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一圖看懂華為M.2固態(tài)硬盤! 華為eKitStor Xtreme 200 M.2 SSD深入測(cè)評(píng)

  發(fā)布時(shí)間:2025-01-02 16:33:32   作者:佚名   我要評(píng)論
在今年年初,華為發(fā)布了坤靈eKitStor Xtreme 200這款M.2 SSD,正好朋友手里碰巧有一條1TB容量的版本,我自己也頗為好奇,就從朋友那里借來深入測(cè)試了一下,希望本次的測(cè)試報(bào)告能為大家揭開這款SSD的神秘面紗

基礎(chǔ)測(cè)試

按慣例,咱們先在Windows11中把這塊盤安全擦除一下,然后分區(qū)成NTFS格式,再用CrystalDiskMark來測(cè)試一下這塊SSD的緩內(nèi)讀寫性能。

從測(cè)試結(jié)果來看,順序讀取速度能達(dá)到7100MB/s左右(這里應(yīng)當(dāng)還是被Intel測(cè)試平臺(tái)的256bit MPS給限制住了,理論上來說使用512bit MPS的AMD平臺(tái)應(yīng)當(dāng)能跑到7400MB/s左右),順序?qū)懭胨俣饶苓_(dá)到6981MB/s,Q1T1的4K隨機(jī)讀取速度也能達(dá)到89.42MB/s。

總的來說這就是很正常的國(guó)產(chǎn)PCIe4.0 SSD的成績(jī),唯一值得稱道的是73混合讀寫的性能表現(xiàn)不錯(cuò)。

Q32T16深隊(duì)列的4K隨機(jī)讀寫性能分別能達(dá)到1164K和1017K IOPS,在SLC Cache加持下性能發(fā)揮也不錯(cuò)。

接下來用ATTO分別在隊(duì)列4和隊(duì)列1深度下測(cè)試了一下,性能發(fā)揮挺穩(wěn)定的,沒啥毛病。

進(jìn)行安全擦除后,在PCMark 10的完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試中,華為eKitStor Xtreme 200得分為3846,是消費(fèi)級(jí)無緩PCIe4.0 SSD中比較優(yōu)秀的水平。

進(jìn)行安全擦除后,使用3DMark的存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試來衡量一下這塊SSD對(duì)游戲體驗(yàn)的影響,得分為3575,屬于消費(fèi)級(jí)SSD的中上檔水平,中規(guī)中矩吧,其實(shí)并不算太優(yōu)秀。

最后,鑒于Windows翔一樣的管理機(jī)制,以及不同版本之間各種奇奇怪怪的性能差異問題,所以這里咱們?cè)赨buntu 22.04 LTS中再安全擦除一次,又使用FIO 3.36對(duì)華為這塊盤進(jìn)行了一遍更加完整的測(cè)試,測(cè)試項(xiàng)目涵蓋多個(gè)隊(duì)列組合下的順序、隨機(jī)混合讀寫。

將測(cè)試結(jié)果匯總成表格后,與前段時(shí)間測(cè)試過的??荡鎯?chǔ)DK4000 1TB這塊很優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)標(biāo)桿SSD進(jìn)行對(duì)比。

可以看到,華為 eKitStor Xtreme 200和???DK4000在4K隨機(jī)讀取方面的性能基本相差無幾,處于同一水平線上;在4K隨機(jī)寫入方面,華為這塊盤倒是在延遲和IOPS性能方面有比較明顯的優(yōu)勢(shì),看起來兩塊盤的調(diào)校方向有所區(qū)別。

而在混合讀寫方面,華為這邊在Q1T1至Q4T1的低隊(duì)列混合讀寫時(shí),性能略微比??礑K4000高出一線,而到了Q4T4這個(gè)較深的隊(duì)列,性能則被??捣闯雌饋砣A為應(yīng)該主要是針對(duì)OIO8以下的低隊(duì)列讀寫進(jìn)行了優(yōu)化,這一點(diǎn)在后面的ezFIO測(cè)試結(jié)果圖表中可以觀察得更明顯。

專業(yè)向測(cè)試

1.全盤讀寫&SLC Cache方案

首先對(duì)SSD進(jìn)行安全擦除,然后對(duì)其進(jìn)行RAW格式下的全盤容量下順序讀寫測(cè)試(128KB,Q32T1),并以曲線圖的形式為大家展示。

順序讀取速度能維持在6780MB/s,曲線相當(dāng)平穩(wěn)。

而寫入曲線方面么,就是我們之前在測(cè)試各種國(guó)產(chǎn)SSD時(shí)特別熟悉的三段式曲線了,SLC緩內(nèi)寫入速度在5400MB/s,空盤情況下SLC緩存容量為150GB左右,明顯是動(dòng)態(tài)SLC Cache機(jī)制。

出緩后第二段進(jìn)入TLC直寫速度區(qū)間,速度保持在1400MB/s左右。

最后一段為垃圾回收階段,此時(shí)SSD一遍要寫入新數(shù)據(jù),一遍要釋放剛才已經(jīng)填滿SLC緩存進(jìn)行Write Back重寫入操作,所以性能損失較大,速度降低至500MB/s左右。

2.SLC緩?fù)?K隨機(jī)讀取性能

SSD的隨機(jī)存取性能是影響我們?nèi)粘J褂昧鲿承缘年P(guān)鍵。雖然SSD的真實(shí)運(yùn)行過程是各種粒度、各種讀寫比例混雜的復(fù)雜流程,但是從4K小粒度隨機(jī)讀寫的性能中,我們可以管中窺豹。

像CrystalDiskMark這類測(cè)試軟件,在進(jìn)行測(cè)試前會(huì)先向SSD中寫入一個(gè)測(cè)試文件,然后在這個(gè)測(cè)試文件的范圍內(nèi)進(jìn)行一系列讀寫操作。

這也意味著測(cè)速結(jié)果都是基于剛剛寫入SLC Cache中的狀態(tài),又由于SLC Cache對(duì)于FTL的精簡(jiǎn)效應(yīng)等優(yōu)勢(shì),在此范圍內(nèi)無論順序還是隨機(jī)讀寫都會(huì)有所加成。

一般來講,SSD主控會(huì)隨著時(shí)間推移,將這部分?jǐn)?shù)據(jù)釋放到TLC區(qū)域內(nèi),只不過各家主控和固件不同,釋放SLC Cache的積極性也有所區(qū)別而已。

我們?nèi)粘J褂秒娔X時(shí),打開軟件或者加載游戲等操作,所訪問的基本都是已經(jīng)被挪出SLC Cache外、TLC區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù):

在這種情況下,我們?cè)谶M(jìn)行兩遍128K Q8T1填盤預(yù)處理的前提下,對(duì)華為eKitStor Xtreme 200進(jìn)行10min的Q1T1 4K隨機(jī)讀取測(cè)試,測(cè)的平均讀取速度為36.02MB/s,繪制曲線如下(這個(gè)性能和之前我測(cè)試過的致態(tài)TiPlus7100、雷克沙ARES基本差不多):

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