近段時(shí)間以來(lái)，致態(tài)TiPro7000的問(wèn)世，再次引發(fā)了全行業(yè)關(guān)注，作為一家2016年堪堪成立，不到6年，卻實(shí)現(xiàn)了從SATA到PCIe3.0，再到如今消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤巔峰PCIe4.0 SSD，全領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)·致態(tài)背后的Xtacking®為何如此神奇？Xtacking®技術(shù)究竟又有多少魔力？

根據(jù)官方解釋，Xtacking® 是長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心專利和技術(shù)品牌，代表著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)取和卓越貢獻(xiàn)，同時(shí)它也是長(zhǎng)江存儲(chǔ)面向企業(yè)客戶、消費(fèi)者推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在，也是體現(xiàn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)原創(chuàng)設(shè)計(jì)的代表品牌。

致態(tài)TiPro7000

這個(gè)解釋實(shí)質(zhì)上有兩重意思，一方面著重強(qiáng)調(diào)了Xtacking®是一項(xiàng)核心的閃存制造技術(shù)，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)近年來(lái)發(fā)展壯大的關(guān)鍵專利，另一方面則是揭示了Xtacking®已然成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)重要的品牌資產(chǎn)和代名詞，有著非同凡響的象征意義。

今天，我們拋開(kāi)品牌意義不聊，重點(diǎn)聊聊Xtacking®作為閃存制造技術(shù)，是如何推動(dòng)致態(tài)TiPro7000的性能炸裂。

01 主流NAND閃存制造邏輯

在理解Xtacking®技術(shù)之前，我們需要先聊聊全球其他閃存廠是如何制造閃存的。

圖源于互聯(lián)網(wǎng)

我們都知道現(xiàn)階段全球NAND閃存玩家，主要有三星、鎧俠/西數(shù)、Intel/Micron以及SK海力士等幾家，其中鎧俠和西數(shù)，intel和Micron，基于資本和市場(chǎng)共享機(jī)制，在這里可視為一家。

通過(guò)上圖全球主流NAND閃存橫截面可以看到，制造技術(shù)上，三星和鎧俠/西數(shù)大體上保持一致，都是常規(guī)的并列式架構(gòu)，這樣的好處在于加工難度較低，但對(duì)于晶圓蝕刻設(shè)備與技術(shù)要求太高，尤其是三星采用的一次性加工、內(nèi)存孔（Memory Hole）的HARC蝕刻技術(shù)，更是對(duì)于設(shè)備和操作經(jīng)驗(yàn)要求極高；鎧俠/西數(shù)采用的則是相對(duì)輕松的兩個(gè)48層堆疊而成，在技術(shù)難度上更具操作性，但也存在著內(nèi)存孔的貼合匹配等問(wèn)題。

Intel/Micron以及SK海力士，則采用了另一條制造路徑，即CUA，CMOS under Array，顧名思義就是將能夠控制數(shù)據(jù)讀取、寫入的CMOS線路放置在Array以下的一種加工方式，這樣的架構(gòu)同樣存在制造工藝難度較高，優(yōu)勢(shì)則在于能夠擴(kuò)大單個(gè)芯片的存儲(chǔ)密度。

Xtacking®架構(gòu)下的長(zhǎng)存顆粒

至于YMTC即長(zhǎng)江存儲(chǔ)則是采用了Xtacking®架構(gòu)，該架構(gòu)原理是將CMOS線路用一種不同于存儲(chǔ)單元（Memory Cell）的晶圓制造而成，分別通過(guò)Bonding工藝進(jìn)行貼合，更加樸素的解釋便是等同于，在指甲蓋大小的面積上通過(guò)數(shù)十億根金屬通道，將CMOS和Array進(jìn)行連接，合二為一。

02 Xtacking®的先進(jìn)性

看到這里，大家應(yīng)該能夠腦補(bǔ)Xtacking®架構(gòu)和傳統(tǒng)上下并列，CUA等閃存結(jié)構(gòu)的不同之處，那么耦合而成的Xtacking®又有哪些特點(diǎn)呢？

從理論設(shè)計(jì)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，主要有更快的傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度以及更靈活的開(kāi)發(fā)周期。

Xtacking®架構(gòu)生產(chǎn)工藝

先說(shuō)速度，Xtacking®的制造原理是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣的話，可以在邏輯工藝上有著更多的自主選擇性，從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能，這也是致態(tài)TiPro7000能夠取得超過(guò)7400MB/s的核心要義，從閃存制造的源頭上，進(jìn)行了性能優(yōu)化，更多更高的I/O接口通道，為后續(xù)主控的性能調(diào)配奠定基礎(chǔ)。

密度優(yōu)化

再說(shuō)密度，3D NAND顆粒最重要的發(fā)展方向便是密度的優(yōu)化，在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積20~30%， Xtacking®技術(shù)創(chuàng)新的將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度，芯片面積可減少約25%，同等面積基礎(chǔ)上，Xtacking®架構(gòu)能夠提供更多的存儲(chǔ)單元。

Xtacking®工藝獨(dú)立加工

最后再來(lái)看靈活的生產(chǎn)周期，實(shí)際上NAND顆粒的良品率和出貨量，是目前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的重要一環(huán)，良品率方面，隨著Xtacking®2.0技術(shù)的誕生，長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒的良品率已然實(shí)現(xiàn)大幅度躍升，能夠滿足現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)客戶的良品需求；而出貨量上，基于Xtacking®工藝存儲(chǔ)單元和外圍電路的能夠獨(dú)立加工的特性，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可以實(shí)現(xiàn)并行、模組化的靈活生產(chǎn)制造，根據(jù)推算Xtacking®工藝相較于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%。

03 不止于Xtacking® 致態(tài)TiPro7000強(qiáng)悍性能的秘密

更快更高更靈活的Xtacking®架構(gòu)，為致態(tài)TiPro7000奠定了旗艦級(jí)性能的基礎(chǔ)，可我們都知道一款旗艦級(jí)固態(tài)硬盤，除開(kāi)閃存顆粒，在主控的選配和硬件優(yōu)化方面同樣關(guān)鍵。

致態(tài)TiPro7000 SSD

致態(tài)TiPro7000內(nèi)置了英韌科技IG5236主控，這是一款采用12nm FinFET CMOS制造工藝的PCIe4.0主控芯片，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在該主控基礎(chǔ)上，進(jìn)行了固件的優(yōu)化升級(jí)，歷經(jīng)長(zhǎng)久的端到端的產(chǎn)品匹配，在充分挖掘該主控在GEN4協(xié)議上的潛能，并和Xtacking®2.0架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)高品質(zhì)3D TLC顆粒進(jìn)行校正和適配后，最終實(shí)現(xiàn)了性能的全部挖掘。

CrystalDiskMark測(cè)試

經(jīng)過(guò)筆者實(shí)測(cè)，致態(tài)TiPro7000在最大順序性能方面達(dá)到了GEN4行業(yè)的巔峰水準(zhǔn)，最大連續(xù)讀取7400MB/s，而最大連續(xù)寫入也達(dá)到了5400MB/s，這一性能無(wú)論是對(duì)于游戲發(fā)燒友，還是存儲(chǔ)負(fù)載較重的專業(yè)內(nèi)容創(chuàng)作者，都能完全滿足他們?cè)谟脖P帶寬方面的性能需求。

04總結(jié)

從Xtacking®技術(shù)的原理，我們可以發(fā)現(xiàn)，唯有打破常規(guī)，持續(xù)創(chuàng)新，才是推動(dòng)產(chǎn)品革新，攀上巔峰的唯一要義。

作為一家年輕的存儲(chǔ)公司，長(zhǎng)江存儲(chǔ)·致態(tài)是幸福，也是幸運(yùn)的，不斷迭代的Xtacking®技術(shù)，層出不窮的諸如致態(tài)TiPro7000優(yōu)秀產(chǎn)品，都一一昭示著它們正在一條正確的道路上，前行著。

雖然正確的道路，往往是曲折的，泥濘的，甚至是充滿危機(jī)的，但方向?qū)α耍渌欢际歉≡屏藛幔?/p>

本篇文章就到這里了，希望能夠給你帶來(lái)幫助，也希望您能夠多多關(guān)注腳本之家的更多內(nèi)容!

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