當(dāng)提及奧?？疲∣RICO）這個品牌，多數(shù)人的第一印象或許停留在移動電源、擴(kuò)展塢等數(shù)碼配件領(lǐng)域。然而近兩年，這家曾深耕數(shù)碼外設(shè)行業(yè)的品牌正悄然拓展業(yè)務(wù)版圖—開始在存儲領(lǐng)域“排兵布陣”，推出包括閃存盤、固態(tài)硬盤（SSD）、NAS存儲設(shè)備及內(nèi)存條在內(nèi)的多個存儲類產(chǎn)品。

我們曾對奧?？崎W存盤和固態(tài)硬盤進(jìn)行過深度評測，其通過采用業(yè)內(nèi)頭部品牌原廠顆粒與主控方案，讓產(chǎn)品擁有不錯的性能。看得出來，奧?？圃诖鎯︻I(lǐng)域的技術(shù)積累已初具規(guī)模。如今，奧?？朴滞ㄟ^推出DDR5馳刃內(nèi)存條入局PC內(nèi)存市場。那么，該內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性能否媲美傳統(tǒng)專業(yè)內(nèi)存品牌？接下來我們將通過實測，看看奧?？圃趦?nèi)存這條賽道上能否交出滿意答卷。

產(chǎn)品參數(shù)

• 容量：16GB×2
• 內(nèi)存電壓：DDR5 400@1.4V
• 默認(rèn)時序：32-39-39-102@DDR5 6400
• 質(zhì)保時間：終身質(zhì)保
• 馬甲材質(zhì)：鋁合金
• 尺寸大小：137mm×45mm×18mm
• 參考價格：719元

可選無光和ARGB燈效版

奧?？艱DR5馳刃內(nèi)存條提供了多個版本可選。首先，它擁有ARGB燈效版和無光版，其中ARGB燈效版采用了8顆ARGB LED燈珠，使用導(dǎo)光條讓燈效看上去更加均勻，發(fā)光也比較柔和、透亮。同時，燈效支持與華碩、微星以及技嘉這類主流主板品牌的燈效系統(tǒng)同步，方便用戶打造統(tǒng)一聯(lián)動的燈效。ARGB燈效版和無光版存在一定的價格差別，我們以同樣為馳刃DDR5 6400 32GB版（16GB×2）的規(guī)格舉例，ARGB燈效版售價為799元，無光版的售價為719元，價格差距為80元。這兩者除了燈效差別外，其他參數(shù)完全相同。

▲奧?？岂Y刃系列DDR5 6400內(nèi)存提供了帶ARGB燈效版本，16GB×2版本的價格為799元。

其次，奧?？艱DR5馳刃內(nèi)存條還提供了DDR5 6000~DDR5 7200可選，其中，無光版目前僅提供DDR5 6000和DDR5 6400兩個版本。ARGB版則提供了DDR5 6000、DDR5 6400以及DDR5 7200三個版本。我們本次體驗的是奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存。

▲奧?？岂Y刃系列DDR5 6400內(nèi)存燈效版（上）和非燈效版（下）采用的是不同的電源管理芯片

作為一款定位于中高端市場的內(nèi)存，奧?？岂Y刃DDR5 6400配有散熱馬甲，其兩片鋁合金材質(zhì)的散熱馬甲厚度達(dá)到了1.5mm，是很多普通散熱片厚度的3倍。同時，內(nèi)部配合3.0W/（m·K）高導(dǎo)熱系數(shù)的工業(yè)導(dǎo)熱硅膠，可讓馬甲的散熱效率提升20%。內(nèi)存PCB雙面都配備有導(dǎo)熱硅膠，緊貼散熱片、PCB和顆粒，能幫助內(nèi)存在執(zhí)行高負(fù)載任務(wù)時快速帶走熱量，確保內(nèi)存的穩(wěn)定性，不會因為過熱而導(dǎo)致降頻。

▲燈效版可與主流主板的燈效系統(tǒng)實現(xiàn)聯(lián)動

奧睿科馳刃DDR5 6400燈效和非燈效版本的尺寸都是一樣的，均為137mm×45mm×18mm，45mm的高度擁有不錯的兼容性，相比市面上部分同級產(chǎn)品大多在46mm及以上高度，能夠避免用戶在搭配旗艦級雙塔風(fēng)冷散熱器時出現(xiàn)兼容性問題。

▲ 燈效和非燈效的散熱馬甲的高度均為38.6mm

10層加厚PCB設(shè)計且不鎖電壓

在DIY硬件產(chǎn)品中，主板、內(nèi)存和顯卡這類產(chǎn)品的PCB設(shè)計其實是比較關(guān)鍵的，它猶如高樓大廈的地基一般重要。作為電子元件的物理載體與信號傳輸樞紐，PCB的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計直接決定了該產(chǎn)品的電氣性能。具體而言，如果使用了多層PCB結(jié)構(gòu)，并通過精密的接地層與電源層分布，可擁有更好的電磁屏蔽性能，有效抑制高頻信號間的串?dāng)_現(xiàn)象；同時，內(nèi)部信號層能夠明顯縮短關(guān)鍵傳輸路徑，通過優(yōu)化阻抗控制與信號回流設(shè)計，為內(nèi)存總線等高速接口提供更純凈的傳輸環(huán)境。這種物理層級的優(yōu)化直接轉(zhuǎn)化為實際應(yīng)用中的性能提升，不僅使內(nèi)存在超頻狀態(tài)下保持更穩(wěn)定的時序表現(xiàn)，更能借助多層PCB的阻抗控制能力降低信號反射，從而為極限超頻提供更可靠的電氣環(huán)境。

另外，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存還采用了全新PMIC電源管理芯片，并且該芯片不鎖電壓，可以讓內(nèi)存與主板協(xié)同工作，自動調(diào)節(jié)電壓以釋放在高速率下的性能。該芯片作為內(nèi)存模塊的數(shù)字電源管家，它主要有三項功能：首先，通過內(nèi)置多相供電調(diào)節(jié)引擎可實現(xiàn)納秒級動態(tài)電壓校準(zhǔn)，相較傳統(tǒng)模擬方案電壓響應(yīng)速度提升更快，為高頻場景提供更好的穩(wěn)壓保障；其次，它集成多重防護(hù)機(jī)制，包含過壓保護(hù)、欠壓補(bǔ)償、過流熔斷、過熱降頻、靜電屏蔽及浪涌抑制，實現(xiàn)電氣安全屏障；最后，通過數(shù)字信號處理器對供電進(jìn)行優(yōu)化，使內(nèi)存在超頻或AI運(yùn)算等高負(fù)載場景下，仍能維持良好的電壓波動精度，避免因供電波動引發(fā)的系統(tǒng)藍(lán)屏或硬件損傷風(fēng)險。值得注意的是，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存的燈效版與非燈效版在電源管理方案上采用了差異化配置：前者搭載具備RGB控制功能的“FY1”智能PMIC，后者則采用“A20K2C”型號，通過簡化供電路徑實現(xiàn)更高能效比。

采用SK海力士顆粒

擁有低延遲

我們本次測試的奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存采用雙條套裝設(shè)計，單條16GB，每條內(nèi)存均搭載單面8顆顆粒，根據(jù)奧?？乒俜矫枋?，其顆粒來自SK海力士。為確?？缙脚_兼容性，奧?？七€在AMD/Intel兩大CPU廠商及華碩、技嘉等主流主板廠商的平臺上進(jìn)行了兼容性測試，實現(xiàn)全平臺穩(wěn)定適配。同時，該套裝完整支持英特爾XMP 3.0與AMD EXPO內(nèi)存超頻技術(shù)，用戶僅需在BIOS界面啟用對應(yīng)功能，即可自動加載優(yōu)化后的速率時序參數(shù)，輕松解鎖DDR5 6400高速率運(yùn)行狀態(tài)。

▲奧睿科馳刃DDR5 6400內(nèi)存采用的是SK海力士顆粒

時序參數(shù)方面，該內(nèi)存在DDR5 6400高速率下保持CL32-39-39-102的低延遲，工作電壓穩(wěn)定在1.4V，實現(xiàn)了高性能與能效的平衡。理論上，用戶只需在主板BIOS中載入這套XMP配置，保存重啟，就能讓內(nèi)存一鍵超頻到DDR5 6400。為驗證其實際表現(xiàn)，我們特別搭建了旗艦級硬件平臺：采用英特爾酷睿i9-14900K處理器搭配ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO主板，通過基準(zhǔn)測試與壓力驗證，全面考察這套內(nèi)存套裝在高端配置下的運(yùn)行穩(wěn)定性與超頻潛力。

▲使用時，須在主板中開啟XMP功能，否則會以DDR5 4800速率運(yùn)行。

▲開啟XMP后就能讓內(nèi)存自動達(dá)到DDR5 6400速率

▲CPU-Z檢測到內(nèi)存的信息：采用SK海力士顆粒、支持AMD EXPO和英特爾XMP 3.0自動超頻技術(shù)、時序為CL32-39-39-102以及1.4V默認(rèn)電壓。

測試平臺一覽

• 主板：ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO
• 處理器：酷睿i9-14900K
• 內(nèi)存：奧?？岂Y刃DDR5 6400 16GB×2
• 硬盤：奧?？艻ce Armor冰甲1TB
• 顯卡：處理器核顯
• 電源：安耐美REVOLUTION D.F.X 1650W
• 操作系統(tǒng)：Windows 11

DDR5 6400帶來更出色的性能

在內(nèi)存速率適配性方面，AMD與Intel平臺呈現(xiàn)出不同的技術(shù)分野。對于銳龍?zhí)幚砥髌脚_而言，DDR5 6000的速率就能達(dá)到性能甜點—其物理速率與AMD內(nèi)存控制器實現(xiàn)同步，從而實現(xiàn)最佳效率。然而在英特爾平臺，得益于GEAR2內(nèi)存分頻模式的加持，12代酷睿及后續(xù)處理器可支持最高達(dá)DDR5 9066的內(nèi)存速率，這使得高頻內(nèi)存成為解鎖性能的關(guān)鍵鑰匙。

我們本次測試驗證了這一技術(shù)特性：在酷睿i9-14900K+ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO的測試平臺上，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存發(fā)揮出了高速率帶來的高性能。當(dāng)運(yùn)行在DDR5 6400速率時，其AIDA64 7.65基準(zhǔn)測試成績?nèi)骖I(lǐng)先我們以往測試過的普通DDR5 6000內(nèi)存：內(nèi)存讀取帶寬突破100000MB/s，達(dá)到101284MB/s，普通DDR5 6400內(nèi)存的讀取帶寬大多只在95000MB/s以內(nèi)。寫入帶寬則達(dá)到87212MB/s，復(fù)制帶寬為90387MB/s。另外，在默認(rèn)時序下，該內(nèi)存的實際內(nèi)存訪問延遲僅64.0ns，發(fā)揮出了其應(yīng)有的水平，同時也印證了高頻內(nèi)存對內(nèi)存延遲的補(bǔ)償效應(yīng)。

▲在DDR5 6400速率下，其AIDA64 7.65基準(zhǔn)測試成績的內(nèi)存讀取帶寬達(dá)到101284MB/s、寫入帶寬達(dá)到87212MB/s、復(fù)制帶寬為90387MB/s以及64.0ns內(nèi)存訪問延遲。

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