 寫入速度79671MB/s；
• 拷貝速度53888MB/s；
• 延遲70.6ns。

對(duì)比同頻模式下EXPO6000可以看到內(nèi)存除了復(fù)制表現(xiàn)，讀寫和延遲表現(xiàn)都有所降低。

分頻手動(dòng)7600-CL36-46-46-84測試

阿斯加特吹雪內(nèi)存使用的是海力士A-die顆粒，擁有出色的超頻性能，之前我在Intel平臺(tái)也做過超頻測試，這次也是第一次在AMD平臺(tái)進(jìn)行手動(dòng)超頻嘗試，不過現(xiàn)在AMD平臺(tái)現(xiàn)在內(nèi)存超頻確實(shí)也比較輕松，這里也是超頻到7600CL36頻率。

分頻模式手動(dòng)超頻到7600頻率CL36時(shí)序下AIDA 64內(nèi)存測試跑分結(jié)果：

• 讀取速度56111MB/s；
• 寫入速度80810MB/s；
• 拷貝速度54623MB/s；
• 延遲66.2ns。

可以看到手動(dòng)超頻到7600頻率，除了讀取數(shù)據(jù)對(duì)比6000CL32同頻模式有所下降，內(nèi)存寫入、復(fù)制和延遲表現(xiàn)都有提升，可見在AMD平臺(tái)，分頻模式下沖擊高頻也是有意義的。

同頻手動(dòng)6000-CL28-35-35-76測試

這里再來測試一下6000甜點(diǎn)頻率下縮小時(shí)序的內(nèi)存性能表現(xiàn)，依舊是6000頻率，時(shí)序縮小為CL28-35-35-76，海力士A-die顆粒內(nèi)存出色的超頻性能不僅限于超高頻，也可以壓時(shí)序。

AIDA 64內(nèi)存測試跑分結(jié)果：

• 讀取速度58608MB/s；
• 寫入速度81357MB/s；
• 拷貝速度55876MB/s；
• 延遲64.9ns。

對(duì)比7600CL36分頻模式下的內(nèi)存表現(xiàn)，6000CL28同頻模式下，內(nèi)存讀寫、復(fù)制、延遲都有提升，對(duì)比EXPO6000CL32同頻模式，同樣各項(xiàng)參數(shù)均有提升。

測試小結(jié)

最后再來看看測試數(shù)據(jù)匯總對(duì)比，可能不同主板和時(shí)序小參設(shè)置會(huì)有差異，本次測試是在同平臺(tái)下測得，還是能夠看到，新的AMD 9000系列CPU搭配B650主板，6000MHz依舊是甜點(diǎn)頻率，在6000MHz頻率下可以盡量縮小時(shí)序以獲取性能提升。在分頻模式下，超頻到7600頻率以上也能獲得不錯(cuò)的內(nèi)存性能。

AMD平臺(tái)DDR5裝機(jī)內(nèi)存選購

從AMD最新一代CPU的支持和實(shí)測來看，DDR5內(nèi)存頻率不再是限制，那么在使用AMD 7000系或9000系列CPU進(jìn)行裝機(jī)的時(shí)候，內(nèi)存究竟該怎么選？

如果你是跟我一樣，有不錯(cuò)的動(dòng)手能力，選擇海力士A-die顆粒或新M-die顆粒的DDR5內(nèi)存就可以了，無論是在分頻模式下手動(dòng)超頻到7600以上頻率，還是同頻模式下以6000CL28甚至更低時(shí)序運(yùn)行都沒什么問題，就像我這里使用的阿斯加特吹雪6400聯(lián)名內(nèi)存。

如果不會(huì)手動(dòng)超頻，現(xiàn)在也有很多專門針對(duì)AMD平臺(tái)推出的，預(yù)設(shè)EXPO6000CL28頻率時(shí)序的內(nèi)存產(chǎn)品，比如阿斯加特女武神二代6000頻率這款，可以一鍵開啟6000CL28，另外這款內(nèi)存同樣使用的是海力士A-die可以，一樣可以超頻。

如果預(yù)算有限，則推薦使用海力士M-die顆粒的6000CL30內(nèi)存產(chǎn)品，一樣是6000MHz的甜點(diǎn)頻率，CL30的時(shí)序也還可以，價(jià)格上要便宜很多。

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