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首款國產(chǎn)DDR5 32GB內(nèi)存強(qiáng)不強(qiáng)? 金百達(dá)銀爵DDR5調(diào)試+超頻測試

  發(fā)布時(shí)間:2025-01-08 14:32:25   作者:佚名   我要評論
首款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上線了,前首發(fā)的國產(chǎn)DDR5內(nèi)存有2個品牌,分別是金百達(dá)和光威,這次上手實(shí)測的就是搭載國產(chǎn)顆粒的金百達(dá)銀爵16GB*2 DDR5 6000的套裝

國產(chǎn)顆粒的DDR5內(nèi)存終于來了,主打性價(jià)比,金百達(dá)是第一批首發(fā)廠商,型號為一直賣的不錯的銀爵+刃兩個系列,本人第一時(shí)間拿到手做了測試,數(shù)據(jù)比較理想,適合常規(guī)用戶和網(wǎng)游玩家。

下面分享首批金百達(dá)銀爵國產(chǎn)DDR5顆粒版本的多平臺測試,希望能幫助大家快速了解這組內(nèi)存的真實(shí)表現(xiàn)。

省流總結(jié)

給懶得看完的朋友做下總結(jié):

  • 就發(fā)文時(shí)而言,這批6000MHz+C36的國產(chǎn)顆粒對標(biāo)的是三星顆粒+鎂光顆粒,都沒有什么超頻空間,優(yōu)勢就是便宜夠用。
  • 目前在售的平臺比較多(平臺指CPU+主板),同一組內(nèi)存不做任何調(diào)試也會有比較大的性能差異,這組內(nèi)存推薦搭配是Intel酷睿12-14代和AMD銳龍7-9系。
  • 不同軟件/游戲?qū)?nèi)存需求不一樣,但都是特定場景上高頻內(nèi)存才會質(zhì)變,典型軟件是7Zip+Adobe全家桶,典型游戲則是吃雞+RTS游戲,6000MHz適合常規(guī)場景。
  • 和同樣測試這組內(nèi)存的玩家溝通了下,普遍反應(yīng)沒手動超頻空間,時(shí)序也很難壓下去,我個人手動超頻,效能最高能提升到17%,懶人建議是搭配御三家主板。
  • 由于是第一批國產(chǎn)顆粒的型號,所以這組內(nèi)存的時(shí)序并不太好看,就是純便宜,當(dāng)然穩(wěn)定常規(guī)使用完全沒問題,后面可能會有時(shí)序更好的迭代款出來。

簡單來說,這組國產(chǎn)顆粒的DDR5內(nèi)存更適合在意性價(jià)比的常規(guī)用戶,同時(shí)適合AMD用戶,網(wǎng)游玩家也合適。

放一下本文目錄,大家可以需求跳轉(zhuǎn)觀看。

參數(shù)解析

首先說一下不同平臺的內(nèi)存表現(xiàn)區(qū)別:

  • 目前14代Intel價(jià)格一直在下跌,很多在意性價(jià)比的用戶已經(jīng)打算升級了,這組內(nèi)存完全合適,個人建議是用支持自動調(diào)小參的御三家主板,效能可以提升很多。
  • AMD這幾代內(nèi)存效能比Intel差太多,6400MHz以內(nèi)+不分頻是絕大部分常規(guī)用戶的選擇,所以只要是AU,用國產(chǎn)顆粒都合適。
  • 目前在售的帶獨(dú)立NPU的CPU,內(nèi)存延遲都會比較高,現(xiàn)在桌面端特指Intel 200S系列,這個平臺的測試數(shù)據(jù)不怎么理想是正常的。

下文會分別測試這組內(nèi)存在intel 14代、Intel Ultra200S和銳龍9系這三個平臺的表現(xiàn),使用主板皆為有自動調(diào)小參的技嘉主板,所以測試數(shù)據(jù)會比二三線品牌主板高出一些。

回歸金百達(dá)銀爵系列國產(chǎn)DDR5,簡單列一下核心參數(shù):

  • SPD包含XMP和EXPO兩組官超預(yù)設(shè),分別對應(yīng)Intel和AMD平臺,一定要按平臺正確選擇,細(xì)節(jié)參數(shù)是不同的。
  • 兩組官超預(yù)設(shè)的主參數(shù)一樣,內(nèi)存運(yùn)行電壓為1.35V,頻率為6000MHz。第一時(shí)序?yàn)镃36-38-38-86。
  • JEDEC預(yù)設(shè)(默認(rèn)預(yù)設(shè))比較保守,還是第一代的參數(shù),內(nèi)存運(yùn)行電壓為1.1V,頻率為4800MHz。第一時(shí)序?yàn)镃39-40-40-77。

單獨(dú)說一下JEDEC預(yù)設(shè),雖然現(xiàn)在6000MHz算低頻,但二三線主板插滿四根開XMP還是比較困難的,要么走JEDEC要么手動超頻。

測試環(huán)境

由于內(nèi)存條的外觀使用的是經(jīng)典銀爵馬甲沒啥新看頭,直接快進(jìn)到環(huán)境說明。

內(nèi)存丨金百達(dá)銀爵DDR5 6000MHz C36(國產(chǎn)顆粒)

簡介:本次核心評測品,使用國產(chǎn)顆粒的金百達(dá)DDR5內(nèi)存一共有三款,本文使用的是入門系列銀爵,16Gx2的套條首發(fā)價(jià)格499元,更適合性價(jià)比裝機(jī)。

帶RGB燈條的刃系列同樣有國產(chǎn)顆粒版本,價(jià)格貴了20塊錢,有黑白兩色馬甲可選,實(shí)際PCB和顆粒完全一致,看個人喜好選擇哈。

平臺A丨AMD R7-9800X3D+技嘉小雕X870

簡介:這個平臺更適合網(wǎng)游玩家,和這組內(nèi)存的適配度非常高,畢竟X3D架構(gòu)就是為了解決內(nèi)存效能不足設(shè)計(jì)的,當(dāng)然AMD的內(nèi)存效能上限差也是事實(shí),。

平臺B丨Intel i7-14700K+技嘉小雕Z790X

簡介:這個平臺更適合常規(guī)生產(chǎn)力用戶+3A游戲玩家,線程數(shù)多還是有用的,先別急著就游戲這點(diǎn)抬杠,感興趣可以看看上一篇9800X3D/14700K搭配RTX4070的對比測試。

平臺C丨Intel Ultra 265K+技嘉小雕Z890M

簡介:原則上這組內(nèi)存并不適合這個平臺,因?yàn)镮ntel Ultra200s最大優(yōu)勢就是內(nèi)存頻率可以輕松8000MHz起步,讀寫的質(zhì)變可以掩蓋高延遲問題,大家了解下就行。

裝機(jī)調(diào)試

由于這款內(nèi)存的目標(biāo)用戶是常規(guī)用戶,所以本段只說關(guān)鍵的基礎(chǔ)操作。

物理安裝

怕有新手朋友不清楚,四槽主板一定要插2/4槽位,不然頻率可能上不去。

BIOS調(diào)試

跟著CPU+主板走,有三個方案:

  • 二三線主板開啟XMP或者EXPO就行,因?yàn)榇_實(shí)沒專項(xiàng)優(yōu)化。
  • 建議大家用御三家主板,正常開啟XMP或者EXPO,同時(shí)開啟一鍵優(yōu)化,技嘉是高帶寬模式+低延遲模式,也就是一鍵調(diào)小參。
  • 手動超頻比較玄學(xué),不加電壓的前提下,我這組可以壓時(shí)序到C34但超不到6200MHz,朋友阿鹿君是能超到6200MHz但時(shí)序壓不下去,應(yīng)該是看體質(zhì)。

技嘉是看下圖,BIOS首頁的左下方,勾選XMP/EXPO后,把High Bandwidth和Low Latency這兩個功能改成Enable就行。

官超測試

下面的測試包含三個平臺,分別是Intel i7-14700K、Intel Ultra7 265K和AMD R7 9800X3D,均使用金百達(dá)的6000MHz官超預(yù)設(shè),同時(shí)開啟上文提到的一鍵壓小參功能。

先放一下未壓小參的數(shù)據(jù),也是絕大部分二三線主板用默認(rèn)設(shè)置的實(shí)際水平,平臺為265K:

  • 魯大師內(nèi)存測試得分為262441。
  • AIDA64內(nèi)存測試,讀取速度為83296MB/s,寫入速度為80995MB/s,拷貝速度為77532MB/s,延遲為93.9ns。

這里的數(shù)據(jù)作為初始標(biāo)準(zhǔn),對比下面的壓小參和手動超頻數(shù)據(jù)。

接下來開始正式測試,魯大師內(nèi)存測試得分如下圖所示:

  • Intel i7-14700K得分為402740。
  • Intel Ultra7 265K得分為293609。
  • AMD R7 9800X3D得分為300753。

看跑分應(yīng)該就知道,壓小參對比默認(rèn)設(shè)置的提升約在12%左右,同時(shí)不同平臺的內(nèi)存效能表現(xiàn)是不同的,并且差距比較大,接著看下面的細(xì)節(jié)參數(shù)測試。

其次是AIDA64的內(nèi)存測試工具,內(nèi)存效能測試如下圖所示:

  • Intel i7-14700K平臺,讀取速度為96191MB/s,寫入速度為92369MB/s,拷貝速度為89200MB/s,延遲為68.8ns。
  • Intel Ultra7 265K平臺,讀取速度為91255MB/s,寫入速度為87232MB/s,拷貝速度為85454MB/s,延遲為85.8ns。
  • AMD R7 9800X3D平臺,讀取速度為62523MB/s,寫入速度為83619MB/s,拷貝速度為58298MB/s,延遲為75.1ns。

通過對比可以看到,如果很在意內(nèi)存效能,還是14代Intel平臺會比較合適,Ultra200S平臺的延遲比較高,AMD則是讀寫能力較差。

手動超頻

這里兩個超頻方向,分別是默認(rèn)電壓超頻和加壓超頻。

默認(rèn)電壓超頻(時(shí)序優(yōu)化)

如果用的是御三家主板,直接壓主時(shí)序就好,這里我沒能壓到太多,頻率只能6000MHz,時(shí)序只能到C34-38-38-76,再低就沒辦法過壓力測試了。

放一下過測圖,沒有任何內(nèi)存輔助散熱的環(huán)境下,6000MHz+C34可以輕松過TM5(1usmus腳本)的壓力測試,

內(nèi)存效能測試如下圖所示:

  • Intel Ultra7 265K平臺,讀取速度為92047MB/s,寫入速度為87460MB/s,拷貝速度為85427MB/s,延遲為88.0ns。
  • AMD R7 9800X3D平臺,讀取速度為62574MB/s,寫入速度為85372MB/s,拷貝速度為58389MB/s,延遲為74.5ns。

對比上面的官超預(yù)設(shè),只有微量提升,所以如果不打算加壓超頻,不太建議折騰主時(shí)序,區(qū)別不大,用御三家主板的一鍵壓小參就挺好。

加電壓超頻(提升頻率)

這段針對Intel平臺+二三線主板的用戶,想要更高頻率就得加電壓,個人調(diào)試建議如下:

  • CPU三項(xiàng)電壓不要動,也就是SA電壓、CPU VDDQ和CPU VDD2這三項(xiàng),對這組內(nèi)存來說意義不大,用XMP的Auto設(shè)置就行,能省找甜點(diǎn)電壓的時(shí)間。
  • 內(nèi)存三項(xiàng)電壓加一些,內(nèi)存VDD電壓和內(nèi)存VDDQ電壓設(shè)置成1.42v左右,內(nèi)存VPP電壓給1.9V。

這里說的是Intel平臺設(shè)置,AMD不建議折騰。

確認(rèn)加過內(nèi)存電壓之后,可以嘗試將內(nèi)存頻率拉高到6400MHz,時(shí)序用默認(rèn)的不要動,確認(rèn)后保存修改重啟即可。

PS:我這組最高也就這樣了,阿鹿君那組可以拉到6800MHz,還是看體質(zhì),大家可以參考下。

小參則是標(biāo)準(zhǔn)的那套,直接看下圖抄吧,不同主板可能排列順序不一樣,參數(shù)是一樣的。

放下過測圖,沒有加額外的主動內(nèi)存散熱器,室溫13℃,使用AIDA64的內(nèi)存測試工具,內(nèi)存效能測試如下圖所示:

  • 讀取速度為97167MB/s,寫入速度為93234MB/s,拷貝速度為92391MB/s,延遲為83.7ns。

對比未壓小參的XMP預(yù)設(shè),性能提升約為17%。

體驗(yàn)總結(jié)

簡單說一下本次測試的心得:

  • 首先,國產(chǎn)顆粒的金百達(dá)銀爵DDR5售價(jià)確實(shí)便宜,懶人建議上御三家主板,不然效能是有點(diǎn)差的,如果主板想省錢,手動超頻也行。
  • 其次,不同CPU+主板的表現(xiàn)會不一樣,在意效能選14代Intel酷睿,超頻簡單且效能不錯,如果上AMD平臺,壓壓小參就好了,不建議超頻率。
  • 最后,這組內(nèi)存的超頻空間比較小,建議是6400MHz+C36,我個人了解到最高能過測的是6800MHz+C40,不用額外加裝主動內(nèi)存散熱器。

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