同頻OR分頻怎么選? 斯加特吹雪DDR5內(nèi)存實(shí)測(cè)

近期隨著黑神話的大火,極大帶動(dòng)了電腦硬件市場(chǎng)的需求,又恰好趕上Intel 13、14代不穩(wěn)定問(wèn)題的爆出,導(dǎo)致很多玩家把AMD為首選平臺(tái),趕巧AMD也是在近期推出了新一代ZEN5平臺(tái)9000系列CPU,我也是入手了一顆最新的R5 9600X,今天就來(lái)測(cè)試一下最新的ZEN5平臺(tái)內(nèi)存頻率支持,以及淺聊裝機(jī)內(nèi)存怎么選。
同頻OR分頻
不同于Intel,AMD在Ryzen處理器上采用了I/O單元和計(jì)算單元分開(kāi)的設(shè)計(jì),也就是內(nèi)存控制器和CPU核心是分開(kāi)的,兩者通過(guò)Infinity Fabric總線來(lái)進(jìn)行通信,而Infinity Fabric總線頻率FCLK(Fabric Clock),通常需要和內(nèi)存控制器UCLK(Memory Controller Clock)以1:1的模式進(jìn)行時(shí)鐘調(diào)節(jié),以便獲得最佳性能,但是由于現(xiàn)有Infinity Fabric總線封裝工藝原因?qū)е翭CLK頻率受限,同頻模式極大限制了內(nèi)存頻率。
為了打破這種限制,AMD在Zen 2架構(gòu)中引入了IF總線與內(nèi)存的分頻機(jī)制,也就是FCLK和UCLK可以突破1:1同頻的限制:當(dāng)內(nèi)存頻率超過(guò)FCLK的時(shí)候,處理器就會(huì)自動(dòng)切換到內(nèi)存/IF總線頻率2:1模式。這樣就避免了內(nèi)存頻率受Infinity Fabric總線限制,從而獲得更高的內(nèi)存帶寬,但弊端就是分頻模式會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存延時(shí)的增加。
比如在ZEN4平臺(tái),也就是AMD 銳龍7000系列CPU平臺(tái),使用DDR5內(nèi)存的同頻甜點(diǎn)頻率為6000MHz,極少數(shù)體質(zhì)較好的CPU可以達(dá)到6400MHz,超過(guò)6400MHz就會(huì)運(yùn)行在分頻模式下。這點(diǎn)在最新的ZEN5平臺(tái),也就新出的AMD銳龍9000系依舊。
不過(guò)新一代AMD銳龍9000系在DDR5內(nèi)存支持上也是有所改變。最新的AM5 AGESA微碼引入了DDR5 Nitro模式,原生支持DDR5-5600,相比起上代DDR5-5200有所提升;另外增加了內(nèi)存超頻的支持,支持最高DDR5-6400同頻和DDR5-8000分頻,據(jù)說(shuō)AMD也是要在ZEN5這一代強(qiáng)推DDR5-8000頻率,即使是以分頻模式運(yùn)行。
了解了什么是同頻,什么是分頻,下面就來(lái)實(shí)測(cè)一下最新的AMD Ryzen 9600X的內(nèi)存頻率支持。
測(cè)試平臺(tái)
CPU | AMD Ryzen 5 9600X
作為ZEN5架構(gòu)的首發(fā)型號(hào),AMD 9600X屬于Ryzen 5系列,相當(dāng)于Intel平臺(tái)的i5。和Intel不斷塞小核不同,AMD 9600X依舊采用的是6核心12線程,不過(guò)跟上一代7600X相比,從架構(gòu)到工藝,再到性能都有全方面的提升。
CPU外包裝延續(xù)了上一代的設(shè)計(jì),不過(guò)顏色更深,橙色線條更為粗獷有力。
CPU頂蓋也是和上一代一樣的設(shè)計(jì),頂蓋開(kāi)口處的電容都有點(diǎn)膠加固,工藝上還是很厚道的,輕易不會(huì)出現(xiàn)掉電容的情況。
CPU背部觸點(diǎn),AMD 9000系列依舊采用的是跟7000系列相同的AM5接口,可以繼續(xù)使用目前的600系列芯片組主板,后續(xù)也有800系列芯片組新主板可搭配。
Ryzen 5 9600X為6核心12線程設(shè)計(jì),基礎(chǔ)頻率3.9GHz,加速頻率5.4GHz,32MB三級(jí)緩存,二級(jí)緩存6MB,跟上代相比CPU核心(CCD)采用更先進(jìn)的臺(tái)積電4nm制程,熱設(shè)計(jì)功耗TDP也降為65W,對(duì)比7600X除了加速頻率提升了0.1GHz,浮點(diǎn)運(yùn)算性能也得到了增強(qiáng),擁有了完整位寬的AVX 512指令集,在支持AVX 512指令集的程序中性能提升明顯。
主板 | 七彩虹 CVN B650M戰(zhàn)列艦
本次測(cè)試使用的是七彩虹CVN系列B650M戰(zhàn)列艦主板,目前不到900的售價(jià)在同規(guī)格主板中也算比較實(shí)在。主板外觀依舊是七彩虹CVN系列熟悉的設(shè)計(jì),主板散熱裝甲上的65“舷號(hào)”表明了這是一張B650芯片組主板。
主板采用12+2+1相供電設(shè)計(jì),供電元件采用三合一高規(guī)格55A Dr.Mos,搭配10K黑金固態(tài)電容,在同價(jià)位用料可以說(shuō)是超規(guī)格了,這個(gè)供電完全可以輕松駕馭R9級(jí)別CPU。
4個(gè)DDR5內(nèi)存插槽,支持AMD EXPO技術(shù),七彩虹給到的頻率支持是最高可以支持7600+OC頻率。
兩條全長(zhǎng)PCIe插槽全都采用了合金強(qiáng)化設(shè)計(jì),上面直連CPU的插槽第一插槽支持PCIe5.0 X16速率,最高帶寬128GB/s;第二插槽位PCIe 4.0x4速率,由主板芯片組提供。同時(shí)主板配置了兩條M.2硬盤(pán)位,均支持PCIe5.0。
主板采用一體式后置I/O擋板,接口配置上,DP1.2和HDMI1.4兩個(gè)視頻接口,一個(gè)10G USB接口,一個(gè)10G Type-C接口,四個(gè)USB 2.0、兩個(gè)5G USB、一個(gè)2.5Gbps有線網(wǎng)口、一組兩個(gè)Wi-Fi6天線、和一組6個(gè)3.5mm音頻接口。
內(nèi)存 | 阿斯加特 吹雪DDR5 6400 16GB×2
這次測(cè)試特意挑選了XMP/EXPO頻率為6400的
阿斯加特ROG吹雪聯(lián)名DDR5內(nèi)存。
內(nèi)存外觀采用雙面差異設(shè)計(jì),A面是跟華碩吹雪主板一樣的黑白配色,白色散熱馬甲上印有吹雪姬二次元IP形象,左上角黑色飾條上印有ROG STRIX,右下角則是Asgard。
內(nèi)存B面少了黑色的裝飾條,取而代之的是更多的乳白色導(dǎo)光條露出,阿斯加特吹雪內(nèi)存為雙導(dǎo)光設(shè)計(jì),8個(gè)獨(dú)立燈光控制區(qū)域,以確保RGB燈光效果。
上機(jī)效果可以看我之前使用這套內(nèi)存裝機(jī)的效果。
在內(nèi)存用料上,阿斯加特吹雪內(nèi)存使用的是10層強(qiáng)化PCB,加上30μm金手指,可以為內(nèi)存高速運(yùn)行提供穩(wěn)定高效的電氣性能。同時(shí)搭配嚴(yán)選海力士A-die內(nèi)存顆粒,在XMP/EXPO預(yù)設(shè)頻率之外擁有不俗的手動(dòng)超頻性能,這也是本次測(cè)試選擇這套內(nèi)存的主要原因。
內(nèi)存性能測(cè)試
測(cè)試第一步,當(dāng)然是先更新主板BIOS,以獲取對(duì)9000系CPU的支持。
在板廠官網(wǎng)可以看到,七彩虹CVN B650M戰(zhàn)列艦主板最新1007版本BIOS已經(jīng)增加了9000系列CPU的支持,并且AGESA微碼已經(jīng)更新到了1.2.0.0版本。
更新完BIOS后開(kāi)機(jī)進(jìn)入BIOS設(shè)置,可以看到已經(jīng)是最新的1007版本BIOS,這套阿斯加特吹雪內(nèi)存原生頻率為4800MHz。
進(jìn)入系統(tǒng)使用CPU-Z查看SPD信息,可以看到內(nèi)存顆粒制造商為SK Hynix,也就是海力士,內(nèi)存生產(chǎn)日期為24年26周,非常新鮮。時(shí)序方面分別有兩組XMP/EXPO預(yù)設(shè):一組6400頻率預(yù)設(shè),一組為6000頻率預(yù)設(shè),時(shí)序均為32-38-38-90-128,內(nèi)存工作電壓均為1.35V。
下面就來(lái)用這套內(nèi)存測(cè)試一下新一代9000系CPU內(nèi)存在不同頻率下的讀取延遲性能。
同頻EXPO6000-CL32-38-38-90測(cè)試
首先是EXPO6000預(yù)設(shè)的性能,進(jìn)入BIOS選擇EXPO2設(shè)置,載入EXPO6000預(yù)設(shè)。
同頻模式EXPO6000使用AIDA 64內(nèi)存測(cè)試跑分結(jié)果如下:
- 讀取速度58494MB/s;
- 寫(xiě)入速度80151MB/s;
- 拷貝速度53836MB/s;
- 延遲68.4ns。
這個(gè)能效成績(jī)對(duì)于AMD平臺(tái)來(lái)說(shuō)已經(jīng)非常優(yōu)秀了。
分頻EXPO6400-CL32-38-38-90測(cè)試
這里先嘗試了同頻模式下開(kāi)啟EXPO6400頻率,可以開(kāi)機(jī),但是運(yùn)行內(nèi)存Benchmark測(cè)試系統(tǒng)崩潰藍(lán)屏,也就是無(wú)法在同頻模式下穩(wěn)定6400頻率。
EXPO6400分頻模式下AIDA 64內(nèi)存測(cè)試跑分結(jié)果:
- 讀取速度56611MB/s;
- 寫(xiě)入速度79671MB/s;
- 拷貝速度53888MB/s;
- 延遲70.6ns。
對(duì)比同頻模式下EXPO6000可以看到內(nèi)存除了復(fù)制表現(xiàn),讀寫(xiě)和延遲表現(xiàn)都有所降低。
分頻手動(dòng)7600-CL36-46-46-84測(cè)試
阿斯加特吹雪內(nèi)存使用的是海力士A-die顆粒,擁有出色的超頻性能,之前我在Intel平臺(tái)也做過(guò)超頻測(cè)試,這次也是第一次在AMD平臺(tái)進(jìn)行手動(dòng)超頻嘗試,不過(guò)現(xiàn)在AMD平臺(tái)現(xiàn)在內(nèi)存超頻確實(shí)也比較輕松,這里也是超頻到7600CL36頻率。
分頻模式手動(dòng)超頻到7600頻率CL36時(shí)序下AIDA 64內(nèi)存測(cè)試跑分結(jié)果:
- 讀取速度56111MB/s;
- 寫(xiě)入速度80810MB/s;
- 拷貝速度54623MB/s;
- 延遲66.2ns。
可以看到手動(dòng)超頻到7600頻率,除了讀取數(shù)據(jù)對(duì)比6000CL32同頻模式有所下降,內(nèi)存寫(xiě)入、復(fù)制和延遲表現(xiàn)都有提升,可見(jiàn)在AMD平臺(tái),分頻模式下沖擊高頻也是有意義的。
同頻手動(dòng)6000-CL28-35-35-76測(cè)試
這里再來(lái)測(cè)試一下6000甜點(diǎn)頻率下縮小時(shí)序的內(nèi)存性能表現(xiàn),依舊是6000頻率,時(shí)序縮小為CL28-35-35-76,海力士A-die顆粒內(nèi)存出色的超頻性能不僅限于超高頻,也可以壓時(shí)序。
AIDA 64內(nèi)存測(cè)試跑分結(jié)果:
- 讀取速度58608MB/s;
- 寫(xiě)入速度81357MB/s;
- 拷貝速度55876MB/s;
- 延遲64.9ns。
對(duì)比7600CL36分頻模式下的內(nèi)存表現(xiàn),6000CL28同頻模式下,內(nèi)存讀寫(xiě)、復(fù)制、延遲都有提升,對(duì)比EXPO6000CL32同頻模式,同樣各項(xiàng)參數(shù)均有提升。
測(cè)試小結(jié)
最后再來(lái)看看測(cè)試數(shù)據(jù)匯總對(duì)比,可能不同主板和時(shí)序小參設(shè)置會(huì)有差異,本次測(cè)試是在同平臺(tái)下測(cè)得,還是能夠看到,新的AMD 9000系列CPU搭配B650主板,6000MHz依舊是甜點(diǎn)頻率,在6000MHz頻率下可以盡量縮小時(shí)序以獲取性能提升。在分頻模式下,超頻到7600頻率以上也能獲得不錯(cuò)的內(nèi)存性能。
AMD平臺(tái)DDR5裝機(jī)內(nèi)存選購(gòu)
從AMD最新一代CPU的支持和實(shí)測(cè)來(lái)看,DDR5內(nèi)存頻率不再是限制,那么在使用AMD 7000系或9000系列CPU進(jìn)行裝機(jī)的時(shí)候,內(nèi)存究竟該怎么選?
如果你是跟我一樣,有不錯(cuò)的動(dòng)手能力,選擇海力士A-die顆?;蛐翸-die顆粒的DDR5內(nèi)存就可以了,無(wú)論是在分頻模式下手動(dòng)超頻到7600以上頻率,還是同頻模式下以6000CL28甚至更低時(shí)序運(yùn)行都沒(méi)什么問(wèn)題,就像我這里使用的阿斯加特吹雪6400聯(lián)名內(nèi)存。
如果不會(huì)手動(dòng)超頻,現(xiàn)在也有很多專門(mén)針對(duì)AMD平臺(tái)推出的,預(yù)設(shè)EXPO6000CL28頻率時(shí)序的內(nèi)存產(chǎn)品,比如阿斯加特女武神二代6000頻率這款,可以一鍵開(kāi)啟6000CL28,另外這款內(nèi)存同樣使用的是海力士A-die可以,一樣可以超頻。
如果預(yù)算有限,則推薦使用海力士M-die顆粒的6000CL30內(nèi)存產(chǎn)品,一樣是6000MHz的甜點(diǎn)頻率,CL30的時(shí)序也還可以,價(jià)格上要便宜很多。
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