首款國產(chǎn)DDR5 32GB內(nèi)存強不強? 金百達銀爵DDR5調(diào)試+超頻測試

發(fā)布時間：2025-01-08 14:32:25 作者：佚名

首款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上線了，前首發(fā)的國產(chǎn)DDR5內(nèi)存有2個品牌，分別是金百達和光威，這次上手實測的就是搭載國產(chǎn)顆粒的金百達銀爵16GB*2 DDR5 6000的套裝

下面的測試包含三個平臺，分別是Intel i7-14700K、Intel Ultra7 265K和AMD R7 9800X3D，均使用金百達的6000MHz官超預(yù)設(shè)，同時開啟上文提到的一鍵壓小參功能。

先放一下未壓小參的數(shù)據(jù)，也是絕大部分二三線主板用默認設(shè)置的實際水平，平臺為265K：

這里的數(shù)據(jù)作為初始標(biāo)準(zhǔn)，對比下面的壓小參和手動超頻數(shù)據(jù)。

接下來開始正式測試，魯大師內(nèi)存測試得分如下圖所示：

看跑分應(yīng)該就知道，壓小參對比默認設(shè)置的提升約在12%左右，同時不同平臺的內(nèi)存效能表現(xiàn)是不同的，并且差距比較大，接著看下面的細節(jié)參數(shù)測試。

其次是AIDA64的內(nèi)存測試工具，內(nèi)存效能測試如下圖所示：

通過對比可以看到，如果很在意內(nèi)存效能，還是14代Intel平臺會比較合適，Ultra200S平臺的延遲比較高，AMD則是讀寫能力較差。

這里兩個超頻方向，分別是默認電壓超頻和加壓超頻。

如果用的是御三家主板，直接壓主時序就好，這里我沒能壓到太多，頻率只能6000MHz，時序只能到C34-38-38-76，再低就沒辦法過壓力測試了。

放一下過測圖，沒有任何內(nèi)存輔助散熱的環(huán)境下，6000MHz+C34可以輕松過TM5（1usmus腳本）的壓力測試，

內(nèi)存效能測試如下圖所示：

對比上面的官超預(yù)設(shè)，只有微量提升，所以如果不打算加壓超頻，不太建議折騰主時序，區(qū)別不大，用御三家主板的一鍵壓小參就挺好。

這段針對Intel平臺+二三線主板的用戶，想要更高頻率就得加電壓，個人調(diào)試建議如下：

CPU三項電壓不要動，也就是SA電壓、CPU VDDQ和CPU VDD2這三項，對這組內(nèi)存來說意義不大，用XMP的Auto設(shè)置就行，能省找甜點電壓的時間。
內(nèi)存三項電壓加一些，內(nèi)存VDD電壓和內(nèi)存VDDQ電壓設(shè)置成1.42v左右，內(nèi)存VPP電壓給1.9V。

這里說的是Intel平臺設(shè)置，AMD不建議折騰。

確認加過內(nèi)存電壓之后，可以嘗試將內(nèi)存頻率拉高到6400MHz，時序用默認的不要動，確認后保存修改重啟即可。

PS：我這組最高也就這樣了，阿鹿君那組可以拉到6800MHz，還是看體質(zhì)，大家可以參考下。

小參則是標(biāo)準(zhǔn)的那套，直接看下圖抄吧，不同主板可能排列順序不一樣，參數(shù)是一樣的。

放下過測圖，沒有加額外的主動內(nèi)存散熱器，室溫13℃，使用AIDA64的內(nèi)存測試工具，內(nèi)存效能測試如下圖所示：

對比未壓小參的XMP預(yù)設(shè)，性能提升約為17%。

簡單說一下本次測試的心得：

首先，國產(chǎn)顆粒的金百達銀爵DDR5售價確實便宜，懶人建議上御三家主板，不然效能是有點差的，如果主板想省錢，手動超頻也行。
其次，不同CPU+主板的表現(xiàn)會不一樣，在意效能選14代Intel酷睿，超頻簡單且效能不錯，如果上AMD平臺，壓壓小參就好了，不建議超頻率。
最后，這組內(nèi)存的超頻空間比較小，建議是6400MHz+C36，我個人了解到最高能過測的是6800MHz+C40，不用額外加裝主動內(nèi)存散熱器。