當提及奧?？疲∣RICO）這個品牌，多數(shù)人的第一印象或許停留在移動電源、擴展塢等數(shù)碼配件領(lǐng)域。然而近兩年，這家曾深耕數(shù)碼外設(shè)行業(yè)的品牌正悄然拓展業(yè)務(wù)版圖—開始在存儲領(lǐng)域“排兵布陣”，推出包括閃存盤、固態(tài)硬盤（SSD）、NAS存儲設(shè)備及內(nèi)存條在內(nèi)的多個存儲類產(chǎn)品。

我們曾對奧?？崎W存盤和固態(tài)硬盤進行過深度評測，其通過采用業(yè)內(nèi)頭部品牌原廠顆粒與主控方案，讓產(chǎn)品擁有不錯的性能?？吹贸鰜恚瑠W?？圃诖鎯︻I(lǐng)域的技術(shù)積累已初具規(guī)模。如今，奧?？朴滞ㄟ^推出DDR5馳刃內(nèi)存條入局PC內(nèi)存市場。那么，該內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性能否媲美傳統(tǒng)專業(yè)內(nèi)存品牌？接下來我們將通過實測，看看奧?？圃趦?nèi)存這條賽道上能否交出滿意答卷。

產(chǎn)品參數(shù)

• 容量：16GB×2
• 內(nèi)存電壓：DDR5 400@1.4V
• 默認時序：32-39-39-102@DDR5 6400
• 質(zhì)保時間：終身質(zhì)保
• 馬甲材質(zhì)：鋁合金
• 尺寸大?。?37mm×45mm×18mm
• 參考價格：719元

可選無光和ARGB燈效版

奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條提供了多個版本可選。首先，它擁有ARGB燈效版和無光版，其中ARGB燈效版采用了8顆ARGB LED燈珠，使用導光條讓燈效看上去更加均勻，發(fā)光也比較柔和、透亮。同時，燈效支持與華碩、微星以及技嘉這類主流主板品牌的燈效系統(tǒng)同步，方便用戶打造統(tǒng)一聯(lián)動的燈效。ARGB燈效版和無光版存在一定的價格差別，我們以同樣為馳刃DDR5 6400 32GB版（16GB×2）的規(guī)格舉例，ARGB燈效版售價為799元，無光版的售價為719元，價格差距為80元。這兩者除了燈效差別外，其他參數(shù)完全相同。

▲奧睿科馳刃系列DDR5 6400內(nèi)存提供了帶ARGB燈效版本，16GB×2版本的價格為799元。

其次，奧?？艱DR5馳刃內(nèi)存條還提供了DDR5 6000~DDR5 7200可選，其中，無光版目前僅提供DDR5 6000和DDR5 6400兩個版本。ARGB版則提供了DDR5 6000、DDR5 6400以及DDR5 7200三個版本。我們本次體驗的是奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存。

▲奧?？岂Y刃系列DDR5 6400內(nèi)存燈效版（上）和非燈效版（下）采用的是不同的電源管理芯片

作為一款定位于中高端市場的內(nèi)存，奧?？岂Y刃DDR5 6400配有散熱馬甲，其兩片鋁合金材質(zhì)的散熱馬甲厚度達到了1.5mm，是很多普通散熱片厚度的3倍。同時，內(nèi)部配合3.0W/（m·K）高導熱系數(shù)的工業(yè)導熱硅膠，可讓馬甲的散熱效率提升20%。內(nèi)存PCB雙面都配備有導熱硅膠，緊貼散熱片、PCB和顆粒，能幫助內(nèi)存在執(zhí)行高負載任務(wù)時快速帶走熱量，確保內(nèi)存的穩(wěn)定性，不會因為過熱而導致降頻。

▲燈效版可與主流主板的燈效系統(tǒng)實現(xiàn)聯(lián)動

奧?？岂Y刃DDR5 6400燈效和非燈效版本的尺寸都是一樣的，均為137mm×45mm×18mm，45mm的高度擁有不錯的兼容性，相比市面上部分同級產(chǎn)品大多在46mm及以上高度，能夠避免用戶在搭配旗艦級雙塔風冷散熱器時出現(xiàn)兼容性問題。

▲ 燈效和非燈效的散熱馬甲的高度均為38.6mm

10層加厚PCB設(shè)計且不鎖電壓

在DIY硬件產(chǎn)品中，主板、內(nèi)存和顯卡這類產(chǎn)品的PCB設(shè)計其實是比較關(guān)鍵的，它猶如高樓大廈的地基一般重要。作為電子元件的物理載體與信號傳輸樞紐，PCB的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計直接決定了該產(chǎn)品的電氣性能。具體而言，如果使用了多層PCB結(jié)構(gòu)，并通過精密的接地層與電源層分布，可擁有更好的電磁屏蔽性能，有效抑制高頻信號間的串擾現(xiàn)象；同時，內(nèi)部信號層能夠明顯縮短關(guān)鍵傳輸路徑，通過優(yōu)化阻抗控制與信號回流設(shè)計，為內(nèi)存總線等高速接口提供更純凈的傳輸環(huán)境。這種物理層級的優(yōu)化直接轉(zhuǎn)化為實際應(yīng)用中的性能提升，不僅使內(nèi)存在超頻狀態(tài)下保持更穩(wěn)定的時序表現(xiàn)，更能借助多層PCB的阻抗控制能力降低信號反射，從而為極限超頻提供更可靠的電氣環(huán)境。

另外，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存還采用了全新PMIC電源管理芯片，并且該芯片不鎖電壓，可以讓內(nèi)存與主板協(xié)同工作，自動調(diào)節(jié)電壓以釋放在高速率下的性能。該芯片作為內(nèi)存模塊的數(shù)字電源管家，它主要有三項功能：首先，通過內(nèi)置多相供電調(diào)節(jié)引擎可實現(xiàn)納秒級動態(tài)電壓校準，相較傳統(tǒng)模擬方案電壓響應(yīng)速度提升更快，為高頻場景提供更好的穩(wěn)壓保障；其次，它集成多重防護機制，包含過壓保護、欠壓補償、過流熔斷、過熱降頻、靜電屏蔽及浪涌抑制，實現(xiàn)電氣安全屏障；最后，通過數(shù)字信號處理器對供電進行優(yōu)化，使內(nèi)存在超頻或AI運算等高負載場景下，仍能維持良好的電壓波動精度，避免因供電波動引發(fā)的系統(tǒng)藍屏或硬件損傷風險。值得注意的是，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存的燈效版與非燈效版在電源管理方案上采用了差異化配置：前者搭載具備RGB控制功能的“FY1”智能PMIC，后者則采用“A20K2C”型號，通過簡化供電路徑實現(xiàn)更高能效比。

采用SK海力士顆粒

擁有低延遲

我們本次測試的奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存采用雙條套裝設(shè)計，單條16GB，每條內(nèi)存均搭載單面8顆顆粒，根據(jù)奧?？乒俜矫枋?，其顆粒來自SK海力士。為確?？缙脚_兼容性，奧?？七€在AMD/Intel兩大CPU廠商及華碩、技嘉等主流主板廠商的平臺上進行了兼容性測試，實現(xiàn)全平臺穩(wěn)定適配。同時，該套裝完整支持英特爾XMP 3.0與AMD EXPO內(nèi)存超頻技術(shù)，用戶僅需在BIOS界面啟用對應(yīng)功能，即可自動加載優(yōu)化后的速率時序參數(shù)，輕松解鎖DDR5 6400高速率運行狀態(tài)。

▲奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存采用的是SK海力士顆粒

時序參數(shù)方面，該內(nèi)存在DDR5 6400高速率下保持CL32-39-39-102的低延遲，工作電壓穩(wěn)定在1.4V，實現(xiàn)了高性能與能效的平衡。理論上，用戶只需在主板BIOS中載入這套XMP配置，保存重啟，就能讓內(nèi)存一鍵超頻到DDR5 6400。為驗證其實際表現(xiàn)，我們特別搭建了旗艦級硬件平臺：采用英特爾酷睿i9-14900K處理器搭配ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO主板，通過基準測試與壓力驗證，全面考察這套內(nèi)存套裝在高端配置下的運行穩(wěn)定性與超頻潛力。

▲使用時，須在主板中開啟XMP功能，否則會以DDR5 4800速率運行。

▲開啟XMP后就能讓內(nèi)存自動達到DDR5 6400速率

▲CPU-Z檢測到內(nèi)存的信息：采用SK海力士顆粒、支持AMD EXPO和英特爾XMP 3.0自動超頻技術(shù)、時序為CL32-39-39-102以及1.4V默認電壓。

測試平臺一覽

• 主板：ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO
• 處理器：酷睿i9-14900K
• 內(nèi)存：奧?？岂Y刃DDR5 6400 16GB×2
• 硬盤：奧?？艻ce Armor冰甲1TB
• 顯卡：處理器核顯
• 電源：安耐美REVOLUTION D.F.X 1650W
• 操作系統(tǒng)：Windows 11

DDR5 6400帶來更出色的性能

在內(nèi)存速率適配性方面，AMD與Intel平臺呈現(xiàn)出不同的技術(shù)分野。對于銳龍?zhí)幚砥髌脚_而言，DDR5 6000的速率就能達到性能甜點—其物理速率與AMD內(nèi)存控制器實現(xiàn)同步，從而實現(xiàn)最佳效率。然而在英特爾平臺，得益于GEAR2內(nèi)存分頻模式的加持，12代酷睿及后續(xù)處理器可支持最高達DDR5 9066的內(nèi)存速率，這使得高頻內(nèi)存成為解鎖性能的關(guān)鍵鑰匙。

我們本次測試驗證了這一技術(shù)特性：在酷睿i9-14900K+ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO的測試平臺上，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存發(fā)揮出了高速率帶來的高性能。當運行在DDR5 6400速率時，其AIDA64 7.65基準測試成績?nèi)骖I(lǐng)先我們以往測試過的普通DDR5 6000內(nèi)存：內(nèi)存讀取帶寬突破100000MB/s，達到101284MB/s，普通DDR5 6400內(nèi)存的讀取帶寬大多只在95000MB/s以內(nèi)。寫入帶寬則達到87212MB/s，復制帶寬為90387MB/s。另外，在默認時序下，該內(nèi)存的實際內(nèi)存訪問延遲僅64.0ns，發(fā)揮出了其應(yīng)有的水平，同時也印證了高頻內(nèi)存對內(nèi)存延遲的補償效應(yīng)。

▲在DDR5 6400速率下，其AIDA64 7.65基準測試成績的內(nèi)存讀取帶寬達到101284MB/s、寫入帶寬達到87212MB/s、復制帶寬為90387MB/s以及64.0ns內(nèi)存訪問延遲。

這種性能提升在PerformanceTest內(nèi)存專項測試中更為直觀：DDR5 6400配置斬獲4271分，成績超越全球99%的內(nèi)存產(chǎn)品。深入分析可見，內(nèi)存性能并非由單一時序參數(shù)決定，而是內(nèi)存工作速率、內(nèi)存控制器效率以及總線帶寬等多維度協(xié)同作用的結(jié)果。在英特爾平臺的高帶寬架構(gòu)下，適當放寬時序可以換取更高運行速率，反而能通過提升數(shù)據(jù)傳輸吞吐量來優(yōu)化整體系統(tǒng)響應(yīng)，這正是DDR5 6400配置展現(xiàn)性能優(yōu)勢的核心邏輯。

▲在PerformanceTest內(nèi)存專項測試中該內(nèi)存獲得4271分

此外，在《魯大師》的基準測試中，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存的性能表現(xiàn)印證了高速率內(nèi)存的價值：當運行在DDR5 6400速率時，其內(nèi)存專項測試得分達到359354分，與以往測試的高性能DDR5 6400內(nèi)存相當。內(nèi)存性能的提升直接帶動了處理器與整機性能的全面進階—在酷睿i9-14900K處理器測試中，DDR5 6400配置下處理器得分拿到了1335450分，整機綜合性能評分也達到了2461671分。

▲在《魯大師》中的內(nèi)存專項測試得分達到359354分

這種性能關(guān)聯(lián)性源于如今處理器和內(nèi)存之間的協(xié)同機制：內(nèi)存帶寬作為處理器與存儲系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通道，其傳輸速率直接影響著處理器核心的運算效率。當內(nèi)存子系統(tǒng)能夠以更高速度輸送待處理數(shù)據(jù)時，處理器核心無須頻繁等待數(shù)據(jù)反饋，從而保持更高的運算吞吐量，這種協(xié)同效應(yīng)在高速率內(nèi)存配置下尤為明顯。

運行在DDR5 6400速率下穩(wěn)定性高

在接下來的AIDA64內(nèi)存穩(wěn)定性測試中，奧睿科馳刃DDR5 6400內(nèi)存展現(xiàn)出出色的可靠性。在持續(xù)60分鐘的高強度烤機測試中，該內(nèi)存全程穩(wěn)定運行于DDR5 6400高速率狀態(tài)，未出現(xiàn)任何錯誤提示或性能波動，順利通過壓力驗證。值得關(guān)注的是，即便在純被動散熱架構(gòu)下（未加裝輔助風冷裝置），該內(nèi)存也展現(xiàn)出優(yōu)異的溫控表現(xiàn)。

▲使用AIDA64的System Stability Test對內(nèi)存進行一小時滿載測試時非常穩(wěn)定

從測試來看，在28℃的環(huán)境溫度中，經(jīng)持續(xù)60分鐘烤機測試，通過AIDA64監(jiān)控到的內(nèi)存溫度，這兩條內(nèi)存顆粒的最高溫度分別提升至55℃（外側(cè)）和60℃（內(nèi)側(cè)），也就是溫升分別為27K和32K。為什么會造成這種溫度不一致的情況呢？我們猜測有兩種情況，首先是因為受雙通道配置中內(nèi)存插槽位物理間距限制，其中一條內(nèi)存的板載散熱片與相鄰內(nèi)存間隔較近，因此導致這條內(nèi)存的最高溫度略高于另一條內(nèi)存。其次是靠內(nèi)側(cè)的內(nèi)存距離處理器比較近，處理器的發(fā)熱也會讓旁邊的內(nèi)存溫度高于外側(cè)內(nèi)存。

▲對兩條內(nèi)存進行滿載測試時的最高溫度分別為55℃和60℃（室溫28℃），溫升分別為27K和32K，即使在較高的室溫環(huán)境中進行滿載測試也依舊保持穩(wěn)定。

實測數(shù)據(jù)顯示，在DDR5 6400高速率運行狀態(tài)下，全程未觸發(fā)降頻保護機制，驗證了其被動散熱系統(tǒng)的可靠性。這種溫控表現(xiàn)優(yōu)于同類產(chǎn)品平均值，充分體現(xiàn)奧?？岂Y刃DDR5 6400在緊湊空間內(nèi)的高效熱管理能力。綜合來看，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存即使在較高的室溫環(huán)境下，通過持續(xù)高負載測試也能表現(xiàn)出優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性。其散熱系統(tǒng)設(shè)計有效平衡了高速率運行與溫度控制，為系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行提供可靠保障，充分滿足游戲玩家、AIGC等用戶群體對內(nèi)存性能與可靠性的雙重需求。

▲靠內(nèi)側(cè)的內(nèi)存外部散熱馬甲最高溫度為57.1℃，與內(nèi)部顆粒的溫差較小，說明散熱馬甲的導熱效率很高。

可小幅超頻至DDR5 7200

在內(nèi)存超頻潛力測試環(huán)節(jié)，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存擁有一定的性能提升空間。通過簡單調(diào)校，我們僅需將內(nèi)存的VDD/VDDQ核心電壓提升至1.55V，并適度放寬時序參數(shù)至CL40-48-48-128，即成功實現(xiàn)DDR5 7200的超頻測試。這一速率在AIDA64 Cache&Memory Benchmark基準測試中得到充分驗證：內(nèi)存讀取帶寬從101284MB/s提高至108230MB/s，寫入帶寬從87212MB/s提升至92885MB/s，復制帶寬從90387MB/s增至97136MB/s，只有內(nèi)存訪問延遲從64ns略微提升至66.1ns，整體的系統(tǒng)響應(yīng)速度獲得全方位提升。

▲只需將電壓提高到1.55V、內(nèi)存延遲放寬到CL40-48-48-128，就能將其提升到DDR5 7200速率。

▲將內(nèi)存超頻到DDR5 7200后，在AIDA64 Cache&Memory Benchmark基準測試中內(nèi)存讀取帶寬從101284MB/s提高至108230MB/s，寫入帶寬從87212MB/s提升至92885MB/s，復制帶寬從90387MB/s增至97136MB/s，只有內(nèi)存訪問延遲從64ns略微提升至66.1ns。

在PerformanceTest內(nèi)存專項測試中，超頻后的內(nèi)存得分從4271分提升至4355分，較DDR5 6400標準速率提升約2%。這種性能增幅在《魯大師》綜合測試中更為明顯：內(nèi)存專項得分從359354分飆升至387619分，增幅約8%。值得一提的是，這種內(nèi)存性能的質(zhì)變直接帶動處理器與整機性能的連鎖提升—在DDR5 7200配置下，酷睿i9-14900K處理器的《魯大師》處理器得分從1335450分增至1404912分，整機綜合性能評分更從2461671分提升至2551154分。

▲在PerformanceTest內(nèi)存專項測試中，超頻后的內(nèi)存得分從4271分提升至4355分。

▲ 在《魯大師》綜合測試中，內(nèi)存專項得分從359354分飆升至387619分，增幅約8%。同時也帶動了整體性能的提升：讓酷睿i9-14900K處理器的得分從1335450分增至1404912分，整機綜合性能評分從2461671分提升至2551154分。

這種性能提升說明了高速率內(nèi)存對如今的整機影響比較大：當內(nèi)存帶寬突破一定閾值后，處理器核心能夠獲得更充沛的數(shù)據(jù)供給，指令級并行能力得到充分釋放，最終轉(zhuǎn)化為可量化的性能提升。測試數(shù)據(jù)也清晰展現(xiàn)，哪怕內(nèi)存速率提升不到1000MT/s，系統(tǒng)綜合性能也能獲得2%左右的相應(yīng)提高，這種協(xié)同提升在高性能PC中帶來的效果會更加明顯。

總結(jié)

奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存在基準測試中展現(xiàn)出出色的性能表現(xiàn)，在標稱DDR5 6400速率下憑借CL32時序配置實現(xiàn)更低的延遲表現(xiàn)，在默認設(shè)置下即展現(xiàn)出超越多數(shù)同級產(chǎn)品的性能優(yōu)勢，這樣的性能在依賴內(nèi)存的應(yīng)用場景中表現(xiàn)尤為突出。同時，盡管在極限超頻下該內(nèi)存與采用特挑顆粒的頂尖競品相比存在一定差距，但通過優(yōu)化電壓參數(shù)仍可穩(wěn)定運行在DDR5 7200速率（時序放寬至CL40），可實現(xiàn)約2%的綜合性能提升，為整機性能帶來可感知的增強效果。另外，結(jié)合其采用SK海力士顆粒的用料保障、極具競爭力的定價策略以及品牌承諾的終身質(zhì)保服務(wù)，該產(chǎn)品在中端市場形成差異化競爭優(yōu)勢，特別適用于不追求極限超頻體驗，但注重系統(tǒng)穩(wěn)定性與成本效益的AMD銳龍平臺及英特爾酷睿系列處理器用戶，堪稱主流裝機場景下的高性價比解決方案。

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