4款熱門無緩固態(tài)硬盤推薦致態(tài)/三星/西部數(shù)據(jù)/金士頓ssd對比測評

發(fā)布時間：2024-12-24 15:54:37 作者：佚名

致態(tài)TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數(shù)據(jù)SN770、金士頓NV3四款固態(tài)硬盤怎么選擇呢？下面我們就來看看詳細的優(yōu)缺點測評

我自己近兩年已經(jīng)上手測試過幾十款SSD了，在選購SSD時還是有一些自己的心得，年初也分享過8000余字的SSD選購閉坑掃盲指南。

鑒于有些朋友反映，上一篇選購指南中的知識點有些晦澀，所以本期就為大家?guī)砀雍喢鞫笠碾p十一SSD選購思路吧，另外找來4款最近熱度頗高的PCIe4.0 SSD進行了專業(yè)向的深入對比評測，并形成了萬余字的詳細橫評報告（字數(shù)較多，建議先Mark再慢慢看）。

衷心希望本文能拋磚引玉，能幫助大家了解到底如何才能抽絲剝繭，在市面上琳瑯滿目的SSD產(chǎn)品中慧眼識真，趁著雙十一大促的機會買到自己心儀的SSD產(chǎn)品。

一、SSD簡要選購思路

這部分為了方便大家理解記憶，咱們不啰嗦，盡量用幾句話帶過，理解基礎(chǔ)知識大體方向就行了。

1.選擇接口

對于大部分兄弟來說，我們最常接觸到的還是消費級固態(tài)硬盤，主要分為2.5寸SATA SSD和M.2 SSD兩種規(guī)格，其中又以M.2 SSD最為常見。

其中M.2接口的SSD也有SATA和NVMe兩種協(xié)議，大家根據(jù)自己現(xiàn)有的電腦接口來購買，不要買錯，咱們目前新裝機時購買新硬盤一般基本都是M.2 NVMe規(guī)格的了。

2.選擇PCIe協(xié)議

由于SATA SSD的應(yīng)用場景比較狹窄，所以我們主要考慮NVMe M.2 SSD的問題。

NVMe協(xié)議的M.2 SSD走的是PCIe通道，滿速PCIe3.0 x4的M.2 SSD讀取速度能達到3500MB/s左右，滿速PCIe4.0 x4的M.2 SSD更是能達到7000MB/s以上。

同時NVMe SSD是可以向下兼容的，比如PCIe4.0 SSD完全可以插在PCIe3.0和PCIe2.0的M.2插槽上使用，只不過讀寫速度會受到接口的帶寬限制而已。

所以個人建議優(yōu)先選擇PCIe4.0 SSD，假如主板只支持PCIe3.0接口的話，PCIe4.0的硬盤插在3.0接口上雖然速度會被限制，但是溫度表現(xiàn)也會比原生PCIe3.0的SSD更好些，更何況以后升級了平臺還能繼續(xù)用。

而PCIe5.0 SSD雖然速度快，但是太熱太貴，對普通用戶來說實際體驗還提升不大，暫時還不太建議入手。

3.選擇存儲顆粒

目前消費級SSD市場中我們能買到的存儲顆粒主要分為TLC和QLC兩種，建議大家優(yōu)先選擇TLC顆粒的SSD，在壽命和性能方面更有優(yōu)勢。

其實QLC的SSD也不是不能用，起碼對于普通家用用戶來說沒啥能明顯感知的區(qū)別，只不過目前QLC顆粒還處于起步階段，在數(shù)據(jù)密度和性價比方面優(yōu)勢不大，所以建議大家再觀望一下，等等技術(shù)進步。

NAND顆粒的存儲單元會在寫入時按電位表施壓充電，讀取時按電位表反查數(shù)據(jù)。

TLC、QLC二者的區(qū)別在于，TLC在1個儲存單位中存放3位數(shù)據(jù)，QLC在1個儲存單位中存放4位數(shù)據(jù)。

每個單元存儲的數(shù)據(jù)位數(shù)越多，需要的電位精度就越高，充電就更困難，檢驗失敗還需要重新充電，寫入就變得很慢，同時充電也會對浮柵晶體管造成更大損耗；讀取時也需要更高的精度，因此也會稍慢。

而這也是QLC的寫入性能和壽命要比TLC差一些的主要原因。

4.選擇DRAM方案

有獨立DRAM緩存顆粒的SSD我們一般稱之為有緩盤，隨機讀寫性能更好，多為各家廠商的高端或旗艦產(chǎn)品，典型代表為海力士P44 Pro、三星SN850X、三星990Pro等，缺點是高性能帶來了高發(fā)熱，同時價格也是齁貴齁貴的。

反之，沒有DRAM緩存的方案則稱之為無緩盤，例如本文將要測試的致態(tài)TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數(shù)據(jù)SN770、金士頓NV3和國產(chǎn)的佰維NV7400等等。

無緩SSD的真實隨機讀寫性能稍弱于有緩SSD，不過優(yōu)點是價格便宜，同時發(fā)熱量大大減小，非常適合筆記本、迷你主機等散熱空間狹小的設(shè)備。

對于大部分普通用戶來說，個人其實更推薦無緩SSD。

5.選擇SSD品牌

就跟咱們買家電喜歡買大廠產(chǎn)品似的，固態(tài)硬盤領(lǐng)域也有大廠與小廠之分。一般來講大廠的品牌背書質(zhì)量更加穩(wěn)健，小廠的產(chǎn)品性價比更高，咱們還是要對這塊有個了解，然后結(jié)合自己預(yù)算和使用需求來綜合權(quán)衡。

目前世界上能自主生產(chǎn)存儲顆粒的廠商很少很少，能用上自家工廠生產(chǎn)的NAND顆粒的品牌才有資格被稱為原廠固態(tài)，具體來說只有致態(tài)（長江存儲）、三星、西數(shù)、SK海力士（Solidigm）、東芝（鎧俠）、美光（英睿達）這幾家而已。

比較推薦大家在預(yù)算充足的時候優(yōu)先入手原廠SSD，在存儲顆粒可以自產(chǎn)自銷的情況下，物料來源的質(zhì)量和穩(wěn)定性都最好，不用擔(dān)心某些三方廠商一樣偷偷換硬件方案（說的就是你，X士頓）。

同時，原廠SSD技術(shù)雄厚，可以搭配自產(chǎn)的主控芯片或者自行調(diào)校固件，一般會有更強的性能表現(xiàn)。

6.選擇PCB布局

這是一個很小的細節(jié)，一般不會有人注意到，不過在有些時候還真挺重要的。

M.2 SSD可以分為單面布局和雙面布局，建議大家盡量選擇單面布局的SSD。這類產(chǎn)品在背面沒有存儲顆粒之類的元器件，兼容性更強，在迷你主機或者筆記本電腦中加裝時不用擔(dān)心因為過厚導(dǎo)致無法安裝的窘境。

另外單面布局的SSD，其發(fā)熱集中于正面，方便我們使用散熱片或者主動氣流來進行散熱，整體的發(fā)熱表現(xiàn)要更好。

具體來說，在預(yù)算充足的情況下，更推薦大家入手原廠的PCIe4.0無緩SSD，尤其是咱們自家的致態(tài)TiPlus7100。

那么可能有的朋友就要問了，致態(tài)TiPlus7100的實際表現(xiàn)究竟如何？與國外大廠的PCIe4.0無緩旗艦SSD相比，處于什么水平呢？

所以本次我斥巨資入手了致態(tài)TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數(shù)據(jù)SN770和金士頓NV3這4款1TB容量的SSD進行橫向評測，并形成了接近萬字的分析報告。

是騾子是馬拉出來溜溜，性能孰優(yōu)孰劣，一對比就立刻就有結(jié)果了。

首先，這里我把參與橫評的4位選手的主要信息整理成表格，方便大家對比。

其中每一行橫向?qū)Ρ葧r，綠色代表更優(yōu)，黃色代表普通，紅色代表參數(shù)弱一些?？梢钥吹街聭B(tài)TiPlus7100和三星990 EVO Plus占優(yōu)的項目明顯更多。

接下來咱們來具體看看這4位選手：

1.致態(tài)TiPlus7100 1TB

TiPlus7100是一款PCIe4.0滿速無緩盤，采用了基于長江存儲晶棧®Xtacking®技術(shù)架構(gòu)的存儲顆粒，該架構(gòu)即便在世界范圍內(nèi)來說都屬于技術(shù)最先進的一檔。

作為長江存儲旗下唯一零售存儲品牌，致態(tài)給TiPlus7100用上了國產(chǎn)固態(tài)中體質(zhì)最好的長存原廠顆粒，是真正的國產(chǎn)固態(tài)硬盤標桿，無論性能、質(zhì)量還是壽命都是同類產(chǎn)品的上優(yōu)之選，很推薦預(yù)算充足的朋友入手。這款SSD也是今天4位選手中我最推薦的。

推薦閱讀：致態(tài)TiPlus7100黑悟空聯(lián)名版測評

2.三星990 EVO Plus 1TB

990 EVO Plus是三星剛剛發(fā)布的PCIe4.0無緩旗艦SSD，主控與存儲顆粒都為三星自產(chǎn)，目前價格不便宜，1TB的售價接近600元。

目前市面上對這款SSD的深入測試比較少，作為存儲領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一的新品，我自己還是很有興趣了解一下的，本次順帶測試一下這款新貴的性能表現(xiàn)。

3.西部數(shù)據(jù)SN770 1TB

在西數(shù)系列的SSD產(chǎn)品線中，SN850X是PCIe4.0有緩旗艦盤，而在無緩盤這邊，目前定位最高的竟然是SN770這款有點舊的PCIe4.0半速盤，讓人有點摸不著頭腦，感覺西數(shù)在產(chǎn)品節(jié)奏方面有點懈怠了。

不過從測試結(jié)果來看SN770本身還是原廠SSD中比較優(yōu)秀的，畢竟有自產(chǎn)顆粒+自產(chǎn)主控的加持，技術(shù)力還是有的。

4.金士頓NV3 1TB

金士頓雖然是老牌大廠了，但實際上它家的SSD其實并非原廠盤范疇，本質(zhì)上來說和佰維、光威等一樣都屬于第三方存儲廠商，甚至阿金都還沒有自己的顆粒封裝產(chǎn)品線咧。

不過由于金士頓的存儲產(chǎn)品在線下渠道商的銷量很高，還是有相當(dāng)一部分消費者很認可這個品牌的，以至于經(jīng)常有朋友認為這是原廠盤。所以這次還是選了剛上市不久的NV3來參與對比測試，同樣為大家展示一下性能。

有一說一，這塊盤其實很有點奇怪。

看標稱性能參數(shù)和320TBW的耐用度，給人的第一印象是，這似乎是一塊QLC SSD。

但是實際測試過程中發(fā)現(xiàn)，在大部分項目中NV3就是TLC盤的性能指標，但是SLC緩?fù)鈱懭胨俣扔窒馫LC盤，讓人摸不著頭腦。

揭開貼紙瞅了眼，顆粒被重新打上了金士頓自己的標，看不出原始制造商，主控是群聯(lián)的PS5027-E27：

所以在完成測試之后，我回過頭額外用FlashID看了一眼，確認我手頭這一塊使用的是東芝的TLC顆粒。

按理說一塊1TB容量的TLC SSD，沒必要只給320TBW的，鑒于金士頓在NV2上各種讓人眼花繚亂的顆粒方案組合，所以不排除這塊盤在后期有更換為QLC顆粒的可能性。

簡單看過外觀后，咱們首先使用CrystalDiskInfo來看一眼這四款SSD的SMART參數(shù)：

可以看到，致態(tài)TiPlus7100和三星990 EVO Plus采用了NVMe 2.0協(xié)議版本，而西數(shù)SN770和金士頓NV3則采用了舊一些的NVMe 1.4版本。NVMe 2.0協(xié)議相較于NVMe 1.4而言技術(shù)更新，可以減少對存儲數(shù)據(jù)的重寫，降低硬盤的寫入放大系數(shù)，減少CPU計算負荷，提高SSD性能和壽命。

另外4款SSD中，致態(tài)TiPlus7100的可用容量最大，為1024.2GB（10進制），其他三款SSD均為1000.2GB。

接下來再來查看一下CrystalDiskInfo沒有列出的更詳細的SMART信息：

這其中比較值得我們注意的就是SSD的功耗檔位設(shè)置與溫控策略了，我整理成了表格方便對比：

可以看到，由于這4款SSD均為DRAM-Less無緩盤，所以功耗都不高，致態(tài)TiPlus7100和金士頓NV3的最高功耗也不過只有6.5W而已，實際使用時其實還要低于這個功率。

而在功耗墻方面，致態(tài)TiPlus7100設(shè)置的比較寬松，警告溫度為90℃，溫度墻為95℃，超過這個溫度就要觸發(fā)降速了，其他幾塊盤的溫控設(shè)置如表中所示。

不過溫度墻數(shù)值高并不意味著發(fā)熱高，致態(tài)TiPlus7100在實際使用過程中的發(fā)熱反而是4款SSD中比較低的，這一點會在下面的溫度表現(xiàn)環(huán)節(jié)進行詳細展示。

由于Windows中2進制與10進制的換算關(guān)系（在Windows的資源管理器中明明用二進制的GiB來計算容量，可是非要顯示10進制為GB），4款SSD上機后在Windows磁盤管理器中顯示的可用容量都會減少一些，這是正常情況，并非廠商偷工減料導(dǎo)致。

如下圖所示，致態(tài)TiPlus7100在Windows中的可用容量為953.87GiB（二進制），其余三款SSD均為931.5GiB，對用戶來說致態(tài)相當(dāng)于直接多給了20多GiB的可用容量，還是挺好的。

測試平臺

本次測試使用的測試平臺配置如下：

CPU：intel i5-14600KF
主板：AORUS Z790 ELITE X
內(nèi)存：佰維 DX100 DDR5-6800 16GB X2
SSD：Intel 傲騰900P 280G（系統(tǒng)盤）、雷克沙ARES 4TB（對拷盤）
顯卡：藍戟Intel A380
系統(tǒng)：Windows11 專業(yè)版 24H2

需要說明的是，SSD的性能除了會受到CPU主頻和單核性能影響以外，整個平臺的PCIe有效載荷Maximum Payload Size（MPS）也會對測試結(jié)果產(chǎn)生影響——正常來講，MPS越大，數(shù)據(jù)包傳輸效率越高，帶寬上限更大。

目前消費級PC平臺中，只有AMD處理器才能支持512字節(jié)MPS，理論上PCIe4.0x4接口可以提供7.56GB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率（7.877GB/s x96%）；Intel平臺只支持256字節(jié)的MPS，實踐中PCIe4.0x4接口的理論速率上限就被限制到了7.24GB/s以內(nèi)（7.877GB/s x92%）。

所以在CrystalDiskMark等軟件的測試過程中，可能會發(fā)生順序讀寫速度被Intel平臺所限，無法達到官方標稱性能的情況，還請大家理解，這并不是SSD本身質(zhì)量問題導(dǎo)致。

基礎(chǔ)測試

1.CrystalDiskMark

作為最常用的硬盤測試軟件之一，CrystalDiskMark能夠非常直觀的展示SSD在SLC緩內(nèi)的讀寫性能表現(xiàn)，大部分SSD廠商的標稱參數(shù)也正是由該軟件測試而來的。在對4款SSD進行格式化后，使用CrystalDiskMark分別對其進行測速。

根據(jù)CrystalDiskMark的測試結(jié)果，在順序讀寫方面，致態(tài)TiPlus7100的讀取速度為7108.75 MB/s，寫入速度為6398.11 MB/s，7讀3寫混合速度為5969.19 MB/s，無論是單純的讀/寫還是混合讀寫性能，均排名第一。其余3款產(chǎn)品按從強到弱的順序排列，分別是三星990 EVO Plus、金士頓NV3和西數(shù)SN770。

而在多隊列多線程的最高隨機讀寫速度方面，可以看到致態(tài)TiPlus7100在隨機讀取方面成績最好，隨機寫入性能位居第三名。

Q1T1 4K隨機讀寫性能方面，除了金士頓NV3以外，其余3款SSD在重要的4K單隊列隨機讀取項目中均取得了90 MB/s以上的好成績。

這里需要提醒大家，像CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark和Txbench的基礎(chǔ)測試這類軟件，對SSD的測試結(jié)果是浮于表面的，只有參考價值，大家一般看看順序讀寫速度即可。

這類軟件測試原理和測試項目基本相同，在左側(cè)都會羅列幾種不同隊列的測試項目，在測試過程中都會先在SSD的SLC緩存內(nèi)生成一塊固定容量存儲空間用于讀寫測試，所以一般選擇其一用來測試即可，并且部分測試項目會受到SLC緩存的加速作用影響，并不能完全代表SSD的真實性能表現(xiàn)。

所以如果你看到一份SSD測評中只有幾個類似軟件的測試結(jié)果，那大概率是作者在灌水，或者并不懂SSD吧，總之參考意義就不大了。

2.Windows大文件讀寫

Windows的文件資源管理機制其實很拉胯，以咱們平時最常用的復(fù)制——粘貼操作為例，在Win10下單進程的實際讀寫速度通常在3GB/s左右；即使升級到Win11，單進程寫入速度也基本很難超過4GB/s。

在這里我使用FIO生成了一個100GB的不可壓縮偽隨機數(shù)據(jù)測試文件，首先從對拷盤中向4款SSD中進行寫入操作。

最終匯總的寫入曲線如下圖所示，由于有著SLC緩存的加持，4款SSD的寫入曲線都很穩(wěn)，基本都沒啥波動。

把大致的寫入速度匯總成柱形圖可以看出來，還是致態(tài)TiPlus7100速度更快一些。

而讀取測試時，就要將剛才寫入4款SSD中的100GB測試文件再復(fù)制到對烤盤，最終曲線匯總?cè)缦拢?/p>

可以看到在單文件讀取方面，4款SSD中也都沒啥問題，偶發(fā)的波動應(yīng)當(dāng)是對烤盤端導(dǎo)致。同樣在該項測試中，也依然是致態(tài)TiPlus7100的速度最快：

另外這里三星990 EVO Plus的讀取速度明顯比其他3款SSD低一些，個人盲猜是由于這款SSD的WriteBack策略太積極導(dǎo)致，在讀取測試時正好遇到了主控將SLC緩存中的數(shù)據(jù)回寫至TLC區(qū)域的過程，耽誤了部分性能。

3.Fastcopy大文件讀寫測試

由于Windows的復(fù)制粘貼只是利用了SSD的單隊列讀寫性能，為了觀察在實際使用時這幾位選手的極限順序讀寫性能，這里我們使用Fastcopy同樣對剛才的100GB測試文件進行讀寫操作，并分別對比消耗的時間。

使用Fastcopy對4款SSD進行寫入的截圖匯總?cè)缦拢?/p>

讀取截圖也如下圖所示：

將以上數(shù)據(jù)做成圖表可以進行更直觀地對比?？梢钥吹剑谑褂肍astcopy寫入時，4款SSD的耗時相差不大，誤差不過1秒左右。

倒是讀取100GB文件的耗時有了較大區(qū)別，其中西數(shù)SN770和致態(tài)TiPlus7100的速度最快，二者耗時分別為21.2s、21.4s，金士頓NV3的耗時要比二者長了3.5s左右，而三星990 EVO Plus的讀取速度最慢，耗時竟然達到了31.5s。

應(yīng)用場景模擬測試

1.PCMARK 10 完整系統(tǒng)盤基準測試

有很多朋友很關(guān)注將SSD作為系統(tǒng)盤時的使用表現(xiàn)，但是實際這個關(guān)于是否流暢的體驗很難用語言描述，畢竟主觀感受真的沒有量化數(shù)據(jù)來得清晰。

尤其像咱們?nèi)粘Ｊ褂肳indows系統(tǒng)時，由于系統(tǒng)在后臺運行的進程往往不受我們控制，很難自行規(guī)劃一個排除變量的測試流程。

所以這里我們使用PCMark10的完整系統(tǒng)盤基準測試功能，來對SSD實現(xiàn)量化評估，而不是像某些KOL一樣，將被測盤作為Win系統(tǒng)盤時使用游戲加加對其進行測試，并且測得SSD讀寫延遲低于CPU三緩后，宣稱西數(shù)SN5000S是一款“讀取密集型固態(tài)”——后臺進程你都控制不了，變量都無法排除，還測個什么勁兒呢測？啥時候消費級SSD也配稱作讀取密集型了？

圖源：@HOMOLAB

PCMark 10的完整系統(tǒng)盤基準測試包含23項測試場景，每個場景都會運行三次，通過對來自流行應(yīng)用程序和常見任務(wù)的相關(guān)實際硬盤軌跡跟蹤，可以全面而且反映現(xiàn)在最新存儲設(shè)備的性能。

具體來說，測試項目包括Windows 10啟動、應(yīng)用程序/游戲啟動、復(fù)制多個大文件和許多小文件、Office和Adobe應(yīng)用程序運作時的硬盤軌跡等。

PCMARK 10自帶對比功能，可以看到，除了西數(shù)SN770得分相對略低以外，其余3款SSD分別都達到了4000以上的高分?？梢哉f，4000分基本可以看做一個分水嶺，超過這個分數(shù)的，都是目前消費級PCIe4.0 SSD中的T0旗艦水平。

而西數(shù)SN770的3650分其實也不算低了，也是比較優(yōu)秀的成績，只是和三位大哥同臺競技，才顯得稍微弱了一丟丟而已。

2.LightRoom文件載入時長對比

為了貼合PCMARK 10更傾向于辦公場景的測試，這里我決定實戰(zhàn)一波，在這4款SSD上，分別使用Lightroom導(dǎo)入總大小為6.36GB的191張RAW格式照片，并對導(dǎo)入耗時進行記錄與對比。

4款SSD的導(dǎo)入耗時如下圖所示：

這里還是用圖表來展示，4款SSD中，導(dǎo)入最快的是致態(tài)TiPlus7100的18s，其次依次是金士頓NV3的19s和西數(shù)SN770的19.5s緊隨其后，只是沒想到三星990 EVO Plus的成績要顯著慢了一截。

3.《黑神話:悟空》載入時長對比

接下來還是用實際游戲的載入速度來稱稱斤兩吧。

這里我通過STEAM安裝了128GB的《黑神話：悟空》，并且選擇其中的基準測試項目，來橫向?qū)Ρ?款SSD加載進入測試畫面的耗時。

可以看到，實際加載《黑神話：悟空》測試工具時，速度最快的是致態(tài)TiPlus7100的18.2s，西數(shù)SN770也是基本無差的18.3s，金士頓NV3比二者慢了1s左右，反倒是三星990 EVO Plus加載需要22.8s，耗時還是長得挺明顯。

要知道我可是剛安裝完游戲就立馬進行測試的，理論上來講其實游戲文件應(yīng)當(dāng)還處于SLC緩存范圍內(nèi)才對，搞不太懂為啥三星990EP的表現(xiàn)明顯不同，或許是黑猴子128GB的文件體積已經(jīng)超出了其SLC緩存容量的緣故？

專業(yè)向測試

1.全盤讀寫曲線 & SLC緩存方案對比

為了深入探索4款SSD的SLC緩存方案，這里我們對其進行RAW格式下的全盤范圍順序讀寫測試（128KB，Q32T1），并以曲線圖的形式為大家展示，各家方案的區(qū)別一眼就能看出來。

仔細觀察致態(tài)TiPlus7100的全盤寫入曲線，可以看到這是國產(chǎn)SSD中非常常見的三段式特征，標準的動態(tài)SLC緩存方案，特別適合大容量數(shù)據(jù)集中寫入的操作。

空盤狀態(tài)下，致態(tài)TiPlus7100 1TB的SLC緩存在150GB左右，環(huán)內(nèi)寫入速度在5600MB/s左右，調(diào)用了一半剩余空間用于模擬SLC緩存。

出緩后立刻進入第二段TLC直寫階段，并且直寫速度達到了驚人的2500MB/s左右。

當(dāng)TLC區(qū)域用光后，進入了第三段WriteBack懲罰階段，此時SSD要一邊將SLC緩存中的數(shù)據(jù)重新釋放為TLC區(qū)域，一邊還要兼顧新數(shù)據(jù)的寫入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能達到900MB/s上下，性能非常強勁。

接下來我們再來看看三星990 EVO Plus的寫入曲線：

三星990 EVO Plus 1TB的SLC緩存給的有點小，空盤情況下只有108GB左右，不過緩內(nèi)寫入速度挺不錯，能達到6200MB/s左右。

雖然不是全盤模擬方案，但是三星還是選擇了把WriteBack懲罰前置，在SLC緩存耗盡后直接進入WriteBack懲罰階段，寫入速度大幅度下降至不到1000MB/s，并且波動很大，穩(wěn)不下來。

感覺三星的存儲固件部門有些吃老本了，這個懶惰的回收策略其實挺讓人摸不著頭腦的。本身990 EVO Plus給的SLC緩存就較小，不利于爆發(fā)式寫入任務(wù)，這下出緩后直接進入性能懲罰？緩內(nèi)緩?fù)舛紱]吃到紅利，就讓人有點麻爪。

西數(shù)SN770 1TB的全盤讀寫曲線如下圖所示：

西數(shù)SN770采用的是典型的全盤模擬SLC緩存方案，雖然緩內(nèi)空間很大，在空盤狀態(tài)下達到了全盤的1/3容量，緩內(nèi)寫入的表現(xiàn)也不錯，但是一旦遇到真正的超大量數(shù)據(jù)寫入，SLC Cache耗盡后，寫入速度就會一落千丈，WriteBack懲罰階段直接跌落至500MB/s左右的速度。

本來以為SN770作為西數(shù)在PCIe4.0時代的旗艦級黑盤，會延續(xù)SN750的輝煌表現(xiàn)，沒想到它只是SN550的進階版而已。

接下來看看金士頓的全盤讀寫曲線，真的很有意思，值得多說幾句：

金士頓NV3與西數(shù)SN770類似，也是采用了全盤模擬方案，使用剩余空間的1/3模擬SLC緩存，不過看到這條寫入曲線后，我陷入了深深的矛盾，很難想象一條曲線既有TLC特征，又有點像QLC盤。

首先，金士頓NV3的SLC緩存占全盤的1/3左右，正常來說正好是TLC SSD模擬SLC的比例，到這里還沒啥問題。

但是它出緩后的寫入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到過這個速度，屬實有點過于慢了，比SN770還慢。

而文章開頭提過的，F(xiàn)lashID顯示結(jié)果證明了我手頭這塊NV3確實是TLC顆粒——那你為啥要把參數(shù)和TBW標注得像塊QLC SSD一樣？為啥緩?fù)鈱懭胨俣纫@么慢？盲猜金士頓NV3的固件其實是為了QLC顆粒調(diào)校的？再結(jié)合320TBW，只能說后續(xù)有大概率要偷摸換成QLC顆粒。

只能說阿金你是會玩整活兒的。

考慮到有的朋友還是有點懵，我們來對這款SSD的SLC緩存方案做個簡單的解讀吧。

1.以順序?qū)懭胍淮稳P的耗時來對比，匯總成圖表如下，可以看到致態(tài)TiPlus7100是毫無疑問最快的，耗時斷崖式領(lǐng)先其他3位選手：

2.致態(tài)TiPlus7100的優(yōu)勢還在于，SLC緩存耗盡后會先進入TLC直寫階段，高達2500MB/s的寫入直寫速度同樣能盡量保障寫入效率，反觀其他位選手出緩即斷崖式掉速。

這就說明，如果需要單次超大容量的數(shù)據(jù)寫入工作，致態(tài)TiPlus7100采用的動態(tài)SLC緩存方案更有優(yōu)勢的，效率更高、用時更短。

2.SLC緩?fù)?K隨機讀取性能

SSD的小粒度隨機存取性能是影響我們?nèi)粘Ｊ褂昧鲿承缘年P(guān)鍵。雖然SSD的真實運行過程是各種粒度、各種讀寫比例混雜的復(fù)雜流程，但是從4K小粒度隨機讀寫的性能中，我們可以管中窺豹。

我們?nèi)粘Ｊ褂秒娔X時，打開軟件或者加載游戲等操作，所訪問的基本都是已經(jīng)被挪出SLC Cache外的、在TLC區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)。

在這種情況下，測試TLC區(qū)域內(nèi)真實狀態(tài)下的4K隨機讀取性能就是一件很有意義的事情。

這里為了保證測試前SSD能夠進入臟盤穩(wěn)態(tài)，先以128KB Q32T4順序?qū)懭胩畋P兩次后，再對4款SSD進行時長為600s的Q1T1 4K隨機讀取測試，最終得到了如下所示的SLC緩?fù)?K隨機讀取速度曲線圖。

將平均速度匯總成柱形圖更方便對比：

致態(tài)TiPlus7100和新出的NV3并列在第一梯隊，平均速度都達到35MB/s左右，基本沒大差距。

西數(shù)SN770取得了第三名，達到了32.85MB/s。

反倒是同樣最新發(fā)布的三星990 EVO Plus竟然還不到30MB/s，這是我萬萬沒想到的。

3.4K隨機長時間寫入測試

這里簡單科普下，一個SSD在正常工作期間會經(jīng)歷三個階段，參考SNIA的提法，分別是：

FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、剛開封的盤。經(jīng)過安全擦除的SSD也近似于FOB狀態(tài)。這個時候的盤所有的頁都是空白的，任何寫入操作都可以直接進行編程，不需要考慮擦除、垃圾回收等操作的影響。消費類SSD的標稱性能都是處于這個狀態(tài)。這個階段的測試成績可以看做是養(yǎng)精蓄銳之后的沖刺，漂亮，但不可持續(xù)。

Transition：過渡或者轉(zhuǎn)換狀態(tài)。這個狀態(tài)的性能會明顯低于全新時的表現(xiàn)，但是又高于穩(wěn)定態(tài)。不同的SSD在這個階段的性能表現(xiàn)和持續(xù)時間差異較大，這與主控、固件、介質(zhì)都有關(guān)系。隨著技術(shù)進步，較新式的數(shù)據(jù)中心SSD會比早期的SSD更容易度過這個階段。這個階段可以看做是跑步期間休息了一會兒，再次跑起來的時候顯得還比較輕松，但也不可持續(xù)。

Steady State：穩(wěn)定態(tài)或穩(wěn)態(tài)。測試成績比之前的要低，但波動不大了，譬如連續(xù)五次測試的平均性能變化不超過20%。這是長跑的真正狀態(tài)，呼吸節(jié)奏均勻，對肌肉酸痛已經(jīng)麻木，配速比較穩(wěn)定。隨著時間持續(xù)，性能可能會進一步下降，但變化比較平緩。

由于SSD在標稱容量之外，還有一些保留的空間（OP），所以，為了在測試時確保所有頁被寫入，設(shè)計的寫入量一定要明顯大于標稱容量，通常操作就是直接滿盤寫兩遍進行預(yù)處理，然后進行4K隨機寫入，以觀察寫入速度是否能夠收斂。

該項測試對于普通家用用戶來說其實不用太在意，畢竟我們平時使用時都會有SLC緩存加速的，不過對于極少數(shù)重度生產(chǎn)力用戶來說，可以通過該項測試來評估SSD的主控性能和固件調(diào)校水平。

在上面的測試環(huán)節(jié)中，我們已經(jīng)對4款SSD進行了長時間順序?qū)懭氩僮?，正好完成了填盤預(yù)處理，所以抱著別浪費機會的想法，順帶著對這4款SSD也進行了Q1T1 4K隨機寫入60min的項目，記錄寫入曲線如下（為方便理解與對照，這里使用MB/s而不是IOPS作為單位）。