這種性能提升在PerformanceTest內(nèi)存專項(xiàng)測(cè)試中更為直觀：DDR5 6400配置斬獲4271分，成績(jī)超越全球99%的內(nèi)存產(chǎn)品。深入分析可見(jiàn)，內(nèi)存性能并非由單一時(shí)序參數(shù)決定，而是內(nèi)存工作速率、內(nèi)存控制器效率以及總線帶寬等多維度協(xié)同作用的結(jié)果。在英特爾平臺(tái)的高帶寬架構(gòu)下，適當(dāng)放寬時(shí)序可以換取更高運(yùn)行速率，反而能通過(guò)提升數(shù)據(jù)傳輸吞吐量來(lái)優(yōu)化整體系統(tǒng)響應(yīng)，這正是DDR5 6400配置展現(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)的核心邏輯。

▲在PerformanceTest內(nèi)存專項(xiàng)測(cè)試中該內(nèi)存獲得4271分

此外，在《魯大師》的基準(zhǔn)測(cè)試中，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存的性能表現(xiàn)印證了高速率內(nèi)存的價(jià)值：當(dāng)運(yùn)行在DDR5 6400速率時(shí)，其內(nèi)存專項(xiàng)測(cè)試得分達(dá)到359354分，與以往測(cè)試的高性能DDR5 6400內(nèi)存相當(dāng)。內(nèi)存性能的提升直接帶動(dòng)了處理器與整機(jī)性能的全面進(jìn)階—在酷睿i9-14900K處理器測(cè)試中，DDR5 6400配置下處理器得分拿到了1335450分，整機(jī)綜合性能評(píng)分也達(dá)到了2461671分。

▲在《魯大師》中的內(nèi)存專項(xiàng)測(cè)試得分達(dá)到359354分

這種性能關(guān)聯(lián)性源于如今處理器和內(nèi)存之間的協(xié)同機(jī)制：內(nèi)存帶寬作為處理器與存儲(chǔ)系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通道，其傳輸速率直接影響著處理器核心的運(yùn)算效率。當(dāng)內(nèi)存子系統(tǒng)能夠以更高速度輸送待處理數(shù)據(jù)時(shí)，處理器核心無(wú)須頻繁等待數(shù)據(jù)反饋，從而保持更高的運(yùn)算吞吐量，這種協(xié)同效應(yīng)在高速率內(nèi)存配置下尤為明顯。

運(yùn)行在DDR5 6400速率下穩(wěn)定性高

在接下來(lái)的AIDA64內(nèi)存穩(wěn)定性測(cè)試中，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存展現(xiàn)出出色的可靠性。在持續(xù)60分鐘的高強(qiáng)度烤機(jī)測(cè)試中，該內(nèi)存全程穩(wěn)定運(yùn)行于DDR5 6400高速率狀態(tài)，未出現(xiàn)任何錯(cuò)誤提示或性能波動(dòng)，順利通過(guò)壓力驗(yàn)證。值得關(guān)注的是，即便在純被動(dòng)散熱架構(gòu)下（未加裝輔助風(fēng)冷裝置），該內(nèi)存也展現(xiàn)出優(yōu)異的溫控表現(xiàn)。

▲使用AIDA64的System Stability Test對(duì)內(nèi)存進(jìn)行一小時(shí)滿載測(cè)試時(shí)非常穩(wěn)定

從測(cè)試來(lái)看，在28℃的環(huán)境溫度中，經(jīng)持續(xù)60分鐘烤機(jī)測(cè)試，通過(guò)AIDA64監(jiān)控到的內(nèi)存溫度，這兩條內(nèi)存顆粒的最高溫度分別提升至55℃（外側(cè)）和60℃（內(nèi)側(cè)），也就是溫升分別為27K和32K。為什么會(huì)造成這種溫度不一致的情況呢？我們猜測(cè)有兩種情況，首先是因?yàn)槭茈p通道配置中內(nèi)存插槽位物理間距限制，其中一條內(nèi)存的板載散熱片與相鄰內(nèi)存間隔較近，因此導(dǎo)致這條內(nèi)存的最高溫度略高于另一條內(nèi)存。其次是靠?jī)?nèi)側(cè)的內(nèi)存距離處理器比較近，處理器的發(fā)熱也會(huì)讓旁邊的內(nèi)存溫度高于外側(cè)內(nèi)存。

▲對(duì)兩條內(nèi)存進(jìn)行滿載測(cè)試時(shí)的最高溫度分別為55℃和60℃（室溫28℃），溫升分別為27K和32K，即使在較高的室溫環(huán)境中進(jìn)行滿載測(cè)試也依舊保持穩(wěn)定。

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，在DDR5 6400高速率運(yùn)行狀態(tài)下，全程未觸發(fā)降頻保護(hù)機(jī)制，驗(yàn)證了其被動(dòng)散熱系統(tǒng)的可靠性。這種溫控表現(xiàn)優(yōu)于同類產(chǎn)品平均值，充分體現(xiàn)奧?？岂Y刃DDR5 6400在緊湊空間內(nèi)的高效熱管理能力。綜合來(lái)看，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存即使在較高的室溫環(huán)境下，通過(guò)持續(xù)高負(fù)載測(cè)試也能表現(xiàn)出優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性。其散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)有效平衡了高速率運(yùn)行與溫度控制，為系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠保障，充分滿足游戲玩家、AIGC等用戶群體對(duì)內(nèi)存性能與可靠性的雙重需求。

▲靠?jī)?nèi)側(cè)的內(nèi)存外部散熱馬甲最高溫度為57.1℃，與內(nèi)部顆粒的溫差較小，說(shuō)明散熱馬甲的導(dǎo)熱效率很高。

可小幅超頻至DDR5 7200

在內(nèi)存超頻潛力測(cè)試環(huán)節(jié)，奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存擁有一定的性能提升空間。通過(guò)簡(jiǎn)單調(diào)校，我們僅需將內(nèi)存的VDD/VDDQ核心電壓提升至1.55V，并適度放寬時(shí)序參數(shù)至CL40-48-48-128，即成功實(shí)現(xiàn)DDR5 7200的超頻測(cè)試。這一速率在AIDA64 Cache&Memory Benchmark基準(zhǔn)測(cè)試中得到充分驗(yàn)證：內(nèi)存讀取帶寬從101284MB/s提高至108230MB/s，寫入帶寬從87212MB/s提升至92885MB/s，復(fù)制帶寬從90387MB/s增至97136MB/s，只有內(nèi)存訪問(wèn)延遲從64ns略微提升至66.1ns，整體的系統(tǒng)響應(yīng)速度獲得全方位提升。

▲只需將電壓提高到1.55V、內(nèi)存延遲放寬到CL40-48-48-128，就能將其提升到DDR5 7200速率。

▲將內(nèi)存超頻到DDR5 7200后，在AIDA64 Cache&Memory Benchmark基準(zhǔn)測(cè)試中內(nèi)存讀取帶寬從101284MB/s提高至108230MB/s，寫入帶寬從87212MB/s提升至92885MB/s，復(fù)制帶寬從90387MB/s增至97136MB/s，只有內(nèi)存訪問(wèn)延遲從64ns略微提升至66.1ns。

在PerformanceTest內(nèi)存專項(xiàng)測(cè)試中，超頻后的內(nèi)存得分從4271分提升至4355分，較DDR5 6400標(biāo)準(zhǔn)速率提升約2%。這種性能增幅在《魯大師》綜合測(cè)試中更為明顯：內(nèi)存專項(xiàng)得分從359354分飆升至387619分，增幅約8%。值得一提的是，這種內(nèi)存性能的質(zhì)變直接帶動(dòng)處理器與整機(jī)性能的連鎖提升—在DDR5 7200配置下，酷睿i9-14900K處理器的《魯大師》處理器得分從1335450分增至1404912分，整機(jī)綜合性能評(píng)分更從2461671分提升至2551154分。

▲在PerformanceTest內(nèi)存專項(xiàng)測(cè)試中，超頻后的內(nèi)存得分從4271分提升至4355分。

▲ 在《魯大師》綜合測(cè)試中，內(nèi)存專項(xiàng)得分從359354分飆升至387619分，增幅約8%。同時(shí)也帶動(dòng)了整體性能的提升：讓酷睿i9-14900K處理器的得分從1335450分增至1404912分，整機(jī)綜合性能評(píng)分從2461671分提升至2551154分。

這種性能提升說(shuō)明了高速率內(nèi)存對(duì)如今的整機(jī)影響比較大：當(dāng)內(nèi)存帶寬突破一定閾值后，處理器核心能夠獲得更充沛的數(shù)據(jù)供給，指令級(jí)并行能力得到充分釋放，最終轉(zhuǎn)化為可量化的性能提升。測(cè)試數(shù)據(jù)也清晰展現(xiàn)，哪怕內(nèi)存速率提升不到1000MT/s，系統(tǒng)綜合性能也能獲得2%左右的相應(yīng)提高，這種協(xié)同提升在高性能PC中帶來(lái)的效果會(huì)更加明顯。

總結(jié)

奧?？岂Y刃DDR5 6400內(nèi)存在基準(zhǔn)測(cè)試中展現(xiàn)出出色的性能表現(xiàn)，在標(biāo)稱DDR5 6400速率下憑借CL32時(shí)序配置實(shí)現(xiàn)更低的延遲表現(xiàn)，在默認(rèn)設(shè)置下即展現(xiàn)出超越多數(shù)同級(jí)產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)，這樣的性能在依賴內(nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出。同時(shí)，盡管在極限超頻下該內(nèi)存與采用特挑顆粒的頂尖競(jìng)品相比存在一定差距，但通過(guò)優(yōu)化電壓參數(shù)仍可穩(wěn)定運(yùn)行在DDR5 7200速率（時(shí)序放寬至CL40），可實(shí)現(xiàn)約2%的綜合性能提升，為整機(jī)性能帶來(lái)可感知的增強(qiáng)效果。另外，結(jié)合其采用SK海力士顆粒的用料保障、極具競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)策略以及品牌承諾的終身質(zhì)保服務(wù)，該產(chǎn)品在中端市場(chǎng)形成差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，特別適用于不追求極限超頻體驗(yàn)，但注重系統(tǒng)穩(wěn)定性與成本效益的AMD銳龍平臺(tái)及英特爾酷睿系列處理器用戶，堪稱主流裝機(jī)場(chǎng)景下的高性價(jià)比解決方案。

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