說到高性能內(nèi)存，可能各位讀者首先想到的就是采用SK海力士A-Die、M-Die顆粒的各種內(nèi)存，這類產(chǎn)品往往擁有較高的超頻潛力，大多可以超頻到DDR5 8000甚至更高。那么采用其他品牌顆粒的內(nèi)存是否也能超頻到DDR5 8000呢？比如Crucial英睿達在近期推出的這款DDR5 Pro：超頻電競版內(nèi)存。其標(biāo)稱速率為DDR5 6400，采用32GB套裝形式銷售，價格僅在639元左右，比不少采用SK海力士顆粒，相同速率與容量的產(chǎn)品還要便宜一些，但在性能上它是否能同采用SK海力士顆粒的產(chǎn)品媲美呢？接下來就讓我們通過測試來得出答案。

產(chǎn)品規(guī)格

• 內(nèi)存容量：16GB×2
• 內(nèi)存電壓：
• DDR5 6000@1.35V
• DDR5 6400@1.35V
• 默認(rèn)時序：36-38-38-80@DDR5 6000
• 38-40-40-84@DDR5 6400
• 質(zhì)保時間：終身質(zhì)保
• 參考價格：639元

沒有RGB燈效、簡約風(fēng)格設(shè)計

與那些外形高大、擁有RGB LED導(dǎo)光條的內(nèi)存不同，Crucial英睿達DDR5 Pro內(nèi)存采用了簡約的外觀設(shè)計，配備折紙風(fēng)格設(shè)計的鋁制散熱器，不僅讓內(nèi)存看起來棱角分明，就像身披鎧甲一般，也擴大了散熱面積，能夠提升散熱性能。而沒有RGB光效的設(shè)計，則讓內(nèi)存結(jié)構(gòu)更加簡單，高度得到有效降低，其整體高度只有約34.8mm，不會和大型散熱器產(chǎn)生安裝沖突。該產(chǎn)品主要面向DIY裝機愛好者、超頻發(fā)燒友、游戲玩家這三類人群，有黑、白兩種顏色供用戶選擇。

▲Crucial英睿達DDR5 Pro內(nèi)存的設(shè)計風(fēng)格簡潔明了

▲由于沒有RGB導(dǎo)光條，因此這款內(nèi)存的外形低矮，高度只有34.8mm。

本次我們測試的DDR5 PRO 6400 32GB套裝產(chǎn)品是白色版本，由兩根內(nèi)存組成。每根內(nèi)存采用單面8顆粒設(shè)計，均使用美光原廠顆粒。為了保證兼容性，英睿達在研發(fā)這款內(nèi)存時也同處理器廠商AMD與英特爾，四大主板廠商華碩、技嘉、華擎與微星緊密合作，確保該內(nèi)存在不同的處理器、不同的主板上能夠正常工作。同時，這款內(nèi)存對英特爾的XMP與AMD的EXPO內(nèi)存一鍵超頻技術(shù)都提供了支持。用戶只要在主板BIOS中開啟XMP或EXPO功能，載入超頻配置，就能將內(nèi)存一鍵超頻到對應(yīng)的速率。該內(nèi)存總共提供了四套配置，包括一套EXPO-6000、一套EXPO-6400、一套XMP-6000、一套XMP-6400。其在DDR5 6000速率下的內(nèi)存延遲均為36（CL）-38（tRCD）-38（tRP）-80（tRAS）-118（tRC）；在DDR5 6400下的內(nèi)存延遲均為38（CL）-40（tRCD）-40（tRP）-84（tRAS）-118（tRC）。不論是在DDR5 6000還是DDR5 6400下工作，其內(nèi)存工作電壓均自動設(shè)置為1.35V。接下來我們特別搭建基于英特爾旗艦處理器：酷睿 Ultra 9 285K，雙內(nèi)存插槽主板：ROG MAXIMUS Z890 APEX對這款內(nèi)存進行了測試。

▲內(nèi)存上的標(biāo)簽注明該內(nèi)存在DDR5 6400下工作需要1.35V的工作電壓，CL延遲設(shè)定為38，由馬來西亞組裝制造。

測試平臺

• 主板：ROG MAXIMUS Z890 APEX
• 處理器：酷睿Ultra 9 285K
• 內(nèi)存：Crucial英睿達DDR5 Pro 6400 16GB×2
• 硬盤：長江存儲PC411商用消費級固態(tài)硬盤1TB
• 顯卡：GeForce RTX 4080 SUPER
• 電源：ROG THOR 1200W
• 操作系統(tǒng)：Windows 11

相對DDR5 6000內(nèi)存優(yōu)勢明顯

盡管在AMD平臺上，DDR5 6000內(nèi)存對于AMD處理器來說就是甜點級內(nèi)存，因為DDR5 6000內(nèi)存的物理頻率可以和AMD處理器的內(nèi)存控制器頻率實現(xiàn)同步穩(wěn)定工作，但對于英特爾平臺而言，DDR5 6000就不夠用了。因為在英特爾處理器常用的GEAR2模式下，英特爾處理器可以支持的最高內(nèi)存速率可以達到DDR5 9066左右，所以在搭配英特爾處理器時，內(nèi)存速率一般是越高越好。因此用戶無須選用其DDR5 6000 XMP配置，比如在本次測試中的英特爾平臺上，Crucial英睿達DDR5 Pro在DDR5 6400速率下有不錯的表現(xiàn)，其AIDA64 7.40內(nèi)存讀取、寫入、復(fù)制帶寬分別為97901MB/s、94250MB/s、91393MB/s，而在使用該內(nèi)存的DDR5 6000 XMP配置時，它的成績分別為93731MB/s、83882MB/s、86640MB/s，DDR5 6400的領(lǐng)先幅度分別可達4.4%、12.4%、5.5%，同時其內(nèi)存總體訪問延遲也從DDR5 6000 XMP配置的90.3ns小幅降低到90ns。

盡管DDR5 6000 XMP配置的36-38-38-80延遲參數(shù)設(shè)置相對于DDR5 6400的38-40-40-84更低，但影響內(nèi)存總體訪問延遲的因素較為復(fù)雜，由內(nèi)存工作速率、內(nèi)存控制器頻率、內(nèi)存各參數(shù)延遲設(shè)置或相關(guān)總線頻率等多個因素決定。所以借助更高的內(nèi)存工作速率，在使用DDR5 6400 XMP配置時，這款內(nèi)存的延遲反而更低。在PerformanceTest內(nèi)存測試中，Crucial英睿達DDR5 Pro 6400內(nèi)存的測試成績達到4317，相對于DDR5 6000 XMP配置的4222分領(lǐng)先2.2%，可以擊敗全球99%的其他內(nèi)存。

▲DDR5 6000 XMP配置下的AIDA64與PerformanceTest內(nèi)存性能展示

▲DDR5 6400 XMP配置下的測試結(jié)果，無論是傳輸帶寬，還是延遲表現(xiàn)都比DDR5 6000 XMP配置更好。

在《魯大師》測試中也有類似的結(jié)果，Crucial英睿達DDR5 Pro 6400的《魯大師》內(nèi)存性能達到302863分，相對于DDR5 6000 XMP配置的290880分領(lǐng)先4.1%。更好的內(nèi)存性能也帶來了更高的處理器性能，比如在DDR5 6000 XMP配置下，酷睿Ultra 9 285K的《魯大師》處理器性能得分為1414210分，在DDR5 6400下，其得分則上漲到1415856分。整機性能得分也從DDR5 6000 XMP配置下的3132877分提升到3138943分。原因我們也多次提過，內(nèi)存性能越優(yōu)秀，每次內(nèi)存?zhèn)魉徒o處理器的待處理數(shù)據(jù)越多、越快，處理器才會工作得更有效率，并轉(zhuǎn)化為更好的處理器性能。

▲DDR5 6000 XMP配置下的《魯大師》整機測試細節(jié)

▲DDR5 6400 XMP配置下的《魯大師》整機測試細節(jié)，處理器與內(nèi)存性能測試結(jié)果都要更好一些。

輕松通過1小時的DDR5 6400烤機測試

同時，我們還進行了AIDA64內(nèi)存烤機測試（Stress System memory），在時長60分鐘的AIDA64內(nèi)存烤機測試中，DDR5 6400速率下的Crucial英睿達DDR5 Pro內(nèi)存沒有出現(xiàn)任何不穩(wěn)定的現(xiàn)象，輕松通過測試。在完全使用散熱片被動散熱，沒有安裝額外的風(fēng)冷散熱器情況下，該內(nèi)存的溫度也不高。其中一根內(nèi)存烤機60分鐘后的最高溫度只有54℃，另一根內(nèi)存由于雙內(nèi)存插槽主板限制，其板載顆粒一面的散熱片與另一根內(nèi)存的距離很近，幾乎沒有空氣流動空間，所以它的溫度要高些，內(nèi)存最高工作溫度為56℃?？傮w來看，該內(nèi)存在DDR5 6400下滿載工作時的溫度并不高，能夠穩(wěn)定運行。

▲該內(nèi)存在DDR5 6400下輕松通過時長一小時的AIDA64內(nèi)存烤機測試，沒有出現(xiàn)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

▲在時長60分鐘的烤機中，兩根內(nèi)存的最高工作溫度分別為54℃、56℃。

可超頻到DDR5 8000 性能大幅提升

當(dāng)然，從現(xiàn)在來看DDR5 6400的速率也不算高，所以我們還測試了Crucial英睿達DDR5 Pro內(nèi)存的超頻能力。結(jié)果令人驚喜，在測試中，我們只需要將內(nèi)存的VDD、VDDQ電壓提升到1.55V，內(nèi)存延遲放寬到44-56-56-136，就能將內(nèi)存最高超頻到DDR5 8000。如下圖所示，其各項內(nèi)存性能都有大幅提升。在DDR5 8000速率下，它的AIDA64內(nèi)存讀取、寫入、復(fù)制帶寬分別提升到116.26GB/s、96709MB/s、101768MB/s，內(nèi)存訪問延遲從90ns降到80ns；同時該內(nèi)存的PerformanceTest內(nèi)存測試成績提升到了4579分，《魯大師》內(nèi)存性能也從DDR5 6400下的302863分大幅上漲到343694分，提升幅度達13.5%，顯然超頻后的內(nèi)存性能改善還是非常明顯的。同時，內(nèi)存性能的進步也相應(yīng)地提升了處理器性能。在DDR5 8000下，酷睿Ultra 9 285K的《魯大師》處理器性能從DDR5 6400的1415856分上漲到1427086分，整機性能得分也從DDR5 6400 XMP配置下的3138943分提升到3194339分。

▲超頻到DDR5 8000后，Crucial英睿達DDR5 Pro 6400的內(nèi)存性能有了顯著提高。

▲超頻到DDR5 8000下的《魯大師》整機性能得分，其中處理器與內(nèi)存性能同樣有明顯提升。

性價比高、適合英特爾主流平臺與AMD處理器

從以上測試不難看出。盡管SK海力士的DDR5顆粒體質(zhì)仍然非常強悍，但其他廠商的DDR5內(nèi)存顆粒的性能正在努力追趕，這也讓《微型計算機》評測室采用非SK海力士顆粒的內(nèi)存，也能將速率超頻到DDR5 8000。雖然在最大超頻潛力上，Crucial英睿達DDR5 Pro 6400內(nèi)存相對于采用SK海力士顆粒的高端內(nèi)存仍有差距，但憑借性價比優(yōu)勢、原廠顆粒的使用保障，以及終身售后服務(wù)，我們認(rèn)為這款產(chǎn)品在對速率要求不高的AMD平臺、英特爾酷睿i5 K系列處理器，以及非K普通版處理器上將占據(jù)一席之地。

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