高帶寬模式相比Memtest模式，主要是調(diào)節(jié)了NGU和D2D的倍頻，能夠有效提高內(nèi)存控制器與計(jì)算模塊的通信效率，實(shí)現(xiàn)降低內(nèi)存延遲提升傳輸帶寬的作用。相對(duì)的，NGU和D2D的倍頻最高能到多少，就取決于CPU的體質(zhì)了，微星官方給出的推薦值均為33。因此，新一代酷睿Ultra平臺(tái)的內(nèi)存超頻 ，不僅僅要看內(nèi)存自身的體質(zhì)與主板的走線優(yōu)化。

憑借內(nèi)置獨(dú)立的CKD（時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器），CUDIMM內(nèi)存有效解決了CPU與DRAM之間時(shí)鐘信號(hào)傳輸?shù)钠款i問題，使得內(nèi)存能夠在更高頻率下保持穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)，再配合微星的Memory Try It和Load Memory Presets功能，我們很輕松地就將其超頻至DDR5 -9000 Gear2（選擇了Kingston - Grea2 9000配置）和DDR5 -9333 Gear4。經(jīng)過一段時(shí)間的調(diào)參，我們最終實(shí)現(xiàn)了DDR5-8600 C40-52-52-137穩(wěn)定TM5過測(cè)，讀取速度來到了131.79GB/s，寫入與復(fù)制的速度也有非?？捎^的表現(xiàn)，延遲也接近了70ns大關(guān)。

DDR5-8600 C40-52-52-137 TM5過測(cè)

UDIMM這邊也有著不錯(cuò)的表現(xiàn)，最高可以達(dá)到DDR5-8800，穩(wěn)定過測(cè)是DDR5-8400 C40-52-52-114，整體來看稍遜于CUDIMM，但對(duì)于已經(jīng)擁有高性能UDIMM的用戶來說，這個(gè)性能差距應(yīng)該是可以接受的，畢竟CUDIMM目前在售的型號(hào)較少，價(jià)格也相對(duì)較高。

DDR5-8400 C40-52-52-114 TM5過測(cè)

值得一提的是，在11月5日最新的內(nèi)存超頻記錄認(rèn)證中，微星 MEG Z890 UNIFY-X 暗影搭配金士頓 FURY 叛逆者 DDR5內(nèi)存達(dá)成了DDR5-12196（6097.6MHz為內(nèi)存總線頻率，實(shí)際速率是該數(shù)值×2）的成績(jī)，在近期激烈的比拼中再次問鼎世界第一。雖然這對(duì)于普通消費(fèi)者來說有點(diǎn)難以企及，但恰恰體現(xiàn)其不俗的性能極限，在日常超頻當(dāng)中相比其他主板更有優(yōu)勢(shì)。

總結(jié)

微星 MEG Z890 UNIFY-X 暗影給到我們最深刻的印象無疑就是它在外觀上巨大轉(zhuǎn)變。如果說以往的純黑造型強(qiáng)調(diào)的是“不花哨，重內(nèi)在”，那么如今則是實(shí)現(xiàn)了“內(nèi)外兼修”。設(shè)計(jì)師巧妙地將主板標(biāo)志性的“X”融入到了外觀之中，結(jié)合鋁合金材料的鏡面效果和鋁質(zhì)散熱裝甲上的漸變紋理，構(gòu)成了獨(dú)特的美學(xué)觀感，使得產(chǎn)品更具非常強(qiáng)的辨識(shí)度。

此前傳出了一些關(guān)于UNIFY-X的沒有充分利用雙內(nèi)存槽旁邊空間的吐槽，微星這次直接是滿足了大眾的要求，在這個(gè)位置添加了一個(gè)M.2插槽，達(dá)成板載多達(dá)6個(gè)M.2插槽的成就，并且應(yīng)用上了自家新一代的EZ DIY設(shè)計(jì)和創(chuàng)新性的PCIe輔助供電，同時(shí)跟進(jìn)最新的雷電5擴(kuò)展接針，主板的總體擴(kuò)展性已近乎全面。

盡管目前的英特爾酷睿Ultra 200S系列處理器的超頻潛力與受益不高，但微星 MEG Z890 UNIFY-X 暗影依然在供電用料上下足功夫，不僅給到了包含110A SPS的20+2+1+1路智能供電，而且還首次用上服務(wù)器級(jí)別的TLVR電感，帶來更加穩(wěn)定高效的性能表現(xiàn)。內(nèi)存超頻體驗(yàn)依然延續(xù)著出色的發(fā)揮，不論是新式的CUDIMM還是主流的UDIMM，都有著非常不錯(cuò)的兼容性與高頻優(yōu)化。更重要的是，在多種超頻模式的輔助之下，即便是新手玩家，也能快速上手，感受超頻所帶來性能提升與樂趣。

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